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World File Search System金属化
在工业用电介质上制造铜图案......
在 DLW 技术中，值得注意的是直接激光金属化 (DLM) 技术，该技术专注于精确选择和合成前体，用一定强度和脉冲持续时间的激光照射，导致化学反应并在表面形成金属微图案 [23,37,38]。例如，研究表明，DLM 可成功用于在玻璃和陶瓷表面制造铜、镍、金和其他金属基微图案 [39,40,41]。由于许多纳米材料的前体制备可能很复杂且耗时，DLM 方法的进一步发展导致找到了廉价、环保且易于合成的新型前体。研究表明，深共熔溶剂 (DES) 可能取代人们所寻求的前体，这种溶剂此前已被证明是分析化学中的有效萃取剂 [42] 以及电化学金属化的介质 [43]。
优化绝缘体薄膜的双层剥离抗蚀剂工艺
利用 5G 延迟优势实现的 VCSEL 应用部署可以通过使用商业化技术来遵循行业发展时钟速度而受益。[1] 根据功率输出，VCSEL 器件可以根据沉积材料厚度和结构进行大致分类。[2] 本研究量化了与参考金属化膜铝最相关的双层结构特征，以便有效使用。它基于这些发现探索了成功使用常见金属氧化物绝缘体 (SiO 2 / Al 2 O 3 ) 双层处理所需的多元优化，各向同性溅射沉积厚度为 100nm 至 250nm。提出了一个表征关键变量的模型。此外，它还介绍了一种新的高温双层工艺，使用负像抗蚀剂，能够在高温绝缘体沉积期间保持稳定性。本研究确定了制造成功双层的尺寸目标，用于溅射绝缘体，适用于工艺优化，以促进不断发展的 III-V 应用。介绍
文章新型抗增殖药物联苯烟酰胺：与顺铂和长春花碱相比，其对 MCF-7 细胞作用的 NMR 代谢组学研究
摘要：对用新型烟酰胺衍生物 (DT-8) 处理的 MCF-7 细胞系进行了基于 1 H-NMR 的代谢组学研究，并与两种具有明确作用机制的药物进行了比较，即 DNA 金属化药物顺铂 (顺式二氨二氯铂 (II)，CDDP) 和抗有丝分裂药物长春花碱 (长春花碱，VIN)。通过细胞裂解物的 1 H-NMR 和光谱数据的多变量分析 (MVA)，研究了这三种化合物（每种化合物的浓度对应于 IC 50 值）相对于对照组 (K) 的影响。发现不同治疗组的代谢特征与对照组存在相关差异。DT-8 与 K 和 VIN 与 K 的代谢特征有很大的重叠，表明生物反应和作用机制相似，与 CDDP 相比有显著差异。另一方面，DT8 似乎通过一种暗示蛋氨酸耗竭和/或 S-腺苷甲硫氨酸 (SAM) 限制的机制，扰乱有丝分裂纺锤体并最终阻止细胞分裂。
IAAC2025 课程
ICEP-IAAC2025 正在成为电子封装领域的顶级会议，汇集了来自电子行业、学术界和研究机构的全球领军人物。本次活动将有超过 230 场口头和海报展示，创下 ICEP 的最高纪录。本次会议为来自全球学术和工业领域的研究人员和工程师提供了一个绝佳的平台，以应对新挑战并探索电子封装的未来研究方向。会议涵盖了广泛的主题，包括先进封装、设计、建模和可靠性、新兴技术、高速无线组件、热管理、互连、材料和工艺、光电子、电力电子等。此外，ICEP 的长期合作伙伴 iNEMI、IMPACT、ISMP 和 Pan-Pacific 将在其专门的会议上展示独特的区域技术趋势。日本应用物理学会 (JSAP) 的国际干法工艺研讨会 (DPS) 和先进金属化会议 (ADMETA) 也将在 ICEP-IAAC2025 上举办会议。
selfoc®微镜头
grin（dex中的gr Adient）镜头可以替代玻璃透镜上经常艰苦的抛光曲率手工艺。通过逐渐改变镜头材料中的折射率，光线可以平稳，不断地重定向到聚焦点。索引“梯度”的内部结构可以大大减少对紧密控制的表面曲率的需求，并导致简单，紧凑的透镜几何形状。梯度指数技术的关键在于折射率的受控变化。这是通过玻璃宿主材料中的高温离子交换过程实现的。由Go！Foton制造的自动镜头是由独特的离子交换过程产生的，该工艺产生的索引梯度比生产中当前使用的任何其他方法都更强。使用自助技术，光学工程师和研究人员可以在镜头的物理表面上形成真实的图像。这为将光耦合到光纤或通过内窥镜传递图像创造了独特的可能性。具有多种选择，包括AR（反射）涂层，金属化和倾斜的刻面，可以定制用于应用程序的Selfoc镜头。
设备规格
以下规格涵盖了 ARC150/S500-CL 电弧喷涂系统的标准范围。有关具体报价，请参阅详细报价单并交叉引用每台设备的零件编号。为了响应客户对系统灵活性的反馈，但其吞吐量要高于我们的 350A 系统，我们创建了 500A、ARC150/S500-CL 系统。客户反馈还表明，在某些情况下，600A 和 700A 系统很重（因为需要电缆容量）。由于在手动喷涂复杂结构时吞吐量很高，有时也很难控制均匀的涂层厚度。为此，Metallisation 为 ARC150 系统配备了 500A 激励器，在吞吐量、重量和控制之间实现了平衡。ARC150 的设计原则是使用成熟的推/拉技术和 ARC140 系统的风冷电缆。我们保持了长期供应能力，并且与 350A 系统相比，生产量提高了 40% 以上。枪、激励器、驱动装置和供应包都经过了重新设计，以适应增加的负载和喷涂电流。与所有金属化电弧喷涂系统一样，ARC150 被设计为在世界任何地方以 100% 的占空比运行。
