XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System金属化
CR-CU-AU金属化
技术转移与行业界面部（TTID），PPEG空间应用中心（SAC），ISRO AMBAWADI VISTAR，JODHPUR TEKRA，AHMEDABAD -380 015电子邮件：ttid@sac.isro.gov.inhttps.in
1对MOF-525和金属化后...
在过去的二十年中，金属有机框架（MOF）已成为广泛开发的多孔材料类别，并越来越被认为是基于膜的CO 2分离的有希望的候选者。这种潜力主要源于故意自定义其结构和功能以增强与客人分子相互作用的能力。在这项研究中，我们探讨了基于卟啉的MOF的MOF-525作为混合基质膜（MMM）中的纳米填料，由6fda- dam（6fda：6fda：2,2-2-二甲基苯基）（3,4-二甲基苯基）六氟丙烷氨基丙烷硫氨酸酯dian Hydridiide； CO 2 /N 2和CO 2 /CH 4分离的聚合物二氨基苯）分离。之所以选择此特定的MOF，是因为有可能将其卟啉环金属量化以量身定制CO 2分子与MOF框架之间的相互作用。结果，无需使用很高的纳米颗粒载荷而无需使用很高的纳米颗粒加载而无需使用金属化的MOF-525的MMM的CO 2 /N 2和CO 2 /CH 4分离性能。与裸露的聚合膜和2 wt％的MOF-525 mmm相比，可以观察到2 wt％金属的MOF-525 MMM的膜渗透性和选择性提高约20％。对MMM的气体传输特性的进一步分析表明，改进主要是由于MMM中增强的CO 2溶解度以及金属化的MOF-525和CO 2分子之间的相互作用改善。但是，还发现2和5 wt％是最佳载荷值，高于该值，高于该值，MOF纳米颗粒之间的界面缺陷和由粒子聚集引起的聚合物开始出现，从而降低了膜性能。也通过分子模拟证实了这一点，其中尤其是在高颗粒载荷时观察到麦克斯韦模型上的一些高估，这表明非选择性空隙的凝聚力和堆积。尽管如此，我们在这项研究中已成功地显示了在MMM中使用金属的卟啉MOF进行CO 2分离的高效率和效率，因为仅需要相对较低的颗粒载荷（约2 wt％）才能改善膜性能。
高温模块的金属化技术
日本爱知县日新市Yonogi-cho Minamiyama 500-1，邮编 470-0111，电装株式会社基础研究第 3 部 Tomohito Iwashige 电话：0561-75-1052 传真：0561-75-1193 电子邮件：tomohito_iwashige@denso.co.jp
快速和有效的激光器 - 金属化 -
1-圣彼得堡州立大学，7/9大学，纳布大学，圣彼得堡，199034，俄罗斯2-物理与工程学院，伊特摩大学，伊特莫索沃，9，9，圣彼得堡，191002年，俄罗斯3 - 俄罗斯3 - Theomat Group，Theomat Group，theomat Group，Chembio Cluster，Chembio Cluster，Itmoosos，Lomososos，92俄罗斯4-激光中心（LFM），应用科学大学Münster，Stegerwaldstraße39，48565德国Steinfurt，德国 *由氯化物，柠檬酸或tart酸和醋酸铜作为铜板溶液组成。表明，在使用连续波532 nm激光辐射辐射后，可以增加铜的沉积速率，并产生与纯金值的电阻，并与底物表面高粘附，并具有较高的纯金值。这种金属化方法有利于实际使用铜模式，包括生产新的可打印微电器设备。因此，我们证明了在任意三维表面上铜沉积的可能性。此外，将所得的铜微图案测试为非酶葡萄糖的工作电极。最后，所提出的技术可以成功地用于设计和开发传感器平台，用于电化学分析和微电器设备。传统上，光刻技术被广泛应用于印刷电路板行业，用于制造电路[1]。激光辅助方法可以分为两组。关键字：直接激光写作，铜，传感器，深层溶剂，激光处理，微电子介绍适用于制造用于电导微型文案（电路）的新方法的开发对于电子设备生产和科学非常重要。但是，这种方法是耗时且昂贵的，涉及许多步骤，例如蚀刻和电镀。另外，由于蚀刻过程中使用的溶剂具有腐蚀性，因此底物的选择是有限的，因此它不适用于e。 