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World File Search System迁移率
2024 年国际科学创新会议...
使用 SiC 掺杂 SnO 通道的高性能 P 型 TFT：通过优化掺杂和沉积后退火实现增强的迁移率和稳定性。Rauful Karim Khan 博士，日本九州大学工程科学学院先进材料科学与工程系助理教授。
健康和疾病中的微生物群：
这些因素相互作用：想想老年人！老年人的微生物组结构的变化通常归因于生活方式改变，饮食，迁移率降低，免疫功能降低，肠道能力降低，肠道形态的改变，使用药物和药物的使用增加以及经常性感染
超高动力微生物细胞色素纳米线产生湿度的功率
混合电子离子导体对于各种技术至关重要，包括在耐用，自我维持的，不受位置或环境1,2的不受限制的方式中从湿度中收获能力。已经提出了50年的混合导体3,4。最近，据称Geobacter Sulfurreducens Pili丝是发电5,6的纳米线。在这里，我们表明该功率是由G.硫核的生产的细胞色素OMCZ纳米线产生的，其电子电导率比Pili 7高20,000倍。非常明显的是，由于定向电荷通过无缝堆叠的Hemes和带电的氢键表面，纳米线显示了超高电子和质子迁移率（> 0.25 cm 2 /vs）。AC阻抗光谱和直流电导率测量，使用四个探针范德布尔和背门效率 - 效应 - 横向器设备表明，湿度会使载流子的迁移率提高30,000倍。冷却将激活能量减半，从而加速电荷传输。电化学测量结果确定将纯电子传导转换为发电的混合传导所需的电压和迁移率。高纵横比（1：1000）和亲水性纳米线表面可有效捕获水分以逆转降低氧气，从而产生巨大的电位（> 0.5 V），以维持高功率。我们的研究建立了一类新的生物合成，低成本和高性能的混合导管，并确定了使用高度可调的电子和蛋白质结构来提高功率输出的关键设计原理。
TNF治疗强直性脊柱炎的患者
布拉格，捷克共和国。电子邮件：prajzlerova@revma.cz简介亚甲化脊柱炎（AS）是一种慢性炎症性疾病，主要影响轴向骨骼，通常会出现炎症性背痛（Taurog等人。2016）。炎症性背痛，脊柱的迁移率降低和Xroiliisis炎的影像学证据都是AS的修改后的纽约诊断标准的一部分（van der Linden等人1984）。 新的ASA（国际脊椎关节炎的评估）分类标准的轴向链球关炎（AXSPA）使用Sacroiliac关节的磁共振成像（MRI）来检测患有疾病非降射阶段的患者的脊柱炎症，并启用了早期诊断（Rudwaleit等人（Rudwaleit等）（Rudwaleit等） 2009）。 最广泛使用的工具，用于测量AS患者的疾病活性，从患者的角度来看反映疾病活动的BASDAI（沐浴性脊柱炎疾病活性指数）（Garrett等人 1994）。 后来，开发了疾病活性评估的ASDA（强直性脊柱炎活性评分）（Lukas等人 2009）。 这包括C反应蛋白（CRP）或红细胞沉降率（ESR）作为疾病活动的实验室标记。 脊柱迁移率的恶化受到早期疾病和结构性的炎症的影响1984）。新的ASA（国际脊椎关节炎的评估）分类标准的轴向链球关炎（AXSPA）使用Sacroiliac关节的磁共振成像（MRI）来检测患有疾病非降射阶段的患者的脊柱炎症，并启用了早期诊断（Rudwaleit等人（Rudwaleit等）（Rudwaleit等）2009）。 最广泛使用的工具，用于测量AS患者的疾病活性，从患者的角度来看反映疾病活动的BASDAI（沐浴性脊柱炎疾病活性指数）（Garrett等人 1994）。 后来，开发了疾病活性评估的ASDA（强直性脊柱炎活性评分）（Lukas等人 2009）。 这包括C反应蛋白（CRP）或红细胞沉降率（ESR）作为疾病活动的实验室标记。 脊柱迁移率的恶化受到早期疾病和结构性的炎症的影响2009）。最广泛使用的工具，用于测量AS患者的疾病活性，从患者的角度来看反映疾病活动的BASDAI（沐浴性脊柱炎疾病活性指数）（Garrett等人1994）。后来，开发了疾病活性评估的ASDA（强直性脊柱炎活性评分）（Lukas等人2009）。 这包括C反应蛋白（CRP）或红细胞沉降率（ESR）作为疾病活动的实验室标记。 脊柱迁移率的恶化受到早期疾病和结构性的炎症的影响2009）。这包括C反应蛋白（CRP）或红细胞沉降率（ESR）作为疾病活动的实验室标记。脊柱迁移率的恶化受到早期疾病和结构性的炎症的影响
硫族化物钙钛矿 YScS3 作为潜在的 p 型...
