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World File Search System金属化
PowerCu 软键合带
PowerCu Soft 键合带是 Heraeus 下一代功率器件的首选材料，可使模块工作温度高于 250°C。与标准铝键合带相比，PowerCu Soft 键合带具有出色的导电性、更高的熔断电流值和非凡的机械性能。它非常适合用于高工作温度和最高稳健性挑战的先进封装模块。由于铝和铜的机械性能不同，处理 PowerCu Soft 键合带需要更高的键合力和特殊的耗材。稳定且可控的键合工艺需要坚固的正面铜金属化。Heraeus Die Top System (DTS) 可提供完美的匹配解决方案。
面向芯片的选择性钴原子层沉积...
为了满足人工智能 (AI) 和高性能计算 (HPC) 等数据密集型应用的需求，需要更紧密的集成以最大限度地减少电气互连延迟和能耗。遗憾的是，随着器件规模缩小，片上互连寄生效应变得越来越重要，因此纳米级 CMOS 技术的传统器件规模缩小正在放缓。因此，人们对 3D 异构集成技术的兴趣日益浓厚，台积电的 SoIC [1] 和 AMD 的 3D V-Cache [2] 技术就是明证。3D 异构集成技术具有高密度互连、带宽和低功耗的潜力 [3]，但由于材料和小尺寸，键合技术存在局限性，这可能会带来挑战。例如，μ 凸块已采用回流或热压工艺制造，然而，随着其间距缩小，凸块下金属化 (UBM) 厚度开始成为瓶颈 [4- 5]。
下一代无铅焊接产品用于高速碰撞，封盖和微型封顶应用
抽象的翻转芯片互连和3-D包装应用必须利用可靠的无铅焊接接头，以生成高效，高级的微电子设备。与其他方法相比，由于较低的成本和更高的可靠性，通常用于这些应用最常用的焊料合金是snag，通常通过电镀沉积。用于撞击和封盖应用的snag产品的电镀性能和鲁棒性高度取决于此过程中使用的有机添加剂。在这里，将讨论不影响关键要求（例如紧密的Ag％控制，均匀的高度分布和光滑的表面形态）的下一代障碍产品，这些产品将提高焊料电沉积速率。然后对这些镀焊器进行评估，以兼容颠簸，封盖和微型封盖应用。关键词金属化，镀金，焊料，锡丝
500°C测试的96％基于氧化铝的包装系统...
•所有层：96％氧化铝基板和杜邦5771 AU厚膜金属化•内部设计的，商业上制造的，商业上的步骤I•Ferro 10-054玻璃作为粘合剂（蓝色）•堆叠•玻璃粘合剂湿•时，•水平对齐的“壁上”，在150°C下，在150°C下，在150°C下，lift lime d Dried速度，该速度为20分钟，仪式为20分钟。 850°C在空气中的盒子烤箱中，坡道速率为40°C/min。步骤iii•将Au糊（5771）添加到侧壁上的Au垫之间的空间•在150°C下干燥20分钟，坡度速率为40°C/min，在850°C下发射20分钟，坡道速率为40°C/min，在空气中的盒子烤箱
10A.5单向保险覆盖范围的蒸发升降机
关键字：通量角，蒸发，步骤覆盖，形成膜增长抽象典型蒸发过程始于10e-7 Torr范围。在这种高真空状态下，由于较长的平均自由路径，蒸发过程具有视线特征。设计用于升降机过程的蒸发器采用晶圆圆顶，其球形半径与源位置相匹配。与产生逆行角或底切轮廓的光刻过程相结合，该组合可以使清洁的金属升降机脱离。但是，相同的视线属性促进了金属提升的效果，从而导致了非保形步骤覆盖范围。使用常规的蒸发方法，共形步骤覆盖范围会导致升空难度。在这项工作中，我们将讨论雷神RFC最近开发的技术，该技术与标准升降机蒸发器相比提供了单向步骤覆盖优势。通过使用振荡晶圆运动，蒸发通量可以达到通常因膜增长而遮蔽的特征，从而改善台阶覆盖范围。