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M200 晶圆 SMIF 盒
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边缘的晶圆和芯片级表征
n近年来，使用CMOS兼容的过程制造硅光子IC（SI PIC）已使具有光学和电函数性具有成本效益的硅芯片的开发。1 - 5）这项技术是光子学 - 电力融合的高性能平台，可在各种行业提供有希望的应用。6 - 9）为增强硅光子学的整合和功能密度，已提出异质和杂交整合方法，以将各种材料系统与单个包装中的各种材料系统相结合。10，11）但是，基于PIC的模块的总成本受到测试，组装和包装过程的影响，这可能占常规INP PIC模块的总成本的80％。12，13）仅产品测试可贡献总成本的约29％，14）对于较不发达的硅光子技术技术，该图可能会增加到约60％ - 90％。15）因此，减少测试，组装和包装成本对于降低基于SI PIC模块的整体成本至关重要。先前的研究采用了两种主要策略来降低测试成本：利用增强的测试结构，16）并增强了测试过程的自动化水平。14）在图片中，一种普遍的测试方法涉及信号通过具有不平衡分裂比的定向耦合器（例如99：1）。这种构造允许99％的信号正常通过波导，而1％的信号被击倒到测试分支。21）17）开发信号通常通过表面耦合器耦合到测试设备，从而促进了自动晶圆级测试系统用于原位和筛选测试的利用。18）然而，在组装和包装阶段，表面光栅耦合器（GCS）在带宽，极化和效率方面遇到限制。19）相比之下，利用点尺寸转换器（SSC）的边缘耦合提供了优点，例如带宽的带宽，降低极化敏感性和增强的耦合效率。20）然而，边缘耦合预先挑战，例如与SSC相关的较大足迹，固定的耦合位置，有限的对齐耐受性和耦合方面的严格规范。
使用晶圆射线示踪剂
摘要：功率转换效率（PCE）是评估太阳能电池的输出特性的主要参数。抗反射涂层（ARC）起着抑制太阳能电池表面的光损失的作用，从而增强了PCE。本文研究了晶体硅（C-SI）太阳能电池上双层抗反射涂层（DLARC）的不同材料。使用PV Lighthouse软件的晶圆射线示踪剂完成模拟硅太阳能电池的总体过程方法。检查了具有不同类型的双层的五个光捕获（LT）方案。c-Si的最大电势光电密度（J MAX）用ARC显示出比参考c-Si（无弧）的J max的改善。lt方案II：SIO 2 /TIO 2产生J Max的最大值，其中该值为42.20 mA /cm 2。这表明方案II具有最高的J MAX增强功能，值为10.01％。这一发现意味着DLARC适用于减少光损失，因此有效地提高了太阳能电池的性能。关键字：光伏，太阳能电池，抗反射涂层，光捕获，射线跟踪1。简介
半导体晶圆工艺材料
表1显示了HS-8005系列阵容。为了减少划痕，日立化学化学已经开发了各种具有优化粒径和分布的产品。使用HS-8005-X3，抛光划痕可以减少到HS-8005的1/10或更少。我们建立了生产技术，以精心控制粒度和陶瓷颗粒的分布，以提供稳定的优质产品，并拥有陶瓷泥浆市场的全球最高份额。为了满足进一步减少刮擦的要求，Hitachi Chemical以NC系列形式开发了超细颗粒，以进行下一代浆液。虽然将常规的陶瓷颗粒粉碎以进行微插曲，但NC系列颗粒的大小是通过晶体生长法的泥浆，由于大尺寸颗粒而导致的划痕最小化。图3显示了HS-NC和HS-8005的外观。HS-NC是一种超细，透明的纳米级粒子。
研究二晶的电催化活性...
