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MME4480A — 高级 CAE：逆向工程课程...
• 了解在物理对象逆向工程背景下数据采集的基本原理。（KB3、ET2、ET3） • 比较和利用不同数据采集技术的功能来生成物理对象的数字模型。（D3、D4、LL2） • 了解不同类型的 CAD 数据格式之间的结构差异。（KB4、ET1、ET2） • 选择并使用适当的格式进行 CAD 数据交换操作。（ET1、ET2、LL2） • 了解内部 CAD 表示的理论基础。（KB1、KB4） • 开发对自由曲面/复杂曲面/雕塑曲面进行操作和建模的策略和技能。（ET1、ET2） • 选择并实施 3D 扫描模型的增材制造工艺。（ET2、D3、D4） 授课时间 每周 3 个讲座小时、2 个实验室/辅导小时，半个课程
视觉科学数字孪生研究年度回顾，用于逆向工程视觉智能的起源
大脑中的核心学习算法是什么？本土主义者认为，智力源自先天的领域特定知识系统，而经验主义者认为，智力源自从经验中学习领域特定知识的领域通用系统。我们通过回顾旨在逆向工程新生儿大脑学习算法的数字孪生研究来解决这一争论。在数字孪生研究中，新生动物和人工智能体在相同的环境中长大，并用相同的任务进行测试，从而可以直接比较它们的学习能力。支持经验主义的数字孪生研究表明，领域通用算法在以新生动物的第一人称视觉体验进行训练时，会学习类似动物的物体感知。支持本土主义的数字孪生研究表明，领域通用算法在以产前经验（视网膜波）进行训练时会产生先天的领域特定知识。我们认为，人类、动物和机器之间的学习可以用一个普遍的原则来解释，我们称之为时空拟合。时空拟合解释了经验主义和本土主义现象，为理解智力的起源提供了一个统一的框架。
以金属有机骨架为填充物的逆向混合键合
图 29 (a) 每个 I/O 电阻测量的开尔文结构；(b) 键合铜柱的 SEM 横截面 ......................................................................................................... 44 图 30 带 Ru 封盖的 Cu-Cu 键合测试台 ............................................................................. 45 图 31 铜上钌的沉积过程 ............................................................................................. 45 图 32 30 分钟 FGA（合成气体退火）退火后表面 Cu 和 Ru 的百分比 [98] ............................................................................................................. 46 图 33 450°C FGA 退火后，带有针孔的 Ru 表面上的扩散 Cu ............................................................................. 47 图 34 用于研究填充的测试台制造流程 ......................................................................................... 49 (b) 使用 Keyence 7000 显微镜对集成结构进行的顶视图，描绘了顶部芯片上的通孔密度 ............................................................................................................................. 50 图 36 (a) 200 次循环氧化铝 ALD 后扫描 EDX 映射区域的 SEM 图像；(b) 集成结构的顶视图，突出显示了填充覆盖研究区域；(c) EDX 映射结果描绘了铝和氧 pe 的区域 ............................................................................................................................. 51 图 37 200 次循环氧化铝 ALD 后脱粘底部芯片的 FIB 横截面描绘 ............................................................................................................................. 52 图 38 (a) 200 次循环真空清除 ALD 后 EDX 研究的不同区域 - 底部芯片正下方通孔区域（区域 A）、距最近通孔 300 µm 的区域（区域 B）、靠近边缘的区域（区域 C）； (b) 三个 r 中的 Al/Si 比率 ...................................................................................................................................... 52 图 39 (a) 集成结构的对角线切割；(b) 描绘平滑填充区域和无填充的受损区域后集成结构横截面的近视图；(c) 描绘填充高达 300 µm 的横截面的未放大图像 ............................................................................................. 54 图 40 (a) ZIF-8 MOF 化学和结构；(b) 示意图表示 ALD ZnO 和转化为气相沉积 MOF，体积膨胀和间隙填充约为 10-15 倍。 ........................................................................................................................................... 56 图 41 在完全填充芯片到基板间隙后，距离最近通孔 300 µm 的集成结构横截面的 EDX 映射.............................................................................57 图 42 横截面的 SEM 图像显示抛光模具未渗透到通孔和芯片与基板的间隙中，从而使上述结果可信 ............................................................................................. 58 图 43 (a) 测试台示意图，顶部芯片具有通孔 Cu-Cu 键合到底部基板；(b) Cu-Cu 键合测试结构的 SEM 横截面（面 A）；(c) 键合前顶部芯片表面的铜垫/柱（面 B）；(d) 键合前底部芯片表面的带有金属走线的铜柱（面 C） ............................................................................................................................. 59 图 44 20 nm ZnO ALD 后脱键合的底部芯片概览；(b) 通孔下方未沉积填充的区域 ............................................................................................................. 