此方法适用于希望在一个方向上的共形覆盖范围的应用。i ntrodruction金属化是通过大量蒸发的，然后是升降机以去除不需要的金属。电子束蒸发是一个简单有效的金属化过程。由于该过程通常在高真空下开始，因此涂层由于较长的平均自由路径而具有视线属性。不足的逆行角将在光震托上产生薄薄的金属层。产生逆行角度或产生垂直轮廓的双层过程的图像逆转照片过程将导致金属薄膜覆盖范围的不连续性，从而使清洁升降机可行。升空后，多余的金属将变成诸如纵梁，机翼或襟翼之类的缺陷。不幸的是，有益于提升过程的质量对于阶跃覆盖范围并不是最佳的。图1显示了一个金属层在另一个金属层上的阶梯覆盖的示例，该金属层由介电膜分开。
Imec 参加 2024 年国际互连技术会议
Sara Iraci 等人在本文中，我们介绍了一种基于 NbxTi(1-x)N (NbTiN) 的超导双金属级 (2ML) BEOL 单元工艺，该工艺是在 imec 的 300 毫米试验线上使用半镶嵌流程和 193i 光刻技术开发的。该单元工艺的特点是直接金属蚀刻线的最小临界尺寸 (CD) 为 50 nm，浅平面化通孔的最小 CD 为 80 nm，沉积温度为 420 °C，与 CMOS BEOL 电介质兼容。50 nm NbTiN 线的归一化线电阻表明，95% 的器件符合预期电阻 800-1200 Ω/µm，与覆盖膜电阻率一致。低温测量表明，NbTiN 导线和通孔的临界温度为 12-13.5 K，临界电流密度为 80- 113mA/µm2。▪ 低电阻堆叠通孔金属化用于未来的互连，Marleen H. van
OECD对出口信用安排的现代化
参与了矿石或矿物质的陆基提取，回收，加工和/或炼油（包括金属化），这些矿石或矿物是这些过程产生的产品构成了合格项目的供应链的一部分。因此，该项目类别的目的是为合格项目的供应链中推广材料，这是降低气候变化的关键。17该项目类别下的提案必须包括一个描述，表明该设施中很大一部分将构成合格项目的供应链的一部分。修订的布置还提供了可能覆盖的矿物质和矿石类型的说明性清单，包括铜，钴，镍，锂，稀土元素，铬，锌，铂金基团和铝。修订的安排进一步指出，除非参与者另有同意，否则该项目班将在2024年6月30日之后停止。18
采用全...设计和制造平面电感器
电子封装的小型化是一个持续的趋势。制造商正在增加封装密度以适应更复杂的设计和更高的工作频率。表面贴装器件 (SMD) 和当今的制造工艺开始成为这种小型化的限制因素。这些问题的解决方案是嵌入式无源器件和新的全加成制造工艺。在这项工作中，使用称为顺序构建 - 共价键合金属化 (SBU-CBM) 的全加成工艺制造平面电感器。测试了一种用于 CBM 工艺的新嫁接材料，但在 FR4 基板上测试时发现它比以前使用的材料更差。发现高电感和高 Q 因数的平面电感器的最佳设计是圆形螺旋电感器。使用 SBU-CBM 工艺成功制造了特征尺寸为 75 µm 的平面圆形螺旋电感器。
印刷电路板孔表面的调理和蚀刻
莫斯科，俄罗斯联邦 电子邮件：mariya.solopchuk.96@mail.ru，bardinaoi@yandex.ru，ngrigoryan@muctr.ru。摘要：这项工作致力于研究印刷电路板 (PCB) 孔化学镀铜之前的清洁调节和微蚀刻阶段的溶液。结果表明，在调节溶液中存在季胺的情况下，PCB 孔的带负电的初始表面会重新带电。这显然促进了随后带负电的钯活化剂胶体颗粒在 PCB 孔中的静电吸附。结果表明，微蚀刻溶液中铜离子的存在会导致表面粗糙度增加，这有助于提高所得金属层与电介质的粘附强度。关键词：印刷电路板、印刷电路板通孔、化学镀铜、通孔金属化、介电表面处理、表面充电、微蚀刻、清洁调节。1. 简介