摘要:与硅-ICS制造相比,仍然需要PCB制造行业的生产技术进步。PCB的制造中相关区域之一是使用常规方法来金属化。大多数制造商仍在基础基板上使用传统的铜(CU)层压板,并使用光刻过程对结构进行构图。因此,在任何批量生产过程中都会蚀刻大量的金属零件,从而导致不必要的一次性一次性污染。在这项工作中,通过大量降级模式转移机制证明了一种新的CU金属化方法。在制造步骤中,使用375 nm UV激光源的光辐射强度聚合在介电环氧树脂上的共价键金属化(CBM)化学层聚合。所提出的方法能够使用上述表面修饰,然后将金属化对任何理想的几何形状进行模式。为了将图案进行金属化,已经使用了专有的电气浴。金属层仅在选择性聚合物激活的位置生长,因此称为选择性金属化。该生产技术的亮点是它在低温(20–45℃)下的出现。在本文中,将FR-4作为碱基底物和聚氨酯(PU)作为环氧树脂,用于实现各种几何形状,可用于电子包装。此外,还概述了对过程发展过程中的过程参数和一些挑战的分析。作为用例,制造了平面电感器以证明所提出的技术的应用。
现代品种的产量较高,对环境压力的耐药性比以前的菌株在过去半个世纪促进了全球粮食安全。但是,开发具有理想特征的新品种所需的精度和时间,以适应气候变化,并需要大大改善人口增长的快速增长。本评论对主要谷物,玉米,小麦和大麦的基因组编辑状态进行了分析。因此,该评论不仅为读者提供了基因组编辑的最新应用,以改善谷物的特质,而且还讨论了技术局限性和法规挑战,这些技术需要克服该技术以在全球农业中产生影响。Johannes Buyel,Fraunhofer分子生物学和应用生态学IME,Forckenbeck- Strasse 6,52074 Aachen,德国,德国
1弗劳恩霍夫太阳能系统ISE ISE,Heidenhofstraße2,79110 Freiburg,德国2 ASYS Automation Systems GmbH,Benzstr。10,89160德国Dornstadt 3 Gallus Ferd。 rüeschag,Harzbüchelstrasse34,9016 St. Gallen,瑞士4 Lehner Engineering GmbH,Ebnettstrasse 18,9032,瑞士5 1,0676德国Bitterfeld-Wolfen 7 Kurt Zecher GmbH,Görlitzerstr 2,33098德国Paderborn 8技术大学达姆斯塔特,Magdalenenstraße2,64289 Darmstadt,德国,德国9现在,现在有:Thieme Gmbh&Co。KG,Robert-Bosch-Bosch-Straße1,79331 teneningen,Dergem摘要:在研究项目“摇滚明星”中开发的创新的高通量旋转式示范机上制造的钝化发射器和后触点(PERC)太阳能电池。 该机器旨在使用新开发的航天飞机运输系统执行最多600 mm/s的硅太阳能电池的金属化 在第一个实验中,多晶硅(MC-SI)PERC太阳能电池在后侧金属,旋转筛网印刷获得的平均转换效率为η= 19.3%,该效率与带有筛网印刷后侧的参考单元的水平相同金属化(η= 19.3%)。 此外,提出了一个9个细胞示范器模块,其中显示了在演示器和Smartwire(SWCT)互连上部分金属金属的细胞。10,89160德国Dornstadt 3 Gallus Ferd。rüeschag,Harzbüchelstrasse34,9016 St. Gallen,瑞士4 Lehner Engineering GmbH,Ebnettstrasse 18,9032,瑞士5 1,0676德国Bitterfeld-Wolfen 7 Kurt Zecher GmbH,Görlitzerstr2,33098德国Paderborn 8技术大学达姆斯塔特,Magdalenenstraße2,64289 Darmstadt,德国,德国9现在,现在有:Thieme Gmbh&Co。KG,Robert-Bosch-Bosch-Straße1,79331 teneningen,Dergem摘要:在研究项目“摇滚明星”中开发的创新的高通量旋转式示范机上制造的钝化发射器和后触点(PERC)太阳能电池。该机器旨在使用新开发的航天飞机运输系统执行最多600 mm/s的硅太阳能电池的金属化在第一个实验中,多晶硅(MC-SI)PERC太阳能电池在后侧金属,旋转筛网印刷获得的平均转换效率为η= 19.3%,该效率与带有筛网印刷后侧的参考单元的水平相同金属化(η= 19.3%)。此外,提出了一个9个细胞示范器模块,其中显示了在演示器和Smartwire(SWCT)互连上部分金属金属的细胞。关键字:硅太阳能电池,制造和加工,PERC,金属化,旋转印刷1简介平面丝网印刷(FSP)是晶体硅(SI)太阳能电池的最新技术。尽管在过去几年内生产率取得了显着进步,但FSP工艺几乎接近技术限制,而吞吐量的进一步增加。