60 图 45 顶部芯片靠近通孔的区域，显示扩散半径为 (a) 572 µm，通孔直径为 240 µm； (b) 75 µm 直径通孔的 364 µm .............................................................. 61 图 46 20 nm ZnO ALD 后的脱粘底部芯片概览，a) 脉冲时间 250 ms 和温度 150°C；(b) 脉冲时间 1 秒和温度 150°C ................................................................................ 62 图 47 反向混合键合的工艺顺序 ............................................................................................. 63 图 48 (a) 1 个 MOF 循环后脱粘底部芯片的概览；(b) 在底部芯片中间观察到的 MOF 晶粒表明已完全渗透............................................................................................................. 64 图 49 靠近底部基板中心的 FIB 横截面，如预期的那样，显示了 500 nm MOF ............................................................................................................................................. 65 图 50 (a) 5 个 MOF 填充循环后脱粘底部芯片的概览；(b)62 图 47 反向混合键合的工艺顺序 .......................................................................................... 63 图 48 (a) 经过 1 个 MOF 循环后，脱键合底部芯片的概览；(b) 在底部芯片中间观察到的 MOF 晶粒表示完全渗透............................................................................. 64 图 49 靠近底部基板中心的 FIB 横截面，如预期的那样显示了 500 nm MOF ............................................................................................................................. 65 图 50 (a) 经过 5 个 MOF 填充循环后，脱键合底部芯片的概览；(b)62 图 47 反向混合键合的工艺顺序 .......................................................................................... 63 图 48 (a) 经过 1 个 MOF 循环后，脱键合底部芯片的概览；(b) 在底部芯片中间观察到的 MOF 晶粒表示完全渗透............................................................................. 64 图 49 靠近底部基板中心的 FIB 横截面，如预期的那样显示了 500 nm MOF ............................................................................................................................. 65 图 50 (a) 经过 5 个 MOF 填充循环后，脱键合底部芯片的概览；(b)
回顾逆向物流实践及其对供应链可持续性的影响
近年来，在可持续性、法规遵从性和经济效率的推动下，逆向物流已成为供应链管理中的关键。本评论探讨了逆向物流实践，即通过退货管理、再制造、翻新和回收等活动将货物从目的地运回供应链以重新获得价值或进行适当处置。有效的逆向物流可以通过从退货产品中回收价值、减少浪费和优化资源利用来节省大量成本，从而提高运营效率并减轻环境影响。本评论强调了环境效益，说明了这些实践如何帮助公司减少碳足迹、降低原材料需求并将垃圾从垃圾填埋场转移。现实世界的例子突出了成功的实施和积极的环境成果。从经济角度来看，逆向物流使公司能够从退货产品中提取大量价值，降低生产成本并满足消费者对可持续产品的需求。从社会角度来看，逆向物流促进了回收、翻新和再制造领域的就业创造，促进了经济增长和社区发展。尽管存在物流复杂性和设置成本等挑战，但该报告提供了通过战略规划、技术集成和与第三方物流供应商合作克服这些障碍的见解。报告强调了技术（包括物联网设备、大数据分析和区块链）的作用，因为它们有潜力简化运营、改善跟踪和透明度并增强决策能力。通过采用综合方法，企业可以实现显著的环境、经济和社会效益，为更广泛的可持续发展目标做出贡献，并建立具有弹性、面向未来的供应链。
具有简便制造参数的逆向设计超表面
摘要 光学超表面是平面纳米结构器件，具有工业吸引力，部分原因是它们利用高通量微电子制造技术来实现。因此，开发能够平衡高效波前响应实现和器件可制造性的设计范例至关重要。我们引入了一种基于梯度的自由曲面超表面设计框架，其中纳米级元素明确限制为基本形状、几乎均匀的特征尺寸和极低的纵横比。尽管超表面几何特征看似均匀，但这些器件能够利用非局部近场光耦合实现超越传统设计方法的高效和极端波前散射。利用这种方法，我们设计了简单的高数值孔径器件，例如能够实现衍射极限聚焦的光束偏转器和大面积超透镜。我们预计这些概念可以促进超表面的设计和集成到单片光学系统中。
您所需要的只是无序数据：用于广谱头部障碍检测的逆向监督学习
保留所有权利。未经许可不得重复使用。 （未经同行评审认证）是作者/资助者，他已授予 medRxiv 永久展示预印本的许可。此预印本的版权所有者此版本于 2024 年 3 月 3 日发布。；https://doi.org/10.1101/2023.10.10.23296794 doi：medRxiv 预印本
机器上欺骗的逆向工程
这项工作对对抗机器学习领域中欺骗的反向工程（红色）进行了全面探索。它深入研究了机器和以人为中心的攻击的复杂性，从而使人们对如何对对抗性策略进行了整体理解，以保护AI系统。对于以机器为中心的攻击，我们涵盖了用于像素级扰动，对抗显着性图和受害者模型信息的反向工程方法。在以人为中心的域名的领域中，重点转移到生成的图像中的生成模型信息和操纵定位。通过这项工作，我们就与红色相关的挑战和机遇提供了前瞻性的看法。此外，我们在AI安全和值得信赖的计算机愿景领域提供了基础和实用的见解。
L2O-ILT：学习优化逆向光刻技术
一、引言 随着技术节点的不断缩小，邻近效应和光学衍射变得不可忽略，严重影响集成电路的成品率。分辨率增强技术（RET）是为了减少光刻过程中的印刷误差而开发的。光学邻近校正（OPC）是广泛使用的RET之一，通过校正掩模版图案形状和插入辅助特征来补偿光刻邻近效应。典型的OPC方法包括基于模型的方法[1]、[2]、[3]和基于逆光刻技术（ILT）的方法[4]、[5]、[6]、[7]、[8]、[9]。对于基于模型的 OPC，首先将掩模中的多边形边缘划分为段，然后在光刻模拟模型的指导下移动这些边缘。基于 ILT 的方法将掩模表示为逐像素函数 [4] 、 [5] 、 [6] 、 [7] 、 [10] 或水平集函数 [8] 、 [9] 、 [11] 、 [12] 。然后，将 OPC 过程建模为逆问题，可以通过优化