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在离子植入和NS脉冲激光退火时激活硅在硅中的发射器
光学主动电信发射器的最新演示表明，硅是固态量子光子平台的引人注目的候选者。尤其是，在常规的热退火后，已在富含碳的硅中显示了称为G中心的缺陷的制造。然而，这些发射器在晶圆尺度上的高收益受控制造仍然需要鉴定合适的热力学途径，从而在离子植入后激活其激活。在这里，我们证明了纳秒脉冲激光退火时高纯硅底物中G中心的激活。该提出的方法通过供应短的非平稳脉冲来实现G中心的非侵入性，局部激活，从而克服了与发射器的结构性亚元能力相关的常规快速热退火的局限性。有限元的分析突出了该技术的强大非平稳性，提供了与常规更长的热处理相对于常规的较长热处理的根本不同的缺陷工程能力，为嵌入在集成光子电路和波导的集成光子电路和波导中的发射器的直接和受控制造铺平了道路。
科学中国各向异性运输特性和...
电子相关性通常会诞生量子材料中的各种订单。最近，发现有密切相关的kagome抗磁铁FEGE是在A型抗磁磁性状态内经历电荷密度波转变，从而提供了探索电荷顺序和磁性之间相互作用的机会。在这里，我们报道了在退火的Fege晶体中观察到各向异性电阻率和霍尔效应以及拓扑结构的影响。当电流沿着AB平面流动时，ρAB的温度依赖性表现出与T CDW处的一阶转变相关的独特电阻率环。所施加的磁场不会改变t CDW，但可以在H SF处诱导自旋流过渡。因此，在cant下方的倾斜的抗铁磁（CAFM）状态中观察到了场诱导的大拓扑厅的效应，这可能归因于自旋流动过程中的非平凡自旋质地。虽然由于电流平行于C轴，因此ρc和χC中的场诱导的跃迁都消失了。相反，退火fege中的大厅电阻率显着表现出与线性领域依赖性的偏差。这些发现为揭示Kagome磁铁中磁性，电荷顺序和拓扑之间的相互作用提供了宝贵的见解。
在量子退火器上解决复杂的特征值问题，并应用于量子散射共振
受欢迎程度，因为它可以完全控制量子和计算本身。在文献中，变异量子本质量器（VQE）9–11是基于门的量子计算机实现的最流行算法之一。该求解器成功地用于计算分子的电子基态能，这是计算化学中最重要的基本问题之一。绝热量子退火是另一种可能不流行的量子计算模型。在此模型中，该计算基于将初始（易于培训）的哈密顿量转换为最终（目标）哈密顿量的慢速转换。最初的汉密尔顿人绝热的基态成为最终哈密顿的基态。在实践中，必须将给定的问题提出为ISIN问题或等效的二次不受约束的二进制优化（QUBO）问题。具体来说，QUBO求解器找到了QUBO函数X t Qx的最小值（称为目标函数），其中Q是描述问题的矩阵，而X是二进制字符串（ZEROS和ONE）。最小值，最佳解决方案字符串x = x opt。如果可以将问题转换为QUBO问题，则可以在退火器上求解，否则无法在该类型的量子设备上解决。这大大降低了量子退火的适用性，因为并非每个问题都是可转换的。与基于门的量子计算机相比，
核酸研究
8％聚丙烯酰胺凝胶。cDNA（-0.5 tg）范围为550至1500个碱基对，通过电装饰回收。使用末端脱氧核苷酸转移酶（20）与脱氧残基一起扩展了20 ng等分试样，并用PST I裂解并用Deoxyg残基尾巴（20）将PBR322的100 ng退火100 ng。通过公开的程序（23），使用退火的混合物用于转化大肠杆菌K-12菌株294（22）。制备诱导和未诱导的32P-CDNA探针。5 Zg的12S mRNA与2个寡核酸（DT）12-18（协作研究）或每个合成引物池（FIB 1至FIB 6）的2 Ig合并，在10mm Tris-HCl（pH 8），1 mm EDTA中。将混合物煮沸3分钟，然后在冰上淬火。60 ul of 40 mM Tris-HCl (pH 8.3), 40 mM KCl, 16mM MgCl2, 60 mM o-mercaptoethanol, 1 mM dATP, dGTP, dTTP and 5 x 10 7M (Q-32P) dCTP (Amersham, 2,000 - 3,000 Ci/mmole) was added to each template-primer mix at OC.在添加100个AMV逆转录酶后，将反应在42％C下孵育30分钟，并通过超过10 ml Sephadex G-50列的通道纯化。产品用
