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World File Search System金属化
硅通孔 (TSV) 封装概述
• 2.5D IC 与 2D IC 的区别在于，2.5D IC 在芯片和基板之间添加了一个硅中介层，中介层上表面和下表面的金属化层之间通过 TSV 连接。[10] 这样，通过将芯片并排放置，就可以实现不同芯片之间的互连。例如：存储器芯片与逻辑芯片。
FR-995-陶瓷数据表_061323
FR-995 是一种通用高纯度氧化铝陶瓷材料，具有出色的介电性能、高抗压强度和良好的隔热性能。它比高纯度氧化铝陶瓷更软，更容易硬磨，并且可以进行厚金属化以创建适用于各种应用的密封组件。我们的 FR-995 可以在烧成前进行精密加工，从而能够制造复杂的软尺寸组件。
EC 536 VLSI制造和集成电路的测试
1技术和过程技术的选择BJT，CMOS和BICMOS集成电路，硅技术与GAAS。2个材料特性。3相图和固体溶解度。4晶体生长。 5热氧化。 6扩散（1）。 7扩散（2）。 +第7周评估 +中期考试。 8离子植入。 9蚀刻和清洁。 10种现代印刷技术。 11外延和化学蒸气沉积（CVD）。 12金属化。 +第12周考试13过程集成（CMOS和BJT）。 14测试程序和测试模式，测试流程图，计划和策略。 15故障诊断和模拟，测试设备。 s t u d e n t g r a d i n g＆a s s s s s s s s s s s s s s s m n t4晶体生长。5热氧化。 6扩散（1）。 7扩散（2）。 +第7周评估 +中期考试。 8离子植入。 9蚀刻和清洁。 10种现代印刷技术。 11外延和化学蒸气沉积（CVD）。 12金属化。 +第12周考试13过程集成（CMOS和BJT）。 14测试程序和测试模式，测试流程图，计划和策略。 15故障诊断和模拟，测试设备。 s t u d e n t g r a d i n g＆a s s s s s s s s s s s s s s s m n t5热氧化。6扩散（1）。 7扩散（2）。 +第7周评估 +中期考试。 8离子植入。 9蚀刻和清洁。 10种现代印刷技术。 11外延和化学蒸气沉积（CVD）。 12金属化。 +第12周考试13过程集成（CMOS和BJT）。 14测试程序和测试模式，测试流程图，计划和策略。 15故障诊断和模拟，测试设备。 s t u d e n t g r a d i n g＆a s s s s s s s s s s s s s s s m n t6扩散（1）。7扩散（2）。+第7周评估 +中期考试。8离子植入。9蚀刻和清洁。10种现代印刷技术。11外延和化学蒸气沉积（CVD）。12金属化。+第12周考试13过程集成（CMOS和BJT）。14测试程序和测试模式，测试流程图，计划和策略。15故障诊断和模拟，测试设备。s t u d e n t g r a d i n g＆a s s s s s s s s s s s s s s s m n t
参考解决方案研讨会 材料科学对功率半导体行业日益增长的重要性 2023 年 2 月 16 日，下午 15:30-17:00
Peter Imrich 博士在奥地利莱奥本大学获得材料科学博士学位，研究方向为微纳米机械材料行为。他于 2015 年加入英飞凌，担任金属化专家，专注于所有英飞凌前端技术以及与后端处理的交互。自 2021 年起，他领导位于奥地利菲拉赫的 KAI 汽车和工业电子能力中心的材料科学与模拟小组。
功率MOSFET WAFERS的降压 - 电气
