疫苗犹豫不决,个人选择不接受疫苗接种,一直是公共卫生中的长期问题。在19日大流行期间,这些因素意味着疫苗的采用尚未在许多人群中产生持久的牛群免疫。这导致了激励措施刺激采用的激励措施,教育运动以提供有关疫苗安全的信息并呼吁疫苗护照。已被证明是针对疫苗犹豫的一个因素是相关病毒/疾病本身的普遍性。Oster(2018)发现,在一年前,一个县的爆发导致儿童疫苗接种增长了28%。 这提出了一个有趣的问题:如果采用疫苗会降低患病率,那么这种采用驱动力是否会被观察到疫苗的犹豫? 并且,如果存在内源性行为效应,这是否会改变提议的政策对抗犹豫的影响? 本文研究了这个问题。 这样做,采用疫苗是由患病率驱动的,反之亦然。 此外,基础模型是一种行为流行病学模型,如果他们保持未接种疫苗,个人可以采取昂贵的社会疏远行动来管理自己的感染风险。 这里提出的简单模型表明,这可能对各种干预措施的效果产生重大影响,以抵制犹豫。 毛毯激励措施/对疫苗接种的教育涉及昂贵的诸如临界效应,这将其可取性限制为鼓励疫苗接种的一种手段。 1Oster(2018)发现,在一年前,一个县的爆发导致儿童疫苗接种增长了28%。这提出了一个有趣的问题:如果采用疫苗会降低患病率,那么这种采用驱动力是否会被观察到疫苗的犹豫?并且,如果存在内源性行为效应,这是否会改变提议的政策对抗犹豫的影响?本文研究了这个问题。这样做,采用疫苗是由患病率驱动的,反之亦然。此外,基础模型是一种行为流行病学模型,如果他们保持未接种疫苗,个人可以采取昂贵的社会疏远行动来管理自己的感染风险。这里提出的简单模型表明,这可能对各种干预措施的效果产生重大影响,以抵制犹豫。毛毯激励措施/对疫苗接种的教育涉及昂贵的诸如临界效应,这将其可取性限制为鼓励疫苗接种的一种手段。1更批评,证明疫苗护照在提高疫苗接种率方面是有效的(在此模型中,完全是无效的),并且随着护照施加的限制降低了患病率,可能会减少它们。这意味着,尽管疫苗护照(或凭证)可能有助于确保其他人具有较低的感染风险,但它们不太可能作为惩罚性工具来抵抗疫苗的犹豫。关于疫苗经济学的文献比疫苗接种的教科书治疗更为微妙。这些经常表明采用疫苗是一个积极外部性的教科书示例,因此需要政府干预以鼓励采用并减少自由骑行。,但正如弗朗西斯(Francis,1997)所证明的那样,当在病毒蔓延的流行病学模型中,这些外部性不一定在社会上的次优疫苗中表现出来。的确,他表明,使用均质的特工和完美的疫苗接种,但出于个人疫苗接种成本,分散且具有社会最佳的疫苗接种结果的成本重合。
专业经历 - 意大利国家研究委员会 (CNR) 研究主任,罗马微电子与微系统研究所 (IMM),2018 年 11 月至今 - 休假时间:2018 年 12 月 1 日至 2019 年 8 月 31 日 - 德国柏林 Paul-Drude 固体电子研究所高级科学家,2010 年 8 月至 2019 年 8 月 31 日 - 德国 Jülich GmbH 研究中心研究员,2001 年 11 月至 2010 年 8 月 - 德国亚琛工业大学博士后小组,2000 年 2 月至 2001 年 10 月 - 美国马里兰州巴尔的摩市约翰霍普金斯大学暑期学生小组,1998 年 7 月至 1998 年 8 月 教育经历 - 获得国立科学技术学院正教授资格,Fis03 - 02/B1 MIUR 教授资格,2016 年 - 2023 年2012 – 2019 年 - 任教资格(获得独立大学教学资格) 1. 柏林洪堡大学 德国 2012 年 5 月 30 日 2. 亚琛工业大学 德国 2010 年 2 月 4 日 - 罗马第一大学材料科学博士学位 2001 年 1 月 28 日 - 罗马第二大学物理学学士学位 1996 年 5 月 24 日 研究活动 她的研究集中在自旋电子学、纳米电子学、光电子学和存储器方面。 1996-2000 年:在攻读博士学位期间,她研究了外延 Ge/Si(100) 异质结构,以获得集成在 Si 上的 1.55 µ m 电信波长的光电探测器,为此她将光电探测器效率与结构缺陷相关联。 2000-2001:制备了具有可重复特性和室温磁阻相关变化的磁隧道结。生长了具有高自旋极化和光滑表面/平面界面的铁磁层(Co/AlOx/Co)。 2001-2005:制备了稀磁半导体(注入Mn、Cr或V离子的n型和p型GaN层)并实现了混合铁磁体/半导体结构,即在纤锌矿GaN(0001)上外延生长的bcc Fe(110)薄膜。 2004-2010:专注于III族氮化物NW的生长与表征,深入研究了生长机制和电子特性。由于NW的表面积与体积比很大,表面对NW的物理行为和器件性能有很大的影响。特别针对存在积累层和耗尽层的窄带隙(InN)和宽带隙(GaN)材料中的表面空间电荷层效应。对 GaN NW 电学性质的研究表明,带间光电效应随 NW 直径的变化而变化几个数量级。R. Calarco 通过模拟纳米线侧壁表面电子耗尽区的影响来解释这种不寻常的行为。这些研究结果的发表得到了 NW 界的高度认可,本文被广泛引用。