Martina Trahs,Larissa Melikek,Jacob F. Steinen Tammena,Nils Bogs,Nils Bagram Gamed,Kixtix Vend,Casharina Frank
因此,可以通过执行各个量子数交换的所有可能组合来获得允许的对振幅(eqs。(S2)和(S3)),填充反对称条件等式。(S1)。这样做,我们发现八个允许尊重反对称条件的对对称类别,其中4对应于奇数相关性,请参见表S1。特定相关性是超导索引(sup。索引)在扩大允许的对对称性方面起着至关重要的作用。表S1在主文本的“ jjs中的us频间振幅”部分中显示为表1。在没有任何自旋粘合字段的情况下,出现对的相关性的自旋对称性与母体超导体的自旋对称性相同。因此,在我们的研究中允许的对对称类别(不存在旋转式粘合字段)是ESEE和OSOE对对称类别:它们对应于超导体指数中的偶数(奇数频率)旋转(奇数)均匀(奇数)旋转单元(奇数),甚至对应于超导器指数。通过包括一个自旋混合字段,可以获得表S1中对应于OTEE和OTOO对对称类别的奇数自旋 - 三个三角对振幅,可以用作超导阶段高度可控制的旋转源,从而可以使超导性旋转旋转的超导量。由于我们在主文本中提出的结果中没有自旋混合字段,因此其中的对对称性表现出父母超导体的自旋对称性,即自旋单旋。这是在主文本的“ JJS中的persupconductor对振幅”部分中特别讨论的。
所研究的设备包含平面JJS,由厚度为70 nm的NB膜制成。该胶片是通过在氧化的Si晶片上在室温下在室温下溅射沉积的。首先通过光刻和活性离子蚀刻将薄膜构成约6 µm宽的桥梁,然后由Ga+聚焦离子束(FIB)FEI NOVA 200。JJS具有可变的厚度桥结构。它们是通过通过fib在NB层中切一个狭窄的凹槽而制成的。单线切割,名义宽度为零,在10 pA和30/10 kV加速电压下进行。蚀刻时间是自动限制的。“长” JJ2是使用30 kV梁制成的,其斑点尺寸约为7 nm,而“短” JJ1是用10 kV fib制成的,其斑点大小约为两倍。由于NB的重新沉积,FIB切割的深度在纵横比(深度/宽度)〜2处是自限制(请参阅参考文献中的讨论[1])。结果,JJ1既比JJ2更宽又深,如图3(a),导致临界电流的相应差异。
我们研究了通过正常超导体 (NS) 结的传输,该结由具有螺旋边缘态的量子自旋霍尔 (QSH) 系统和具有手性马约拉纳边缘模式的二维 (2D) 手性拓扑超导体 (TSC) 制成。我们采用二维扩展四带模型,用于磁场 (塞曼) 中受 s 波超导影响的 HgTe 基量子阱。我们使用 Bogoliubov-de Gennes 散射形式表明,该结构提供了 2D TSC 的显著传输信号。作为样品宽度 (或费米能量) 的函数,电导共振经历 2 e 2 / h (非平凡相) 和 4 e 2 / h 平台期 (平凡相) 的序列,随着样品宽度变大,它们落入非零陈数 (2D 极限) 的区域内。这些特征是 QSH 效应和 TSC 拓扑性质的体现。