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World File Search System金属化
金属药物和金属化宿主防御肽的抗癌活性——结构-活性关系的最新发展
摘要：本文概述了具有抗癌活性的各种金属配合物的开发、结构和活性。化学研究人员继续致力于开发和合成可作为抗肿瘤药物的新分子，以实现更有利的治疗。因此，了解各种化疗物质及其作用方式非常重要。本综述重点介绍含有金属作为关键结构片段的金属药物，顺铂为其化疗应用铺平了道路。本文还研究了钌配合物，包括磷光钌 (II) 配合物的治疗应用，强调其在治疗和诊断中的双重作用。此外，还讨论了钛和金衍生物的抗肿瘤活性、副作用以及正在进行的提高其疗效和减少不良反应的研究。还强调了用各种金属离子对宿主防御肽 (HDP) 进行金属化是一种通过拓宽其作用机制来显着增强其抗癌活性的策略。
聚合物上冷喷涂金属化的预测建模方法
冷喷雾剂（CS）颗粒沉积，也称为冷喷雾添加剂制造，为聚合物底物上的高通量功能金属化提供了机会。然而，由于需要专用且成本密集的实验表征工具，对基于CS的聚合物金属化和量化沉积概率进行了建模。这强调了对预测方法（例如数值建模）的关键需求。为此，目前的工作旨在通过使用三个网络聚合物模型（TNM）来通过数值建模来解决这一关键差距，以在给定的CS过程设置下预测沉积概率的方式。在这方面，对具有不同密度和直径变化的硬颗粒和软颗粒的CS进行了建模，然后进行实验验证。值得注意的是，代表粒子动能的比例的维数（η）是一种预测工具，以估计聚合物底物的CS金属化概率。此外，扩展了建模努力以在CS过程的η数量和面积覆盖率之间建立相关性。发现有效CS聚合物金属化应高于0.8。受控的实验证实了数值建模是针对聚合物CS金属化的高保真预测方法的可行性和可靠性，从而最大程度地减少了对成本密集的试验和纠正效果的需求。
金在电子产品中的电化学迁移机制——不如预期可靠？
摘要：电化学迁移 (ECM) 形成树枝状短路是微电路中的主要可靠性限制因素。金是一种贵金属，被认为是一种能够耐腐蚀和 ECM 的金属化材料，因此尽管金的价格相对较高且波动较大，但它在高可靠性金属化和表面处理系统中的应用却非常广泛。金的电化学短路仅在卤素（例如含氯化物）污染物的情况下才会发生，这些污染物可以通过复合离子的形成引发金的阳极溶解。研究的实验结果表明，即使没有卤素污染物的存在，金也可以形成树枝状短路，因此也必须假设金的直接阳极溶解。即使在应用金金属化系统时，这也可能是影响可靠性的一个严重因素，必须加以考虑。本文还讨论了金的经典（无污染物）模型的理论背景。
通过表面限制的金属化石墨炔片中的分子轨道和晶格对称性组合实现非常规能带结构
基于石墨炔 (GY) 和石墨炔 (GDY) 的单层代表了下一代二维富碳材料，其可调结构和性能超越石墨烯。然而，检测原子级厚度的 GY/GDY 类似物中的能带形成一直具有挑战性，因为该系统必须同时满足长程有序和原子精度。本研究报告了在表面合成的金属化 Ag-GDY 薄片中形成具有介观（≈ 1 μ m）规律性的能带的直接证据。采用扫描隧道和角度分辨光电子光谱，分别观察到费米能级以上实空间电子态的能量相关跃迁和价带的形成。此外，密度泛函理论 (DFT) 计算证实了这些观察结果，并揭示了蜂窝晶格上双重简并的前沿分子轨道产生接近费米能级的平坦、狄拉克和 Kagome 能带。 DFT 建模还表明原始薄片材料具有固有带隙，该带隙保留在具有 h-BN 的双层中，而吸附诱导的带隙内电子态在 Ag-GDY 装饰银的 (111) 面的合成平台上演变。这些结果说明了通过原子精确的二维碳材料中的分子轨道和晶格对称性设计新型能带结构的巨大潜力。
全加成共价键合 PCB 制造工艺（SBU-CBM 方法）的详细表征
摘要：为了弥合 IC 级和板级制造之间的技术差距，文献中已经展示了一种完全添加的选择性金属化。在本文中，概述了制造过程中涉及的每个步骤的表面特性，并进行了表面的块状金属化。该生产技术使用聚氨酯作为环氧树脂，并使用专有的接枝化学方法在 FR-4 基板上用共价键对表面进行功能化。然后使用化学镀铜 (Cu) 浴对表面进行金属化。分析了使用光化激光束和钯 (Pd) 离子沉积 Cu 的这种逐层生长。采用最先进的材料表征技术来研究界面处的工艺机制。进行了密度泛函理论计算以验证层间共价键的实验证据。这种制造方法能够在相当低的温度下以选择性的方式向印刷电路板添加金属层。本文对使用材料块状沉积的工艺进行了完整的分析。
应用研究与技术杂志
摘要：众所周知，在现代微电子和纳米电子学中，薄膜结构被广泛用作栅极电介质、钝化层、膜等。本文研究了单晶硅晶片上互连脉冲加热过程中氧化硅薄子层中形成裂纹的问题。本文旨在研究表面热冲击源对薄膜裂纹形成的影响，并详细研究了 SO2 薄膜中裂纹形成的各个方面。在硅衬底-氧化硅子层-铝膜 (Si-SiO 2 -Al) 多层结构上对所做的估计进行了实验验证。作为衬底，使用了磷掺杂的硅单晶晶片，取向为 (111) 方向，电阻率在 = 0.1 Ω . сm 范围内。作者研究了表面金属化层加热的硅晶片（Al-Si 系统）和氧化硅晶片（Al-SiO2 系统）的温度场，既有点热源的情况，也有长矩形金属化路径的情况（假设轨道长度明显超过其宽度）。计算结果表明，金属化路径（宽度 75 μm）横向的温度分布是不均匀的。结果还表明，与 SiO2 膜相比，硅中出现的机械应力水平不足以在热冲击源附近形成裂纹。这是因为硅的抗拉强度高于氧化物。
MIL-HDBK-217F - MWFTR
10：电容器 固定、纸质、旁路（CP、CA）..................................................................................... 1o-1 固定、馈通（CZR、CZ）......................................................................................................... 10-3 固定、纸质和塑料电容器（CPV、CQR 和 CQ）......................................................................... 10-5 固定、金属化电容器、纸塑和塑料电容器（CH、CAR）......................................................... 10-7 固定、塑料和金属化塑料电容器......................................................................................... 10-9 固定、超级金属化塑料电容器（CRH）......................................................................................... 10-11 固定、MICA（CM、CMR）......................................................................................................... 10-12 固定、MICA、按钮（CB）.............* ......................................................................................................... 10-14 熔断、GJass（CY、CYR）......................................................................................................... 10-16 固定、陶瓷、通用（CK、 CKR) ................................................................ 10-18 固定，陶瓷，钽~。和芯片（CCR 和 CC、CDR） ........................ 10-20 固定，电解，钽，固体（CSR） ...................................................................... 