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数字光处理™：一种基于 MEMS 的新型显示器...
为了帮助您彻底了解 D M D 像素结构及其处理方法，我们使用了几个图，包括爆炸视图、剖面视图和电气示意图。图 6 以爆炸视图的形式显示了图 4 中的像素结构，说明了各个层之间的关系，包括用于寻址像素的底层静态随机存取存储器 (SRAM) 单元。图 7 显示了 3 x 3 像素阵列的渐进剖面视图。图 8 描述了各层如何电气连接，并定义了必须施加到像素以实现正确开关动作的偏置和地址电压。D M D 像素是一个在 CMOS SR A M 单元上制造的单片集成 M E MS 上层结构单元。等离子体作为牺牲层，在上层结构的金属层之间形成空气间隙。空气间隙使结构可以自由旋转，绕两个柔性扭转铰链转动。镜子连接到下层轭架，轭架通过两个扭转铰链悬挂在支撑柱上。轭是静电的，被吸引到下面的轭地址选择的电极上。镜子是
从多指双极晶体管中的测量数据中提取真实的手指温度
摘要 - 在此简介中，我们提出了一种逐步策略，以准确估计基于硅的多纤维双极晶体管结构中的纤维温度，从常规的调查中。首先，我们在给定的环境温度下提取几乎零动力的自加热电阻（r TH，II（t a））和热耦合因子（C IJ（t a））。现在，通过将叠加原理应用于几乎零功率的这些变量上，其中保留了热扩散方程的线性，我们估计有效的热电阻（r th，i（t a））和相应的修订后的效率温度t i（t a）。最后，Kirchhoff在T I（t a）上的trans形得出每个纤维处的真实温度（t i（t a，p d））。所提出的提取技术自动包括晶体管结构中存在的后端金属层和不同类型的沟渠的影响。该技术是针对具有不同发射极尺寸的双极晶体管的3D TCAD模拟结果验证的，然后应用于从stmicroelectronics B5T技术中从最先进的多纤维sige HBT获得的实际测量数据。可以观察到，原始测量数据在40 mW左右的叠加量低估了真正的纤维温度约10％。
从高渗透合金到具有高熵的合金：材料科学和工程的新范式，用于推进可持续冶金
高渗透合金（HEAS）的开发标志着合金设计的范式转移，从传统的方法中转移到了优先考虑较小元素增强的优先基础金属的传统方法。HEAS相反，没有单个主导成分的多个合金元素，从而扩大了合金设计的范围。这种转变导致创建具有高熵（AHES）家族的各种合金，包括高熵钢，超级合金和金属层间，每种都强调了需要考虑其他因素，例如堆叠故障能量（SFE），晶状体失误和抗形边界能量（抗形边界能量（APBE）），这是由于对显微镜的影响而产生的重大影响。在合金中利用多个元素为开发来自多组分废料和电子废物的新合金的有希望的可能性，从而减少了对关键金属的依赖，并强调了对高级数据生成技术的需求。凭借这些多组分原料提供的巨大可能性，建模和基于人工智能的工具对于有效探索和优化新合金至关重要，从而支持冶金中的可持续发展。这些进步要求重新构想合金设计框架，强调强大的数据获取，
单片 3D 集成中高效可扩展的带扩展栅极的 MIV 晶体管（已在 MWSCAS 2023 中接受）
摘要 — 单片 3D 集成已成为满足未来计算需求的有前途的解决方案。金属层间通孔 (MIV) 在单片 3D 集成中形成基板层之间的互连。尽管 MIV 尺寸很小，但面积开销可能成为高效 M3D 集成的主要限制，因此需要加以解决。以前的研究集中于利用 MIV 周围的基板面积来显着降低该面积开销，但却遭受了泄漏和缩放因子增加的影响。在本文中，我们讨论了 MIV 晶体管的实现，它解决了泄漏和缩放问题，并且与以前的研究相比，面积开销也有类似的减少，因此可以有效利用。我们的模拟结果表明，与之前的实现相比，所提出的 MIV 晶体管的漏电流 (ID,leak) 减少了 14 K ×，最大电流 (ID,max) 增加了 58%。此外，使用我们提出的 MIV 晶体管实现的逆变器的性能指标，特别是延迟、斜率和功耗降低了 11.6%，17.与之前的实现相比，在相同的 MIV 面积开销减少的情况下，分别降低了 9% 和 4.5%。索引术语 — 单片 3D IC、垂直集成、片上器件
单片 3D 集成中具有扩展栅极的高效可扩展 MIV 晶体管