![arxiv：2502.08616v1 [physics.optics] 2025年2月12日](/simg/8\8f951540de4e0c49f787cb4d6e0dc9301842f228.webp)
arxiv：2502.08616v1 [physics.optics] 2025年2月12日
表面效应可以显着影响纳米光子和量子光子设备的性能，尤其是随着设备尺寸的降低。在这项工作中，我们提出并研究了一种新型的表面钝化方法，以减轻由III-AS（P）量子孔（由干燥蚀刻过程定义的IIII-AS（P）量子孔）中的这些挑战。纳米结构在金属有机蒸气相外部室内的磷酸（pH 3）环境下退火，以消除在干燥蚀刻和随后的蚀刻侧壁氧化过程中诱导的表面和地下缺陷。用更宽的带隙材料封装活性材料可以维护设备的带结构，从而减轻带弯曲的效果。我们的发现显示，pH 3退火的表面重组速度从2×10 3 cm / s的表面重组速度几乎降低。5×10 4 cm / s，用于基于（NH 4）2 s湿处理的标准方法的5×10 3 cm / s，然后是Al 2 O 3封装。为INP重建样品实现了进一步的减少至5×10 2 cm / s。另外，我们开发了一个模型，该模型占时间分析的光致发光曲线分析中的影响，并证明所提出的钝化方法有效地降低了所研究的量子良好光光子纳米结构的侧壁上的表面电荷密度。
精确控制ZnO纳米颗粒中表面氧空位的精确控制，用于极高的丙酮传感响应
摘要：ZnO由于其高灵敏度和快速响应而对化学传感器进行了深入研究。在这里，我们提出了一种简单的方法，可以精确控制氧气空位含量，以提供商业ZnO纳米植物的丙酮感应性能的显着增强。H 2 O 2处理和热退火的组合可在ZnO纳米颗粒（NPS）上产生最佳的表面缺陷。在400的最佳工作温度下，在0.125 m H 2 O 2中，在0.125 m H 2 O 2中获得了〜27,562的最高响应，在400的最佳工作温度下，基于金属氧化物半管子（MOSS）的各种丙酮传感器中，在各种丙酮传感器中，该ZnO NP的最高响应。此外，第一原理的计算表明，在H 2 O 2处理的ZnO NP的表面上形成的预称o可以提供有利的吸附能，尤其是对于丙酮检测，由于丙酮分子和Zno表面的丙酮和预测o之间的carbonyl C原子之间的强烈双态粘结。我们的研究表明，通过H 2 O 2处理控制表面氧空位并在最佳温度下重新拨动是一种有效的方法，可以提高商业MOS材料的感应特性。关键字：气体传感器；丙酮;金属氧化物半导体（MOSS）； ZnO纳米颗粒（NPS）; H 2 O 2
光热表征硅基退火薄金膜的热扩散率、载流子扩散和复合特性
CK Sheng*、MGM Sabri、MF Hassan、EAGE Ali 马来西亚登嘉楼大学科学与海洋环境学院，21030 瓜拉尼鲁斯，登嘉楼，马来西亚 这项工作首次实施了基于光声 (PA) 技术的光热波表征，以研究在不同温度下退火的 Si 晶片 (Au/Si) 上沉积的金薄膜层的热特性和载流子传输特性。XRD 图案表明，在退火温度为 330 o C 时追踪到了 Au81Si19 相的亚稳态金 (Au) 硅化物，当温度进一步升高到 370 o C 时，该结构消失。结果表明，获得 Au/Si 结构的 PA 信号低于纯 Si 晶片。通过拟合 PA 信号相位关系阐明了 Si 和 Au/Si 的热特性和载流子传输特性。结果表明，随着退火温度的升高，Au/Si 的热扩散率和表面复合速度增加，复合寿命缩短。然而，当温度接近 370 o C 时，表面复合和热传输过程减弱，这可能是由于硅化物团簇的断裂造成的。（2021 年 7 月 20 日收到；2021 年 10 月 29 日接受）关键词：金硅化物，热退火，光声，热扩散率，复合