Wafer Warpage是半导体制造商面临的基线问题，实际上，在与制造功率金属氧化物半导体磁场效应晶体管（MOSFET）的制造的人中尤为明显。这是因为垂直MOSFET与传统的外侧对应物相比会经历更大的经线效应。wafers超过其临界价值的瓦金（Wafers）在自动处理过程中无法通过吸尘器吸附来削减其临界价值；晶圆上制造的设备也面临可靠性问题。本文介绍了用于减少电源MOSFET晶体经纪的各种机制的分析。通过改变背面金属化（BSM）厚度，膜沉积的溅射功率和晶片温度（即将低温条件引入过程中）来检查扭曲行为。结果表明，当前端制造过程完成后，BSM厚度和晶圆的温度都与晶圆经膜的相关性明显相关。晶圆弓水平与溅射功率的大小直接成比例。当溅射功率降低时，诱发残留应力较小以变形晶片结构。因此，可以调整溅射功率，以确保扭曲效应保持在其临界值以下。关键字：经形，功率MOSFET，残余压力，背面金属化，溅射功率，低温温度
面向石油和天然气市场的技术陶瓷解决方案
• 经过验证的陶瓷等级，在高温高压下保持高介电强度，性能优于玻璃和 PEEK 等聚合物替代品 • 耐恶劣、腐蚀性化学环境 • 密封组件，100% 氦气泄漏测试至 10 -9 mbar l/s • 精密组件，可与子系统和设备进行最佳连接 • 设计专业知识、数字原型设计和模拟能力 • 全面生产能力 • 专有钎焊金属和定制金属化油墨 • 能够钎焊大型组件，否则必须使用劣质粘合剂或机械连接
通过快速剪切疲劳方法
提出了一种高度加速的剪切疲劳测试方法，以测试长期的可靠性并揭示热cu e cu球键的粘结界面。该方法是对新的工业疲劳测试仪（BAMFIT）的适应，并且可以在没有复杂的标本制备的情况下进行。此方法诱导机械循环剪应力向Cu指甲发出，以引发疲劳性断裂直至升出，从而揭示了实际的粘合界面。这项研究比较了与粗粒和细粒铜和Al金属化粘合的Cu电线的抗疲劳性。疲劳实验伴随着纳米压痕测试，剪切测试和有限元分析。疲劳结果表明，粗粒状Cu垫（金属化）的CU键最佳，然后是在细粒度Cu上键的键，而Cu e Al Nailheads比Cu e Cu键早于十年。在测试之前退火样品会导致CU键和Cu e Al键的负载周期数量（N F）的量略有增加，而N F中Cu键的散射增加了。由于断裂概率曲线的变化，疲劳数据的计算出的耐力极限随着退火阶段的增加而减少。具有比较几分钟内粘结界面的疲劳行为的能力，此方法最适合在开发的早期阶段快速资格。
后端VLSI设计课程内容
Course Content: Module 1: INTRODUCTION TO VLSI DESIGN: What is VLSI Design and Microelectronics / Practical Applications of Integrated Circuits / Why study VLSI Design and Microelectronics / Career Prospects in VLSI Design / ASIC Design Flow / Types of Integrated Circuits ( Full Custom / Semi Custom / Gate Array ) / State of the Art in VLSI Design.模块2：MOSFET的操作和建模：MOSFET作为开关 / NMOS和PMOS晶体管 / MOS设备 / MOS设备的物理 /操作 /电流方程在不同区域 /阈值电压 /身体效应 /车身效应 /通道长度调制 /速度饱和 /短通道效果 /简短通道效应 /简介Spice Simulation。模块3：CMOS工艺技术和芯片制造：半导体晶体生长 /晶圆制剂的简介 /外交 /氧化 /扩散 /光刻 /金属化 /金属化 /蚀刻 /芯片包装和测试。模块4：数字CMOS电路的电路设计和布局：组合和顺序电路 /逻辑门 /闩锁和flops和flops /逻辑设计样式 /逻辑系列。模块5：CMOS模拟电路设计 - 简介：MOSFET / MOS模型 /电流源 /电流镜像 /差分放大器 /比较器 / opamp / opamp / bgr / dac / dac / adc / pll / rf电路的电流方程。模块6：模拟布局 - 概述：电阻器 /电容器 / MOSFET /匹配技术的布局（互构化和公共质心布局） /可靠性问题 - 电气移民 / ir drop / crosstalk / crosstalk / latchup / eSD / eSD /天线效应。行业标准EDA / CAD介绍模拟布局。