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World File Search System量子效率
钙钛矿自旋发光二极管二极管具有同时高的电致发光不对称和高外部量子效率
在具有直接循环极化发射的发光二极管中，实现高电发光的非对称因子和高外部量子效率同时在发光二极管中具有挑战性。在这里，我们表明，基于手性钙钛矿量子点，可以同时在发光二极管中同时实现高发光的不对称因子和高外部量子效率。特定的，手性的钙钛矿具有手性诱导的自旋选择性可以同时用作局部的辐射辐射推荐中心，用于自旋极化载体的循环极化载体，从而抑制了旋转的放松，从而抑制了旋转的旋转，并改善了旋转的旋转，并促进了旋转的旋转效果，并促进了旋转的旋转效果，旋转了旋转的效果，供应型旋转效果。属性，以便可以促进产生设备的授权电源。我们的设备同时表现出高电致发光的非对称因子（R：0.285和S：0.251）和高外部量子效率（R：16.8％和S：16％），证明了它们在构建高表现性手性光源方面的潜力。
具有接近 1 内部量子效率的单层蓝色有机发光二极管
高效有机发光二极管 (OLED) 通常由多层堆栈组成，包括电荷传输层、电荷和激子阻挡层，以将电荷复合限制在发射层内。本文展示了一种基于热激活延迟荧光的高度简化的单层蓝光 OLED，其发射层简单地夹在由聚合物导电阳极和金属阴极组成的欧姆接触之间。单层 OLED 的外部量子效率为 27.7%，高亮度下滚降很小。内部量子效率接近 1，表明高度简化的无限制层单层 OLED 可以实现最先进的性能，同时大大降低设计、制造和设备分析的复杂性。
高外部量子效率光 - Demir研究小组
摘要：胶体量子井（CQWS），也称为纳米血小板（NPLS），是许多光子应用的令人兴奋的材料系统，包括激光和发光二极管（LED）。尽管已经证明了许多具有高设备性能的成功类型I NPL-LED，但即使使用具有增强的光学特性的合金II NPL，II型NPL也没有完全利用LED应用。在这里，我们介绍了CDSE/CDTE/CDSE CORE/CORCE/CROW/CROWN/CROWN/CROWN/CROWN/CROWS/CROWS/type-II NPLS的开发以及对其光学性质的系统研究，包括它们与传统的核心/皇冠对应物进行了比较。与传统的II型NPL不同，例如CDSE/CDTE，CDTE/CDSE和CDSE/CDSE X TE 1-X Core/Corn/Crown异质结构，在这里，拟议的高级异质结构获得了具有两个高量子产率（QY）的83％和长期荧光量的高量子产率（QY）的好处。这些型II转变通过光学测量进行了实验证实，并使用电子和孔波函数建模在理论上证实。计算研究表明，多冠的NPLS沿CDTE冠提供了更好的分布孔波函数，而电子波函数则在CDSE核心和CDSE冠状层中定位。作为概念验证演示，基于这些多曲的NPL的NPL LED在II型NPL LED中的创纪录的高量子效率（EQE）设计和制造为7.83％。这些发现有望引起NPL异质结构的先进设计，以达到令人着迷的性能水平，尤其是在LED和激光器中。关键字：II型纳米片，胶体量子井，高级异质结构，发光二极管，外部量子效率
双极三层有机发光晶体管中电荷注入、电子传输和量子效率之间的相互作用
有机发光二极管 (OLED) 显示器的广泛使用推动了 OSC 逐渐渗透到日常生活中。[5] 低功耗、重量轻、亮度高、发光效率高和响应时间快等一系列技术优势推动了 OLED 作为传统液晶显示器的替代品的应用。[6] OLED 是一种纳米厚的半导体器件，在施加合适的电偏压时能够产生光子。然而，OLED 的垂直结构要求光子至少穿过一个电极，由于光腔效应和电极透明度有限，这对器件特性造成了很大限制。[7,8] 在这一背景下，有机发光晶体管 (OLET) 在过去十年中备受关注，因为它能够通过简单的平面结构将晶体管的逻辑开关功能与光发射相结合。 [6,9,10] 最重要的是，光发射可以调节到远离金属电极的位置。[11] 因此，对于 OLED，由于可以避免不希望的猝灭和光学效应，因此可以预测光学效率可能会提高。此外，平面 OLET 结构为实现具有复杂功能的集成系统提供了关键特性。[12,13] 在 OLET 中，
双极三层有机发光晶体管中电荷注入、电子传输和量子效率之间的相互作用
有机发光二极管 (OLED) 显示器的广泛使用推动了 OSC 逐渐渗透到日常生活中。[5] 低功耗、重量轻、亮度高、发光效率高和响应时间快等一系列技术优势推动了 OLED 作为传统液晶显示器的替代品的应用。[6] OLED 是一种纳米厚的半导体器件，在施加合适的电偏压时能够产生光子。然而，OLED 的垂直结构要求光子至少穿过一个电极，由于光腔效应和电极透明度有限，这对器件特性造成了很大限制。[7,8] 在这一背景下，有机发光晶体管 (OLET) 在过去十年中备受关注，因为它能够通过简单的平面结构将晶体管的逻辑开关功能与光发射相结合。 [6,9,10] 最重要的是，光发射可以调节到远离金属电极的位置。[11] 因此，对于 OLED，由于可以避免不希望的猝灭和光学效应，因此可以预测光学效率可能会提高。此外，平面 OLET 结构为实现具有复杂功能的集成系统提供了关键特性。[12,13] 在 OLET 中，
INGAAS量子点的量子效率和振荡器强度，用于电信中发出的单光子源O波段
我们基于时间分辨的光致发光光谱证明了实验结果，以确定INGAAS量子点（QDS）的振荡器强度和内部量子效率（IQE）。使用减少应变层，这些QD可用于制造电信O波段中发出的单光子源。通过确定在QD位置的光密度在QD的位置的变化下，在QD的位置确定辐射和非辐射衰减速率，以评估振荡器的强度和IQE。为此，我们对QD样品进行测量，以实现由受控的湿化学蚀刻过程实现的封顶层的不同厚度。从辐射和非辐射衰减速率的数字建模依赖于上限层厚度，我们确定长波长Ingaas QD的振荡器强度为24.6 6 3.2，高IQE（85 6 10）的高IQE（85 6 10）。
高量子效率照片二极管（HQE检测器）
我们的高量子效率（HQE）已向世界各地的许多研究组织提供了光电二极管。客户已经取得了创纪录的打破结果，尤其是在挤压光应用中。这些光电二极管典型地定制为特定波长，入射角和极化。