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World File Search System金属层
印刷电路板孔表面的调理和蚀刻
莫斯科，俄罗斯联邦 电子邮件：mariya.solopchuk.96@mail.ru，bardinaoi@yandex.ru，ngrigoryan@muctr.ru。摘要：这项工作致力于研究印刷电路板 (PCB) 孔化学镀铜之前的清洁调节和微蚀刻阶段的溶液。结果表明，在调节溶液中存在季胺的情况下，PCB 孔的带负电的初始表面会重新带电。这显然促进了随后带负电的钯活化剂胶体颗粒在 PCB 孔中的静电吸附。结果表明，微蚀刻溶液中铜离子的存在会导致表面粗糙度增加，这有助于提高所得金属层与电介质的粘附强度。关键词：印刷电路板、印刷电路板通孔、化学镀铜、通孔金属化、介电表面处理、表面充电、微蚀刻、清洁调节。1. 简介
适用于单脉冲雷达和生物医学传感器应用的集成混合耦合器
180 度混合耦合器设计为在 5 至 10 GHz 频率范围内小型化，求和端口相移为 0 度，差分端口相移为 180 度。小型化可以最大限度地降低功耗，而无源元件可以解决微带线基板材料复杂的可达性问题！将在 Cadence 中选择和设计电感器的金属层，并确定金属的磁导率和介电常数。设计过程从先进设计系统 (ADS) 中的环形混合耦合器微带线开始，到集总无源元件，再到 Cadence 中的有源 65nm CMOS 实现。仿真结果显示，通过中心抽头电感的材料在 EMX 仿真后产生了寄生电感，使感兴趣的频率带宽向左移动 1GHz。无源电路的正向增益为-10dB，回波损耗约为-6dB。已进行文献研究以缩小混合耦合器的体积并分析其性能参数。最终结果表明，仅使用了四个无源元件，覆盖了感兴趣的频带5GHz。
增强数据驱动的城市洪水的普遍性...
基于抽象的层激光添加剂制造技术在制造具有复杂形状的金属复合材料方面具有巨大的多功能性和灵活性。有兴趣产生具有高级特征的新的多物质材料的兴趣超过了可用的方法，这些方法可提供对散装材料形成的见解，进而可以实现过程和材料优化。虽然一些高级操作研究可以在已建立的金属层中进行高度局部观察，但大部分材料中固有的固有热处理的影响通常超出了操作的表征。在这里，我们通过高级Operando Neutron成像接近该政权，该成像利用中子光束线上定制设计的激光粉末融合设备。Operando偏振对比中子成像实验在建筑物厘米的标本中进行，具有不同的粉末预混合组成为316L和CUCRZR。这些全场上分辨的测量结果揭示了在整个样品和加工时间中铁磁相和温度的定量演化。
分析玻璃的热膨胀系数
随着制造过程的发展，观察到金属纤维复合材料在机械工程中的重要性的提高。这些是由适当排列的金属层和各种纤维组成的材料。在机器和设备组件的构建中，复合材料的广泛使用意味着它们通常会在可变的温度条件下使用。本文的目的是对典型复合材料的热膨胀分析：碳纤维增强聚合物，玻璃纤维增强聚合物，玻璃增强铝层压板和碳纤维钢筋均匀的碳纤维增强铝层。EN AW-6060铝合金用作参考材料。扩张测试的目的是确定热膨胀系数和在高达100°C的高温下复合材料的尺寸稳定性。EN AW-6060铝合金的特征是最高的line ear膨胀系数（20.27×10 -6 1/K）。含有玻璃纤维的复合材料的特征是最低的正线性热膨胀系数。在经过测试的复合材料中，CARALLS列出了最低的热膨胀系数。关键字：热膨胀系数，复合材料，扩张分析，温度，热范围
高弹性N型钼二硫化物晶体管中的分数量子厅
基于半导体过渡金属二分法的晶体管可以提供高载体的迁移率，强旋转 - 轨道耦合以及在量子接地状态下固有强的电子相互作用。这使它们非常适合在低温下用于纳米电子产品。然而，在低温温度下与过渡金属二甲基化金属层建立强大的欧姆接触非常困难。因此，无法达到费米水平靠近带边缘的量子极限，从而探测了分数填充的Landau级级别中的电子相关性。在这里我们表明，使用窗户接触技术可以在从Millikelvins到300 K的温度范围内创建与N型钼二硫化物的欧姆接触。我们观察到超过100,000 cm 2 v -1 s -1的场效应，在低温下的传导带中，超过3,000 cm 2 v -1 s -1的量子迁移率超过3,000 cm 2 v -1 s -1。我们还报告了在最低的双层钼二硫化物中，填充4/5和2/5的分数量子厅状态的证据。
全加成共价键合 PCB 制造工艺（SBU-CBM 方法）的详细表征