退相干作为量子信息的资源
量子信息领域发展迅速，因为它有望解决各种传统计算机无法解决的计算问题。然而，构建一台功能齐全的量子计算机是一项艰巨的任务，因为它的性能受到不可避免的退相干的影响。退相干消除了物质的量子性质，从而消除了量子计算相对于传统计算的优势。然而，对于特定的应用，一些精心设计的退相干有助于幺正量子演化，可能会大有裨益。在本文中，我讨论了两个这样的例子：量子随机游动 (QSW) 和混合量子经典退火 (HQCA)。QSW 将幺正量子游动的概念推广到额外的非幺正演化。这产生了定向游动。QSW 可以是连续时间的，也可以是离散时间的。在这项工作的第一部分，我提出了两种算法，用于在相干量子计算机上模拟特定的 QSW。第一种适用于连续时间 QSW，第二种适用于离散时间 QSW。在这项工作的第二部分，我提出了一种称为混合量子经典退火的方法来提高绝热量子计算 (AQC) 的性能，该方法应该找到某个目标汉密尔顿量的基态。HQCA 应该通过将量子比特系统耦合到工程热浴来增加最终基态概率。对单个量子比特和两个量子比特的 HQCA 性能进行了数值测试。
无定形硅的亚稳定性问题
无定形硅及其合金，由于其物质及其生产性，在近年来引起了迅速增长的兴趣。非晶技术比晶体技术的主要优势大大降低了成本，以至于某些消费者应用，例如太阳能电池，薄纤维晶体管等。太阳能电池在电信中涉及远离电网的基站电力电力。然而，基于A-SI的设备的表现受光，高能量颗粒，载体注入，载体在A-SI相互之间的堆积和热淬灭[1]引起的可逆，亚稳态变化的限制[1]。所有这些效应都是通过退火到高度高温而可逆的，并且所有这些效应都被相同的降解机制引起[2]。由于在A-Si：H中发现了亚稳态效应，因此有强有力的间接证据表明氢和掺杂剂的作用仍然缺乏完全的证明。证据主要源于在与亚竞争效应相同的温度下观察到的氢运动。缺陷退火的活化能与氢二氮的活化能相当。此外，掺杂趋势是相同的 - 掺杂剂会导致较大的水力差异系数也导致了更快的缺陷弛豫。另一方面，氢通过削减由粘结障碍引起的大量悬挂键缺损而使掺杂成为可能。亚稳态变化的种类和大小取决于氢和掺杂剂这种磷或硼。这些效果取决于在掺杂的氢化无定形硅中，存在两个不同现象的共膜质：悬挂键密度的可逆增加和掺杂效应的可逆增加。
核研究所。和物理研究的方法，粒子... 设计和添加剂制造用于储能应用的优化电极 二极管TM的高能操作：YLF激光 运输和电力系统通过电动汽车充电-A服务的整合：对技术经济和社会福利的评论 使用热量和功率组合的可再生能源系统优化设计和调度 脉冲激光诱导的硅原子层 其他人工智能硬件问题 观察√snn中的Hypernuclei 3_H和4_H的有向流= 3 量子退火时间的下限 对盐水合的实验筛选用于建筑物的热化学能量存储 b''
模式识别算法通常用于简化亚原子物理实验中轨道重建的挑战性和必要步骤。在歧视相关相互作用的帮助下，模式识别旨在通过隔离感兴趣的信号来加速轨道重建。在高碰撞率实验中，这种算法对于确定是否保留或从给定相互作用中保留或丢弃信息至关重要，甚至在数据传输到磁带之前。随着数据速率，检测器的解决，噪声和效率低下的增加，模式识别在计算上变得更具挑战性，激发了更高效率算法和技术的发展。量子关联记忆是一种方法，旨在利用量子机械现象以获得学习能力的优势，或者可以存储和准确召回的模式数量。在这里，我们研究基于量子退火的量子关联记忆，并将其应用于粒子轨道分类。我们专注于基于量子关联记忆模型（QAMM）召回和量子内容 - 可调地理内存（QCAM）召回的歧视模型。我们使用D-Wave 2000Q处理器作为测试台将这些方法的分类性能表征为函数检测器分辨率，模式库的大小和效率低下。使用溶液状态能量和分类标签嵌入了溶液状态中的歧视标准。我们发现，基于能量的QAMM分类在较小的模式密度和低探测器效率低下的状态下表现良好。相比之下，基于州的QCAM可实现相当高的准确性回忆，以实现大模式密度和对各种检测器噪声源的最大回忆精度的鲁棒性。