10-21 固定，电解，钽，非固体（CL、CLR） .................................................................... 10-22 Fbd，Ektrotytic，铝（CUR 和 CU） ...................................................................... 10-24 固定，电解（Dfy），铝（CE） .................................................................................... 10-26 可变，陶瓷（CV） ............................................................................................. 10-27 可变，Pkton 类型（PC） ............................................................................................. 10-28 品种。ArTfimmr (C~ ...................................................................................... 10-29 变量和 Rxd。Gasor V.um(CG) .................................................................... 10-30 示例 ............................................................................................................. 10-32
MIL-HDBK-217F - SQC 在线
10：电容器 固定、纸质、旁路（CP、CA）..................................................................................... 1o-1 固定、馈通（CZR、CZ）........................................................................................ 10-3 固定、纸质和塑料电容器（CPV、CQR 和 CQ）......................................................................... 10-5 固定、金属化电容器、纸塑和塑料电容器（CH、CAR）......................................................... 10-7 固定、塑料和金属化塑料电容器......................................................................................... 10-9 固定、超级金属化塑料电容器（CRH）......................................................................................... 10-11 固定、MICA（CM、CMR）............................................................................................. 10-12 固定、MICA、按钮（CB）.............* ............................................................................................. 10-14 固定、GJass（CY、CYR）......................................................................................................... 10-16 固定、陶瓷、通用（CK、 CKR) ................................................................ 10-18 固定，陶瓷，钽~。和芯片（CCR 和 CC、CDR） ........................ 10-20 固定，电解，钽，固体（CSR） ...................................................................... 10-21 固定，电解，钽，非固体（CL、CLR） .................................................................... 10-22 Fbd，Ektrotytic，铝（CUR 和 CU） ...................................................................... 10-24 固定，电解（Dfy），铝（CE） .................................................................................... 10-26 可变，陶瓷（CV） ............................................................................................. 10-27 可变，Pkton 类型（PC） ............................................................................................. 10-28 多样性。ArTfimmr (C~ ...................................................................................... 10-29 变量和 Rxd。Gasor V.um(CG) .................................................................... 10-30 示例 ............................................................................................................. 10-32
液晶聚合物MEMS封装
液晶聚合物 MEMS 封装 Amaresh Mahapatra、Robert Mansfield 和 Lian Li Linden Photonics, Inc. 270 Littleton Rd., # 29 Westford, MA 01886 摘要 军方关注 MEMS 设备的长期生存力和可靠性，特别是在受到高 G 冲击（例如从大炮发射弹药时）时。研究人员一致认为，与封装相关的故障机制是所有故障模式的主要因素。此外，封装在长期储存过程中会性能下降。高 g 条件下的主要封装相关故障模式包括：• 加工过程中产生的松散碎片的移动。• 陶瓷封装开裂• 盖子和基板分离• 由于封装非密封，储存过程中盖子/基板密封和引线键合性能下降。Linden Photonics, Inc. 正在开发晶圆和芯片级封装以缓解这些故障模式。Linden Photonics 拥有与微电子和光电子近密封和抗辐射封装相关的专业知识和专有技术。 Linden 为海军开发了强力鱼雷光缆 (STFOC)。将介绍显示进展的数据和测量结果。1. 光电和 MEMS 元件的近密封封装 Linden 的 LCP 护套光纤在电光设备封装领域具有巨大潜力。封装工程师面临的主要挑战之一是在光输入和输出端口周围创建密封。这种密封通常是通过剥离和金属化光纤末端，然后将其焊接到金属化玻璃套管中来创建的。最后将套管焊接到设备的金属外壳中。剥离和金属化光纤是一项昂贵、劳动密集型的操作。处理裸露的金属化光纤也很成问题，并且在封装过程中光纤断裂很常见。
