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管道、配件和连接件
更多信息： - 准备进行轨道焊接的管道和配件（根据 Dockweiler 指南 Doc.8.3-9/7）。 - 1/8“ 管道的 Ra 值可能有所不同。 - 管道采用 90° 切口（根据 Dockweiler 指南 Doc.8.3-9/7）。 - 可根据要求提供其他指定的表面或饰面。 - 成型件冷弯区域（内、外表面）及环向焊缝表面的Ra值未定义。对于 OD < 1/4“ (6.35 毫米) 的尺寸，粗糙度未定义。 - 符合 CGA G-4.1-2018 和 ASTM G93 - A 级标准，不含油和油脂。 - 符合 Dockweiler 指南 Doc 的电解抛光工艺。 8.4-40/3.1/3.3.1 - 洁净室清洁和包装（ISO 4 级/联邦 10 级）
管材、管道、配件和连接件
附加说明： - 管和配件已准备好进行轨道焊接（根据 Dockweiler 指南 Doc. 8.3-9/7）。 - Ra 值对于 1/8" 管可能有所不同 - 管道将以方形切口供应（根据 Dockweiler 指南 Doc. 8.3-9/7）。 - 可根据要求提供其他指定表面或端部。 - 配件冷加工区域（内表面和外表面）和环向焊缝表面的 Ra 值未定义。对于尺寸 OD < 1/4" (6,35 mm)，粗糙度未定义。 - 不含油脂，符合 CGA G-4.1-2018 和 ASTM G93 - A 级。 - 电抛光程序，符合 Dockweiler 指南 Doc. 8.4-40/3.1/3.3.1 - 洁净室清洁和包装（ISO 4 级/联邦 10 级）
NB / AL-NI / NBTIN 连接件的制造...
我们讨论了超导体-绝缘体-超导体 (SIS) 结的材料加工极限，这些结的能隙足够高，可以实现 THz 异差混频器检测。这项工作的重点是器件结构，该结构具有 Nb 作为基层、由薄 Al 邻近层的等离子体氮化形成的隧道势垒以及 NbTiN 作为对电极材料。这些 SIS 结通常表现出 3.5 mV 的总间隙电压，对于电阻 - 面积乘积 RNA = 20 pm'，亚间隙与正常状态电阻比 Rsg / RN = 15。开发该工艺的目的是将结集成到混频器天线结构中，该结构将 NbTili 用作接地平面和线路层。针对 Al 层等离子体氮化期间应用的条件，解决了 RNA 产品的运行间可重复性和控制。通过控制直流浮动电位、N 2 压力和曝光时间来研究铝的射频等离子体氮化。处理在接近室温下进行，以减少变量数量。金属膜层中的应力保持在低压缩范围内。最近的接收器结果将在本次研讨会上发表的另一项工作中讨论。[1]