g。可打印的电子设备柔性基材和滚动生产。因此，近年来，人们对开发有效和低成本的处理技术来制造导电模式引起了很多兴趣。无掩模直接激光写作的方法被认为是传统光刻和其他现有技术的有前途的替代方法，用于生产微电源组件，传感器和其他设备[2] - [4]。第一组包括技术，其中激光辐射用作表面的初步激活或敏化。例如，这些方法之一是由激光诱导的选择性表面激活（SSAIL），在这些方法中，可以在几乎所有通过PS脉冲的激光激活的聚合物表面和刚性介电的表面上创建铜微孔图，并在其刚性介电介质上创建铜色，并随后的化学还原过程[5] - [7]。第一组的另一个例子是使用有机物
修饰和抛光陶瓷基材的金属化指南
抛光超精度的第二或第三步，将公差从0.1微英寸拧紧到5个微英寸的金属（铁质和非有色人种），碳化物，陶瓷，蓝宝石，蓝宝石，Beo，AIN，AIN，AIN，99.6％铝，以及用于工业和科学应用的其他材料以及Microelectron的其他材料。注意：（1U-in = 0.000001”）
Cr-Cu-Au 金属化，适用于 Hi-Rel MIC 制造
空间应用中心 (ISRO) 从事微波集成电路制造，用于通信、遥感和导航有效载荷。SAC 开发了使用磁控溅射技术在氧化铝基板的两侧（顶部和底部）进行 Cr-Cu-Au（铬-铜-金）金属化的工艺。MIC 制造的基材是介电陶瓷，即氧化铝，将在其上进行金属化以进行 MIC 图案化。
金属化含能材料的空间聚焦微波点火
本研究调查了通过微波吸收局部点燃金属化推进剂的能力。通过直接写入增材制造（3D 打印）构建了金属化高能复合膜，该膜在聚偏氟乙烯 (PVDF) 聚合物基质内结合了高质量负载的铝和钛纳米颗粒燃料。对 Ti 和 Al 纳米颗粒的功率吸收模拟表明，钝化壳成分可能在观察到的点火现象中起着重要作用。构建了各种感兴趣的架构以实现可预测的微波点火和推进剂传播。研究发现，尽管铝纳米颗粒和复合材料不会通过暴露于微波而点燃，但钛纳米颗粒可用作高效的反应性微波感受器，从而实现局部点火源。这种方法使得先前研究的高能 Al/PVDF 系统的各种架构能够制造出来，并在战略位置配备微波敏感的钛复合材料，作为铝系统的远程点火手段。
掺杂聚合物中的半金属化诱发霍尔异常
将氧等离子体处理的石英晶片切割成1cm2用于PPMS（霍尔、磁阻、温变电导）和XPS测量中的所有电学测量。由于尺寸要求，将氧等离子体处理的ITO基板切割成0.5 cm * 0.5 cm用于PES和IPES测量，将氧等离子体处理的石英晶片切割成0.6 cm * 0.4 cm用于高场霍尔测量。所有基板在使用前分别在丙酮和异丙醇中通过超声波清洗工艺清洗10分钟。将C 14 -PBTTT溶液以3000 r/min的转速旋涂到相应的基板上，形成厚度约25nm的PBTTT薄膜，然后将获得的薄膜在150°C下退火10分钟，让其冷却至室温。将Cytop溶液旋涂到所有掺杂后的电学测量薄膜上进行封装，再通过光刻和氧离子刻蚀实现霍尔棒结构的图形化。掺杂工艺
使用基于聚合物复合材料的选择性金属化用于下一代电子包装
摘要：与硅-ICS制造相比，仍然需要PCB制造行业的生产技术进步。PCB的制造中相关区域之一是使用常规方法来金属化。大多数制造商仍在基础基板上使用传统的铜（CU）层压板，并使用光刻过程对结构进行构图。因此，在任何批量生产过程中都会蚀刻大量的金属零件，从而导致不必要的一次性一次性污染。在这项工作中，通过大量降级模式转移机制证明了一种新的CU金属化方法。在制造步骤中，使用375 nm UV激光源的光辐射强度聚合在介电环氧树脂上的共价键金属化（CBM）化学层聚合。所提出的方法能够使用上述表面修饰，然后将金属化对任何理想的几何形状进行模式。为了将图案进行金属化，已经使用了专有的电气浴。金属层仅在选择性聚合物激活的位置生长，因此称为选择性金属化。该生产技术的亮点是它在低温（20–45℃）下的出现。在本文中，将FR-4作为碱基底物和聚氨酯（PU）作为环氧树脂，用于实现各种几何形状，可用于电子包装。此外，还概述了对过程发展过程中的过程参数和一些挑战的分析。作为用例，制造了平面电感器以证明所提出的技术的应用。