pyrochlore氧化物由于其阳离子电荷和阴离子缺乏效率而被认为是各种电化学应用的活性候选物。同时，pyrochlore的阳离子取代是改善电极材料催化活性的关键参数。在此背景下，本文旨在合成二氧化甲氧化物氧化物氧化物氧化物纳米颗粒（BI 0.6 y 1.4 SN 2 O 7; byso nps），并构建抗抗毒性氯丙嗪（CHPMZ）的电化学传感器。通过共沉淀技术进行催化剂，然后进行热处理。分析方法，例如P-XRD，FT-IR，TGA和XPS，确认了Bi3þ的成功取代。通过Fe-SEM和TEM技术分析了准备的催化剂的形态，这表明纳米颗粒的大小为⁓20E 30 nm。从CV结果中，阳离子的取代增强了CHPMZ的电催化氧化，这是由于固有活性增强而具有较大大小阳离子的替代性和pyrochlore结构的阴离子缺乏效率。此外，计算出BYSO/SPCE上CHPMZ的异质速率常数为4.49 10 3 cm/s，这表明BYSO/SPCE上CHPMZ的氧化是准可逆的。用BYSO NPS修饰的电极显示较宽的线性范围（0.01 E 58.41 m m，78.41 E 1158 m m），高灵敏度（1.03 m A/ m m/ cm/ cm 2），低检测极限为3 nm。修改的电极显示出良好的选择性，可重复性和良好的稳定性，可检测CHPMZ。©2022 Elsevier Ltd.保留所有权利。此外，构造的传感器在人类血清和尿液样品中恢复良好的实践分析中显示出令人鼓舞的结果。
(按物品) 书柜式高柜台及其他 3 件物品
如您希望以同等产品进行投标，则必须在11月21日（星期四）中午之前提交《同等产品确定申请表》，并提前确认您的投标是否被接受（批准）。 合同条款依照日本陆上自卫队物资购销标准合同为准。 中标人确定方式：在我单位确定的评估价格范围内，按单项总金额，以最低投标价格中标。如果有两名或两名以上最低投标人有资格中标，则通过抽签方式确定中标人。 (f) 合同的成立：合同或其他文件成立是指双方当事人签署、盖章后形成的合同或其他文件。其他情况，应当在中标时作出决定。 其他：参照《招标投标及合同指南》。 （3）无效投标 a） 不具备参加竞争所需资格的人员进行的投标或违反投标条件的投标； b） 违反“投标和签约指南”的投标； c） 投标金额、投标人名称和投标人印章难以区分的投标； d） 投标人的排除有组织犯罪的承诺是虚假的，或者违反了承诺； e） 投标迟于投标日期和时间提交，或者投标文件以邮寄等方式提交并在交付期限之后到达； f） 通过电报、电话或传真提交的投标 （4）合同等。如果中标金额加上消费税金额为 150 万日元或以上，则将准备这些。但是，金额在50万日元以上150万日元以下时，将开具发票，金额不足50万日元时，则无需开具发票。 （5）其他 a.如您希望参加投标，您必须提前通过传真或其他方式提交2022至2024财年资格审查结果通知副本，或者，如果您目前正在申请资格，则必须提交一份表明您已经申请的文件。 （一）委托代理投标的，应当在投标开始前提交委托代理委托书。 C)投标文件中必须注明不含税金额。 E. 允许通过邮寄等方式进行投标。但是，申请书必须于 2024 年 11 月 26 日星期二下午 5 点之前送达日本陆上自卫队航空学校宇都宫校会计部。 若省略印章，须填写负责人及承办人的姓名及联系方式。 （c）如初次投标已有邮寄投标人，则重新投标的时间安排如下： 日期和时间：2024 年 12 月 2 日星期一，下午 1:30 宇都宫校园总部大楼 2 楼投标室 如果您通过邮寄方式参与重新投标，您的申请必须在 2024 年 12 月 2 日星期一凌晨 12:00 之前到达日本陆上自卫队宇都宫校园航空学校会计部。 进货检验应当在检验人员指定的地点进行。 （k）如果在验收前需要任何设备进行交付和运输，则费用应由承包商承担。 （6）咨询处 〒321-0106 栃木县宇都宫市上横田町1360 有关投标、合同事宜，请联系航空学校宇都宫校区会计科。 电话：028-658-2151（内线535） 负责人：四本田 有关采购事项，请联系总务科供应组（内线274） 负责人：冈本 （7）发布地点 A. 航空学校宇都宫校区会计科公告栏 B. 北宇都宫营地网站 → 采购信息（URL：https://www.mod.go.jp/gsdf/kitautunomiya/index.html） C. 陆上自卫队采购信息 →“直接单位合同信息”航空学校宇都宫校区（URL：https://www.mod.go.jp/gsdf/chotatsu/index.html）
全球3X 3D基金（1年财务报表类型）
（注意）相关属性分类以阴影形式显示。 ◇资产合并资产分配固定类型（其他资产（股票，房地产投资信托，其他资产，其他资产，股票价格指数指数期货交易，政府债券期货交易）））））该基金通过股票投资贸易股票或投资信托提供了固定的股票股票信托，对股票投资贸易库或固定股票的投资信托公司“固定股票交易”。投资并固定了固定的比率。 ETC。”。 ◇没有外汇套期保值是指招股说明书或投资信托协议，该协议指出外汇将不会受到套期保值，否则将对外汇进行对冲。 *属性类别中列出的“交换对冲”表明是否有对日元交换风险的风险。
第25 届电子封装技术国际会议
车博士曾 4 次获得最佳国际会议论文奖 (EPTC2003 、 EPTC2013 、 Itherm2006 、 ICEPT2006) 。 他合着了一本书，并在先进微电子封装领域的同行期刊和会议论文集上发表了 170 多篇技术论文。他拥有 11 项 已获授权或正在申请的美国专利。 他的研究兴趣包括先进封装的可靠性设计、铜线键合、硅通孔 (TSV) 技术、扇出型晶圆级 / 皮肤级封装、有限元 建模与仿真、微电子封装材料特性、物理驱动和数据驱动的机器学习方法，用于先进封装技术的快速技术风险评 估。 车博士担任 35 多个国际科学期刊的同行评审员，例如 J. of Materials Science 、 J. of Electronic Materials 、 J.Materials and Design 、 Materials characterization 、 Microelectronics Reliability 、 IEEE Trans.on CPMT 、 IEEE Trans.on DMR 、 International J. of Fatigue 、 J. of Alloys and Compounds 、 J. of Micromechanics and Microengineering 等。 车博士连续四年（ 2020 年至 2023 年）被斯坦福大学评为全球前 2% 科学家。 他是 IEEE 高级会员。