巴勒莫大学
2 回顾WBG器件、SiC MOSFET、电源模块及其可靠性挑战。 6 2.1 WBG 器件 6 2.2 SiC MOSFET 特性 8 2.2.1 V gs（栅极 - 源极电压） 10 2.2.2 阈值电压 (V th ) 11 2.2.3 导通电阻 R on 12 2.3 SiC 功率模块 14 2.4 SiC 功率模块的当前行业实践 18 2.5 SiC MOSFET 的故障症状 21 2.5.1 栅极氧化层故障 21 2.5.2 体二极管故障 23 2.5.3 栅极漏电流故障 25 2.5.4 导致故障的雪崩事件 27 2.6 可靠性简介 28 2.6.1 功率模块中的电源循环 29 2.6.2 热膨胀和诱发应力 30 2.7 电源循环故障模式 31 2.7.1 引线键合疲劳 32 2.7.2 士兵退化 33 2.7.3 金属化重建 34 2.8 功率循环测试 35 2.8.1 功率循环寿命模型 38
MIM电容器的降低缺陷和产量提高
关键字：制造产量，MMIC，MIM电容器，压力，摘要这项工作的目的是观察和分析MIM电容器结构中的应变相关效应，从而导致制造产量的降解。我们的结果表明，形成MIM结构的层之间的应变差会导致SIN X绝缘子层中应力诱导的缺陷。可以观察到这些缺陷，当MIM结构的面积 /电容增加时，它们成为一个显着的屈服限制。根据我们的技术，我们提出了一些过程和设计修改，以解决与压力相关的问题。测试了每种方法，并提出了产生的产量。ntroduction 用于金属构造仪（MIM）电容器的单片微波集成电路（MMIC）模具。 在高效放大器的现代设计中，MIM结构的数量和大小增加。 另一方面，据报道，集成的MIM电容器是导致2009年至2016年期间客户回报的失败机制的10个主要原因之一[1]。 因此，所有元素的累积产量，尤其是MIM电容器，应保持最高水平，以维持可靠的技术和低成本。 我们以前研究了电容器底部电极对MIM电容器产量的粗糙度的影响[2]。 此类缺陷是最明显的，并且相对容易通过光学检查检测。 可以使用适当的金属化技术和高级MIM层结构来减轻它们（例如，见图 [1]的5个）。用于金属构造仪（MIM）电容器的单片微波集成电路（MMIC）模具。在高效放大器的现代设计中，MIM结构的数量和大小增加。另一方面，据报道，集成的MIM电容器是导致2009年至2016年期间客户回报的失败机制的10个主要原因之一[1]。因此，所有元素的累积产量，尤其是MIM电容器，应保持最高水平，以维持可靠的技术和低成本。我们以前研究了电容器底部电极对MIM电容器产量的粗糙度的影响[2]。此类缺陷是最明显的，并且相对容易通过光学检查检测。可以使用适当的金属化技术和高级MIM层结构来减轻它们（例如，见图[1]的5个）。从我们的优化工作中，降低MIM电容器产量的原因如下：用于MIM结构的介电（SIN X）的材料特性和质量，底部电极的表面质量，由于夹层MIM结构而导致的热和/或机械应力相关问题。在这项工作中，我们提出了基于SIN X的MIMS的设计修改，以减少与热 /机械应力引起的绝缘体菌株相关的电容器故障。
6 位、X 波段核心芯片 8 - 12 GHz
• AESA 雷达 • 电信 • 仪器仪表 描述 CGY2170YHV/C1 是一款在 X 波段工作的高性能 GaAs MMIC T/R 6 位核心芯片。该产品有三个 RF 端口，包括三个开关、一个 6 位移相器、一个 6 位衰减器和放大器。它的移相范围为 360°，增益设置范围为 31.5 dB。移相器和第一放大器级之间还有一个电压可变衰减器，用于增益控制。它覆盖的频率范围为 8 至 12 GHz，并在 10 GHz 时提供 5.8 dB 的增益。带有串行输入寄存器的片上控制逻辑最大限度地减少了控制线的数量，并大大简化了该设备的控制接口。该芯片采用 0.18 µm 栅极长度 ED02AH pHEMT 技术制造。 MMIC 采用金焊盘和背面金属化，并采用氮化硅钝化进行全面保护，以获得最高水平的可靠性。该技术已针对太空应用进行了评估，并被列入欧洲航天局的欧洲首选部件清单。
设备规格
以下规格涵盖了 ARC150/S500-CL 电弧喷涂系统的标准范围。有关具体报价，请参阅详细报价单并交叉引用每台设备的零件编号。为了响应客户对系统灵活性的反馈，但其吞吐量要高于我们的 350A 系统，我们创建了 500A、ARC150/S500-CL 系统。客户反馈还表明，在某些情况下，600A 和 700A 系统很重（因为需要电缆容量）。由于在手动喷涂复杂结构时吞吐量很高，有时也很难控制均匀的涂层厚度。为此，Metallisation 为 ARC150 系统配备了 500A 激励器，在吞吐量、重量和控制之间实现了平衡。ARC150 的设计原则是使用成熟的推/拉技术和 ARC140 系统的风冷电缆。我们保持了长期供应能力，并且与 350A 系统相比，生产量提高了 40% 以上。枪、激励器、驱动装置和供应包都经过了重新设计，以适应增加的负载和喷涂电流。与所有金属化电弧喷涂系统一样，ARC150 被设计为在世界任何地方以 100% 的占空比运行。