1. 充电过程 IU5365E 采用完整的涓流充电、恒流充电、过充电、浮充 电四个过程进行充电。当电池电压小于涓流点时,系统以 I *20% 充电电流充电;当电池的电压大于涓流点时,系 C C 统以 I 充电电流充电;当电池电压达到所设定的过充电电 CC 压值 , 充电电流逐渐减小,当电流减小到所设定的过充电 结束电流值时,过充电结束,系统进入到浮充电过程 , 浮 充电电压为过充电电压V 的 90% 。 OC 浮充电模式的存在可以弥补由于电池自放电或者负载耗电 所导致的电池能量损失。在浮充电状态,如果输入电源和 电池仍然连接在充电器上,电池电压仍然逐渐下降到所设 置的过充电电压V 的 85% 时,系统会重新恢复充电状态。 OC
执行的测试(测试名称和测试条款): 7.2.1 外部短路测试(电池或电池块) 7.2.2 冲击测试(电池或电池块) 7.2.3 跌落测试(电池或电池块和电池系统) 7.2.4 热滥用测试(电池或电池块) 7.2.5 过充电测试(电池或电池块) 7.2.6 强制放电测试(电池或电池块) 7.3.2 内部短路测试(电池) 8.2.2 过充电电压控制(电池系统) 8.2.3 过充电电流控制(电池系统) 8.2.4 过热控制(电池系统)
• 设计一个电池,在以 C/10 速率放电时,寿命结束时比能量≥300 Wh/kg • 在 90% 放电深度和 C/2 速率下循环寿命≥200 次 • 在 NASA 指定的温度 20°C 下保持比能量和循环寿命 • 通过热箱测试(暴露在 110°C 下 30 分钟) • 通过过度放电测试(以 1C 速率放电 150%) • 通过短路测试 • 通过过充电测试(C/5 速率持续 5 小时) • 初步设计电池组以满足 NASA 的项目结束要求
在第一种情况下,使用“理想自举”电路,其中 VCC 由零欧姆电源驱动,理想二极管为 VB 供电。下冲现在与 Vcc 相加,导致自举电容器过充电,如图 2 所示。举例来说,如果 VCC =15V,则超过 10V 的 VS 下冲会迫使浮动电源超过 25V,从而有二极管 D1 击穿和随后闩锁的风险。现在假设自举电源被图 3 中的理想浮动电源取代,这样 VBS 在任何情况下都是固定的。请注意,使用低阻抗辅助电源代替自举电路可以解决这种情况。
本 IC 是锂离子 / 锂聚合物充电电池的高端保护 IC,包含高精度电压检测电路、延迟电路和三重升压充电泵,用于驱动外部充电 / 放电 FET。适用于保护 1 节锂离子 / 锂聚合物充电电池组免受过充电、过放电和过电流的影响。通过使用外部过电流检测电阻,本 IC 实现了高精度过电流保护,且受温度变化的影响较小。 特点 ● 高精度电压检测电路 过充电检测电压 3.500 V ~ 4.800 V (5 mV 进阶) 精度±15 mV 过充电解除电压 3.100 V ~ 4.800 V *1 精度±50 mV 过放电检测电压 2.000 V ~ 3.000 V (10 mV 进阶) 精度±50 mV 过放电解除电压 2.000 V ~ 3.400 V *2 精度±75 mV 放电过电流 1 检测电压 -3 mV ~ -100 mV (0.25 mV 进阶) 精度±1 mV 放电过电流 2 检测电压 -6 mV ~ -100 mV (0.5 mV 进阶) 精度±3 mV 负载短路检测电压 -20 mV ~ -100 mV (1 mV 进阶) 精度±5 mV 充电过电流检测电压3 mV ~ 100 mV(0.25 mV 进阶) 精度±1 mV 0 V 电池充电禁止电池电压 1.45 V ~ 2.00 V *3(50 mV 进阶) 精度±50 mV ● 过热检测功能:有、无 ● 带外置 NTC 热敏电阻的高精度温度检测电路(阻值:25°C 时 100 kΩ±1% 或 470 kΩ±1%,B 常数:±1%) 过热检测温度 +65°C ~ +85°C(5°C 进阶) 精度±3°C 过热释放温度 +55°C ~ +80°C(5°C 进阶)*4 精度±5°C ● 内置电荷泵:三重升压(调节电压 = V DD + 4.2 V) ● 检测延迟时间仅由内部电路产生(不需要外置电容器)。 ● 放电过电流控制功能 放电过电流状态的解除条件 : 断开负载、连接充电器 ● 0 V 电池充电 : 允许、禁止 ● 休眠功能 : 有、无 ● 省电功能 : 有、无 ● PS 端子内部电阻连接 通常状态下 : 上拉、下拉 省电状态下 : 上拉、下拉 ● PS 端子内部电阻值 : 1 MΩ ~ 10 MΩ (1 MΩ 进阶单位) ● PS 端子控制逻辑 : 动态 "H"、动态 "L" ● 高耐压 : VM 端子、CO 端子和 DO 端子 : 绝对最大额定值 28V ● 宽工作温度范围 : Ta = -40°C ~ +85°C ● 低消耗电流 工作时 : 6.0 µA 典型值、10 µA 最大值 (Ta = +25°C) 休眠时 : 50 nA 最大值 (Ta = +25°C) 过放电时 : 1.0 µA 最大值(Ta = +25°C) 省电时:50 nA(最大值) (Ta = +25°C) ● 无铅、Sn100%、无卤素 *5