2008-2013:参与两个关于实现单光子发射器的德国国家项目。致力于制造 pin 结、布拉格反射器和三元合金(In、Ga)N 纳米线结构,旨在实现可见光范围内的发光二极管 (LED)。纳米线可以生长为单个纳米晶体,结构缺陷比平面薄膜少;因此,它们能够提高器件质量。对于实际的器件应用,纳米线需要定位,为此,R. Calarco 开发了一种非常具有挑战性的生长程序,可以在没有任何金属帮助的情况下在预定位置选择性地生长纳米线(完整的半导体布局,与生产要求兼容)。2012 年,她介绍了一项关于并联运行的单纳米线 LED 的研究。2010-2018:平面氮化物研究。她研究了 In 2 O 3 上 InN 的生长。In 2 O 3 和 InN 之间可以实现重合晶格,并将失配降低到 < 1%。这使得 bcc-In 2 O 3 成为 InN 的有趣替代衬底。她进一步研究了 (In,Ga)N/GaN 短周期中的 In 含量
48 Cr是双光子发射计算机断层扫描的有前途的放射性同位素。1)提出的方法可以实现高空间分辨率和高信号噪声比。2)作为48 cr,一对112和308-kev Photons可用于重合成像。1)我们计划在46 Ti(α,2 N)48 Cr反应中产生48 Cr。在核医学中,必须将48 CR与目标材料和副产物进行化学分离。 在这项研究中,我们使用51 cr(t 1 /2 = 27.7 d)的Nat Ti(α,Xn,Xn,Xn)51 Cr反应产生的51 cr(t 1 /2 = 27.7 d)的α-粒子辐照NAT TI(NAT =天然同位素丰度)靶标的无载液cr radiotracers的生产方法。 将来,可以使用昂贵的46 Tio 2作为目标材料生产48 Cr。 因此,我们还研究了CR放射性示踪剂生产后的目标材料的回收率。 48,51 cr是在使用Riken AVF Cyclotron的Nat Ti(α,Xn)48,51 Cr Rections中产生的。 将45 mg/cm 2的金属NAT TI板用28.9-MEV的强度为3.1粒子μA。 在NAT Ti(α,X)48 V反应中还产生了48 V(T 1/2 = 16.0 D)的48 V(T 1 /2 = 16.0 D),并且作为电子捕获和β + -48 Cr的女儿(t 1/2 = 21.6 h)。 希望在成像实验之前使用48 Cr的成像实验之前去除长期寿命的48 V,以增加信噪比。 将辐照的NAT Ti板(63.4 mg)溶解在1 ml浓缩的HF(c。hf)和0.3 mL C的混合物中。 HNO 3通过加热,并将溶液蒸发至干燥。在核医学中,必须将48 CR与目标材料和副产物进行化学分离。在这项研究中,我们使用51 cr(t 1 /2 = 27.7 d)的Nat Ti(α,Xn,Xn,Xn)51 Cr反应产生的51 cr(t 1 /2 = 27.7 d)的α-粒子辐照NAT TI(NAT =天然同位素丰度)靶标的无载液cr radiotracers的生产方法。将来,可以使用昂贵的46 Tio 2作为目标材料生产48 Cr。因此,我们还研究了CR放射性示踪剂生产后的目标材料的回收率。48,51 cr是在使用Riken AVF Cyclotron的Nat Ti(α,Xn)48,51 Cr Rections中产生的。将45 mg/cm 2的金属NAT TI板用28.9-MEV的强度为3.1粒子μA。在NAT Ti(α,X)48 V反应中还产生了48 V(T 1/2 = 16.0 D)的48 V(T 1 /2 = 16.0 D),并且作为电子捕获和β + -48 Cr的女儿(t 1/2 = 21.6 h)。希望在成像实验之前使用48 Cr的成像实验之前去除长期寿命的48 V,以增加信噪比。将辐照的NAT Ti板(63.4 mg)溶解在1 ml浓缩的HF(c。hf)和0.3 mL C的混合物中。 HNO 3通过加热,并将溶液蒸发至干燥。用1 ml的c溶解残留物。 HF加热,并将溶液蒸发至干燥。通过加热将残留物溶解在6 ml的4.5 m HF中。随后,将溶液馈入阴离子交换柱(Muromac 1x8,100-200 et chemes,10 mm i.d.×110毫米高)。用9 ml(1 ml×9)的4.5 m HF和35 mL(5 ml×7)的C洗涤树脂。 HF。组合了4.5 m HF的分数,并将3 mL用于ICP-MS测量,以确认NAT TI的污染。使用阳离子交换色谱法将4.5 m HF的其余部分蒸发至干燥,并进一步纯化48 V。将残基溶解在3 ml的0.5 m HNO 3中。溶液(1 mL×3)被送入阳离子交换柱(Muromac 50wx8,100-200 Mesh,5 mm I.D.×50毫米高)。用0.5 m HNO 3和5 ml(1 ml×5)的3 ml(1 ml×3)洗涤树脂,为6 m HNO 3。用GE检测器对阴离子和阳离子交换柱进行每个洗脱液进行γ射线光谱法进行了γ射线光谱法,以获得51 cr和48 V的洗脱曲线。以评估每个c的Nat Ti的洗脱曲线。 HF