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World File Search System重离子
Hopg的高能重离子辐照
由于其在极高温度下的稳定性，石墨通常在核反应堆中用作中子的主持和反射器。石墨中发生的物理和结构变化源于由于快速中子的影响和相关的后坐力级联反应而导致的晶体格子损伤。因此，了解其辐射硬度（即其在中子和离子照射下的稳定性）对于安全使用石墨至关重要。高度定向的热解石墨（HOPG）是一种最高质量石墨的合成形式，其镶嵌物扩散小于一个度。其平面表面适合通过扫描隧道显微镜（STM）和原子力显微镜（AFM）分析。因此，它已在许多离子辐照实验中用于离子撞击位点的原子尺度研究[1]。
EdgeCortix SAKURA-I 机器学习、PCIe 加速器 SEE 重离子测试报告
• 技术出版物。已完成的研究或研究的重要阶段的报告，介绍 NASA 计划的结果，包括大量数据或理论分析。包括被认为具有持续参考价值的重要科学和技术数据和信息的汇编。NASA 的同行评审的正式专业论文的对应部分，但对手稿长度和图形演示范围的限制不那么严格。 • 技术备忘录。初步或具有专门意义的科学和技术发现，例如快速发布报告、工作文件和包含最少注释的参考书目。不包含广泛的分析。 • 承包商报告。NASA 赞助的承包商和受助人的科学和技术发现。
通过重离子碰撞和超核研究高密度下的 Λ 势
GKW2 (GKW3)：Gerstung、Kaiser 和 Weise (2020)。包括 YN (YN+YNN) 相互作用的手性 EFT 计算。LY-IV：Lanskoy 和 Yammoto (1997)。Skyrme 型 Λ 势能再现 Λ 结合能。
重离子诱导缺失与拟南芥必需基因分布相关的基因组学研究
重离子束是一种电离辐射，它已作为一种强诱变剂应用于植物育种，并且是一种诱导大规模缺失和染色体重排的有前途的工具。重离子辐照的有效性可以用线性能量转移 (LET；keV µm -1 ) 来解释。不同 LET 值的重离子束会诱发不同类型和大小的突变。已有研究表明，缺失大小随 LET 值的增加而增大，较高的 LET 辐射会诱发复杂的染色体重排。在本研究中，我们将在拟南芥突变体中检测到的重离子束诱导的缺失定位到其基因组中。我们发现，不同的 LET（100 至 290 keV mm -1 ）之间的缺失大小相似，其上限受必需基因分布的影响，并且检测到的染色体重排避免了破坏必需基因。我们还重点研究了串联基因 (TAG)，即基因组中两个或多个同源基因相邻。我们的结果表明，100 keV µm -1 的 LET 足以破坏 TAG，并且必需基因的分布会强烈影响与其重叠的突变的遗传性。我们的研究结果提供了拟南芥基因组中大量缺失诱导的基因组视图。
能量重离子请参见保证
•此外，高度穿透离子允许在一次曝光中背靠背放置的多个板进行测试。通过将降解器定位在板之间，可以获得不同的莱特，并且可以在一个或两个梁暴露中表征多个零件的样本。此方法减少了光束的使用时间，并使重离子测量在NSRL
偏置场环对垂直几何 β-Ga2O3 整流器中重离子撞击后电荷去除的影响
本研究通过 TCAD 研究了重离子撞击对具有偏置场环的 beta-Ga 2 O 3 肖特基二极管的响应以及由此产生的单事件烧毁。使用实验电流-电压 (IV) 曲线验证了用于模拟高反向偏置下器件的模型。器件的场环配置表明，在模拟重离子撞击后，电荷去除效果有所改善。如果电荷去除的时间尺度比单事件烧毁更快，则这可能是一种有效的减少单离子撞击影响的机制。本研究探讨了终端结构的各种配置，并展示了不同设计参数对离子撞击后瞬态响应的影响。© 2023 作者。由 IOP Publishing Limited 代表电化学学会出版。这是一篇开放获取的文章，根据知识共享署名 4.0 许可条款发布（CC BY，http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/），允许在任何媒体中不受限制地重复使用作品，只要对原始作品进行适当的引用。[DOI：10.1149/2162-8777/acbcf1]
重离子诱导单核细胞增生的电荷沉积分析...
尽管成本高昂且耗时，但仍可在地面设施中评估功率 MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管) 中重离子诱导的单粒子烧毁 (SEB) 风险。因此，很少有实验研究专门研究与描述离子诱导 SEB 现象相关的相关参数。在本文中，使用几种离子能量组合研究了低压功率 VDMOSFET (垂直双扩散 MOSFET) 中的重离子诱导 SEB。进行了自洽统计分析，以阐明电荷沉积与 SEB 触发之间的关系。将实验数据与文献中的功率 MOSFET 中 SEE (单粒子效应) 最坏情况预测模型进行了比较，首次支持其与 SEB 机制中最坏情况预测的相关性。
欧洲合作，调查下一代重离子治疗的超导磁铁
摘要 - 在最近推出的欧洲合作中，正在调查用于龙门和加速器（同步器）的内部离子治疗磁铁，在欧洲H2020 Hitri Plus和I.Fast计划的框架中，该合作已为超导磁铁提供了一些用于工作包的资金。超导磁体的设计和技术将用于离子治疗同步器，尤其是 - 尤其是龙门，作为430 MeV/nucleon离子（C-ION）的参考光束，具有10个离子/脉冲。磁体的直径约为60-90毫米，4至5 t峰值峰值，磁场的变化约为0.3 t/s，质量良好。本文将说明协作和技术计划的组织。各种超导体选项（LTS，MGB 2或HTS）和不同的磁铁形状，例如经典的Costheta或创新的Canted Costheta（CCT），具有弯曲的多功能（偶极子和四极管），在评估中，CCT为基线。这些研究应为现有设施的新超导龙门设计设计提供设计投入，并在更长的时间范围内，用于将新的强子治疗中心放置在东南欧（Seeiist Project）。