摘要：为了弥合 IC 级和板级制造之间的技术差距，文献中已经展示了一种完全添加的选择性金属化。在本文中，概述了制造过程中涉及的每个步骤的表面特性，并进行了表面的块状金属化。该生产技术使用聚氨酯作为环氧树脂，并使用专有的接枝化学方法在 FR-4 基板上用共价键对表面进行功能化。然后使用化学镀铜 (Cu) 浴对表面进行金属化。分析了使用光化激光束和钯 (Pd) 离子沉积 Cu 的这种逐层生长。采用最先进的材料表征技术来研究界面处的工艺机制。进行了密度泛函理论计算以验证层间共价键的实验证据。这种制造方法能够在相当低的温度下以选择性的方式向印刷电路板添加金属层。本文对使用材料块状沉积的工艺进行了完整的分析。
CNT 互连优化 - Enlighten Publications
摘要 — 本文第一部分介绍了 5 纳米碳纳米管场效应晶体管 (CNFET) 静态随机存取存储器 (SRAM) 单元的尺寸和参数优化。在此基础上，我们提出了一种由原理图优化的 CNFET SRAM 和 CNT 互连组成的碳纳米管 (CNT) SRAM 阵列。我们考虑由金属单壁 CNT (M-SWCNT) 束组成的 CNFET SRAM 单元内部的互连来表示金属层 0 和 1 (M0 和 M1)。我们研究了考虑 CNFET 器件、M-SWCNT 互连和金属电极钯与 CNT (Pd-CNT) 触点的 CNFET SRAM 单元的布局结构。探索了两种版本的单元布局设计，并在性能、稳定性和功率效率方面进行了比较。此外，我们实现了一个 16 Kbit SRAM 阵列，由提出的 CNFET SRAM 单元、多壁 CNT (MWCNT) 单元间互连和 Pd-CNT 触点组成。这种阵列表现出明显的优势，其读写总能量延迟积（EDP）、静态功耗和核心面积分别为采用铜互连的7nm FinFET-SRAM阵列的0.28×、0.52×和0.76×，而读写静态噪声裕度分别比FinFET高6%和12%。
基于人工智能的增材制造修复设计优化方法（混合方法）
摘要：使用增材制造 (AM) 进行修复和恢复的概念是在破损的部件上构建新的金属层。这对于市场上不再可用的复杂零件是有益的。优化方法用于解决产品设计问题，以生产高效且高度可持续的产品。设计优化可以改进零件的设计，从而提高在报废 (EoL) 阶段使用增材制造进行修复和恢复过程的效率。在本文中，目标是回顾在 EoL 阶段或 EoL 阶段再制造和恢复产品的策略，并使用 AM 促进该过程。再制造的设计优化对于减少维修和恢复时间非常重要。本综述论文重点介绍了 AM 在修复和恢复方面的主要挑战和限制。分析和介绍了各种 AI 技术，包括可以集成到 AM 设计中的混合方法。本文强调了研究差距并为未来的研究方向提供了建议。总之，将人工神经网络（ANN）算法与遗传算法相结合作为一种混合方法是解决局限性的关键解决方案，也是使用增材制造进行修复和恢复的未来。
采用脊基片集成波导的宽阻带 220 至 330 GHz 歧管三工器
摘要 — 本文报道了一种三通道、非连续、流形多路复用器，工作频率为 220 至 330 GHz，工作带宽为 40%。该结构采用一组脊状基片集成波导 (SIW) 进行设计和实现。与传统 SIW 设计相比，脊状 SIW 提高了阻带带宽，并将整体结构尺寸缩小了 35%。三工器采用英特尔开发的有机封装基板技术，具有四层厚铜金属层和连续沟槽通孔代替标准通孔围栏，可显著降低脊状 SIW 波导的欧姆损耗。在三工器结构的开发中采用了电磁电路建模和协同设计技术。使用带状毫米波晶圆探测测量制造的三工器，通带中的插入损耗为 3 ∼ 7 dB，每个通道滤波器的平均回波损耗优于 10 dB。测得的三个通道的阻带衰减均优于 27 dB。
采用脊基片集成波导的宽阻带 220 至 330 GHz 歧管三工器
摘要 — 本文报道了一种三通道、非连续、流形多路复用器，工作频率为 220 至 330 GHz，工作带宽为 40%。该结构采用一组脊状基片集成波导 (SIW) 进行设计和实现。与传统 SIW 设计相比，脊状 SIW 提高了阻带带宽，并将整体结构尺寸缩小了 35%。三工器采用英特尔开发的有机封装基板技术，具有四层厚铜金属层和连续沟槽通孔代替标准通孔围栏，可显著降低脊状 SIW 波导的欧姆损耗。在三工器结构的开发中采用了电磁电路建模和协同设计技术。使用带状毫米波晶圆探测测量制造的三工器，通带中的插入损耗为 3 ∼ 7 dB，每个通道滤波器的平均回波损耗优于 10 dB。测得的三个通道的阻带衰减均优于 27 dB。