应对这一挑战的一种非常有前途的方法是应用高生产性旋转印刷方法,即旋转丝网印刷(RSP)和Flexographic Printing(FXP)。在资助的研究项目中»摇滚明星«(合同号13N13512),一个项目合作伙伴和研究机构的项目构成,已经为开发旋转印刷演示机的雄心勃勃的目标设定了一个雄心勃勃的目标,该机器能够实现高达600 mm/s的太阳能电池的金属化,这与每小时8000 Wafers of 8000 wafers on Single of 600 mm/s的印刷速度相当于。在项目中,已经在开发材料,打印过程和机器平台方面做出了巨大的努力。在这项工作中,我们介绍了»摇滚之星«演示器的概念以及第一个PERC太阳能电池的I-V-结果,这些perc太阳能电池已使用演示器机器上的旋转丝网印刷单元进行了部分金属化。此外,还提出了通过互连»岩石星«Perc太阳能电池与智能Wire Interonnection技术(SWCT)制造的9细胞演示器模块。2摇滚乐演示器平台2.1演示器机器»摇滚明星的主要目标是开发用于硅太阳能电池高通量金属化的创新机器平台。雄心勃勃是要根据对所应用的旋转印刷方法进行基本和激烈评估的基础来实现具有高技术准备水平(TRL)[1] [1]的机器[2-6]。
基团。C – C 键的高反应性还会在各种反应条件下引起立方烷骨架的分解。13 为了开辟立方烷分子科学的新前景,我们开始了立方烷 C – H 转化化学的研究,其中我们选择立方烷的芳基化作为第一个也是最有价值的目标反应。芳基立方烷是立方烷衍生物,最近作为药理学上重要的联芳烃的生物电子等排体而受到关注。14 多芳基化立方烷是前所未有的立方烷衍生物,它们也因其由刚性定向芳基构建的独特、三维和多样化的化学空间而引人注目。在此,我们报道了一种通过定向邻位 -C – H 金属化进行的氨基立方烷钯催化芳基化反应。该方法允许在后期阶段对各种芳基基团进行区域选择性地安装到立方烷骨架上,最终首次合成了多芳基立方烷(图 1)。1988 年,Bashir-Hashemi 报道了立方烷的 C – H 苯基化,其中立方烷基溴化镁通过立方烷-1,4-双(N , N - 二异丙基酰胺)( 1a )的定向邻位锂化生成,然后用苯炔处理得到
摘要 — 有源植入式医疗设备的密封和非密封封装通常由氧化铝等陶瓷制成。丝网印刷 PtAu 糊剂是功能结构最先进的金属化方法。由于 Au 在热暴露下会发生固态和液态扩散,焊接时间有限;否则金属结构容易分层。此外,研究表明,带焊料的 PtAu 会在 37.4 年后失效。我们建立了一种氧化铝薄膜金属化工艺来克服这些缺点。金属化由溅射铂和钨钛制成的底层粘附层组成,以增加与氧化铝基板的粘附强度。由于金具有较高的扩散趋势,我们避免在这项工作中使用金。相反,所使用的材料具有相对较低的扩散特性,这可能会提高组装和封装过程中的长期机械性能和可用性。
摘要 金属化聚丙烯电容器(MPPC)因损耗低、自愈能力强等优点,在高压直流输电系统的模块化多电平换流器(MMC)中得到广泛应用。由于等效串联电阻的增加和电容量的减小,MMC中MPPC的性能随时间推移而劣化,因此MPPC的可靠性分析至关重要。本文提出一种考虑腐蚀失效的有限元法(FEM)来分析MPPC的可靠性。首先,建立MPPC的等效电模型和实际热模型,计算MPPC的损耗和温度分布。其次,利用FEM模型对MPPC的腐蚀失效进行分析和仿真,利用聚丙烯薄膜老化模型建立MPPC的寿命模型,并通过传统腐蚀失效寿命模型和浮充老化试验对模型进行验证。最后,在MMC模型中提取各子模块(SM)的电压,结合FEM模型和寿命模型分析各SM中MPPC的寿命。结果表明,在MMC中,靠近直流线或中间部分的各臂中的SM具有较短的MPPC寿命。
本研究调查了通过微波吸收局部点燃金属化推进剂的能力。通过直接写入增材制造(3D 打印)构建了金属化高能复合膜,该膜在聚偏氟乙烯 (PVDF) 聚合物基质内结合了高质量负载的铝和钛纳米颗粒燃料。对 Ti 和 Al 纳米颗粒的功率吸收模拟表明,钝化壳成分可能在观察到的点火现象中起着重要作用。构建了各种感兴趣的架构以实现可预测的微波点火和推进剂传播。研究发现,尽管铝纳米颗粒和复合材料不会通过暴露于微波而点燃,但钛纳米颗粒可用作高效的反应性微波感受器,从而实现局部点火源。这种方法使得先前研究的高能 Al/PVDF 系统的各种架构能够制造出来,并在战略位置配备微波敏感的钛复合材料,作为铝系统的远程点火手段。
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抛光超精度的第二或第三步,将公差从0.1微英寸拧紧到5个微英寸的金属(铁质和非有色人种),碳化物,陶瓷,蓝宝石,蓝宝石,Beo,AIN,AIN,AIN,99.6%铝,以及用于工业和科学应用的其他材料以及Microelectron的其他材料。注意:(1U-in = 0.000001”)