摘要：透明导电材料 (TCM) 已广泛应用于触摸屏、平板显示器和薄膜太阳能电池等光电应用。TCM 的这些应用目前以 n 型掺杂氧化物为主。由于空穴迁移率低或 p 型掺杂瓶颈，高性能 p 型 TCM 仍然缺乏，这阻碍了高效的器件设计和透明电子等新应用。在这里，基于第一性原理计算，我们提出硫族化物钙钛矿 YScS 3 作为一种有前途的 p 型 TCM。根据我们的计算，它的光吸收起始点高于 3 eV，这使得它对可见光透明。它的空穴电导率有效质量为 0.48 m 0 ，是 p 型 TCM 中最小的之一，表明空穴迁移率增强。它可以通过阳离子位点上的 II 族元素掺杂为 p 型，所有这些都会产生浅受体。结合这些特性，YScS 3 有望提高 p 型 TCM 相对于 n 型 TCM 的性能。
高弹性N型钼二硫化物晶体管中的分数量子厅
基于半导体过渡金属二分法的晶体管可以提供高载体的迁移率，强旋转 - 轨道耦合以及在量子接地状态下固有强的电子相互作用。这使它们非常适合在低温下用于纳米电子产品。然而，在低温温度下与过渡金属二甲基化金属层建立强大的欧姆接触非常困难。因此，无法达到费米水平靠近带边缘的量子极限，从而探测了分数填充的Landau级级别中的电子相关性。在这里我们表明，使用窗户接触技术可以在从Millikelvins到300 K的温度范围内创建与N型钼二硫化物的欧姆接触。我们观察到超过100,000 cm 2 v -1 s -1的场效应，在低温下的传导带中，超过3,000 cm 2 v -1 s -1的量子迁移率超过3,000 cm 2 v -1 s -1。我们还报告了在最低的双层钼二硫化物中，填充4/5和2/5的分数量子厅状态的证据。
在纳秒激光退火的SI 1 – X GE x /si Epilayers < /div>中研究重结晶和应力松弛
Sige合金数十年来引起了很多兴趣，尤其是在微电子行业中。如今，它们已在许多设备中使用。的确，由于GE [1]中的较高的孔迁移率和相对较小的晶格参数差异，因此它们与硅设备的兼容性使得能够设计出诸如应变，载流子迁移率和带盖之类的特性。一个人可以使用sige：b源和排水量来压缩PMOS通道，从而改善其电气性能[2]。但是，设备的连续微型化需要形成越来越浅的源/排水（S/d）连接，但具有高掺杂剂激活。因此，退火过程时间尺度变短且较短[3,4]。纳秒激光退火（NLA）可以达到SI [5-7]或GE [8,9]中的较高掺杂剂的激活。紫外线NLA（UV-NLA）也可以用于3D整合，因为其短脉冲持续时间及其短波长导致表面附近的高退化温度，同时将嵌入式层保持在较低的温度下[10-13]。
InGaAs-SOI 界面缺陷的可靠性调查...
这项工作研究了铟镓砷 (InGaAs) SOI-FinFET 中界面缺陷在高性能应用中的可靠性。In 0.53 Ga 0.47 As 是一种很有前途的下一代晶体管材料，因为它具有高电子迁移率，这对于高速和高频应用至关重要。然而，界面陷阱电荷 (ITC) 的存在会严重影响器件的性能和可靠性。我们全面分析了 InGaAs SOI-FinFET 中的 ITC，研究了它们对线性性能参数（如 VIP2、VIP3、IIP3、IMD3、HD2 和 HD3）的影响。所有结果表明，优化界面质量对于提高 InGaAs SOI-FinFET 的可靠性和性能至关重要。这项工作为缺陷机制提供了宝贵的见解，并为改进制造工艺以实现更可靠的高性能 InGaAs-SOI-FinFET 提供了指导。因此，基于 InGaAs 的 FinFET 是最适合下一代使用的高性能半导体器件。 InGaAs 具有优异的电子迁移率和高饱和速度，为高频和高速应用提供了显著的优势，使其成为硅的理想替代品。