摘要 — 单片 3D 集成已成为满足未来计算需求的有前途的解决方案。金属层间通孔 (MIV) 在单片 3D 集成中形成基板层之间的互连。尽管 MIV 尺寸很小，但面积开销可能成为高效 M3D 集成的主要限制因素，因此需要加以解决。以前的研究主要集中在利用 MIV 周围的基板面积来显着降低该面积开销，但却遭受了泄漏和缩放因子增加的影响。在本文中，我们讨论了 MIV 晶体管的实现，它解决了泄漏和缩放问题，并且与以前的研究相比，面积开销也有类似的减少，因此可以有效利用。我们的模拟结果表明，与之前的实现相比，对于所提出的 MIV 晶体管，漏电流 (ID,leak) 减少了 14 K ×，最大电流 (ID,max) 增加了 58%。此外，使用我们提出的 MIV 晶体管实现的逆变器的性能指标，特别是延迟、斜率和功耗降低了 11.6%，17.与之前的实现相比，在相同的 MIV 面积开销减少的情况下，分别降低了 4.9% 和 4.5%。索引术语 — 单片 3D IC、垂直集成、片上器件
Develset：即时掩模优化的深神经级
摘要 - 作为分辨率增强技术的关键技术之一（RET），光学接近校正（OPC）的计算成本过高，作为特征尺寸缩小的缩小。逆光刻技术（ILTS）将掩模优化过程视为反向成像问题，产生高质量的曲线掩模。但是，由于其时间消耗程序和过多的计算开销，ILT方法通常无法打印性能和制造性。在本文中，我们提出了DEVELSET，这是一种有效的金属层OPC引擎，该发动机替换了基于隐式级别设置表示的离散基于像素的掩码。使用GPU加速的岩性模拟器，Develset使用神经网络实现端到端掩模优化，以提供准优化的水平设置初始化，并使用基于CUDA的掩模优化器进行快速收敛。Develset-NET的骨干是一个基于变压器的多重型神经网络，它提供了一个参数选择器，以消除对手动参数初始化的需求。实验结果表明，DEVELSET框架在可打印性方面优于最先进的方法，同时实现快速运行时性能（约1 s）。我们期望这种增强的水平设定技术，再加上CUDA/DNN加速的关节优化范式，对工业面罩优化解决方案产生了重大影响。
静态掩蔽技术在磁控溅射技术中线性可变滤光片生产中的应用
从设计角度来看，获得可变滤波器的可能性取决于多层涂层的光谱特性与某些层（如果不是全部）厚度的依赖关系。在由两个金属镜形成的法布里-珀罗滤波器的特定情况下，腔层厚度的简单变化会使其中心波长发生偏移。这种简单的结构具有自然提供宽抑制带的优势，但不足以提供尖锐的过渡带通，并导致高吸收损耗。为了改善最后一点，一种解决方案是使用所谓的感应透射滤波器方法，其中金属层放置在介电法布里-珀罗滤波器腔内电场分布最小处 [2-4]。然而，生产具有任意指定抑制、宽度和锐度特性的滤波器的唯一方法是使用标准的全介电方法，该方法由多腔法布里-珀罗结构与附加介电短波长和长波长通断滤波器相关联形成。在这种情况下，所有层的厚度必须通过一个公共因子进行调整，从而产生比例的波长偏移，以产生可变滤波器[5,6]。
2019 年奖项提名
创新名称：CorrosionRADAR – CUI 监测系统 被提名人 CorrosionRADAR Ltd 类别：其他 - 监测涂层和衬里仪器仪表阴极保护测试材料设计完整性评估化学处理其他 - 填写 创新开发日期：（从 [2014 年 10 月] 到 [2018 年 10 月]）网站：www.corrosionradar.com 摘要描述：CorrosionRADAR (CR) 是英国克兰菲尔德大学的衍生公司，它开创了一种新颖的分布式传感腐蚀监测方法（正在申请专利），该方法特别适用于及早指示隐藏腐蚀位置的问题，例如绝缘层下腐蚀 (CUI)。这些传感器采用细长柔性波导的形式，嵌入在管道或容器外表面附近的绝缘层内。CR 传感器具有最外层的牺牲金属层，在有水的情况下会自我腐蚀，方式与管道表面类似。 CR 传感器使用沿长传感器的微波引导雷达信号激活，波反射的飞行时间定位管道长度上传感器附近的腐蚀和水的存在。它使用工业物联网 (IIoT) 系统来确保这些传感器收集的信息能够被远程访问、存储和处理。CR 技术使 CUI 能够进行预测性维护，收集的数据对 RBI 方法非常有价值。该技术目前处于产品 pi 阶段
N 型隔离 CMOS 和 HV MOSFET 的开发
摘要 — 本文报告了一种完全集成但隔离的低压 (LV) CMOS 与高压 (HV) 横向功率 MOSFET 的设计和工艺流程，该 CMOS 位于 6 英寸 4H-SiC 基板上，用于开发 HV SiC 功率 IC。用于开发功率 IC 的外延堆栈（N + 基板上的 N - 外延/P - 外延）经过优化，以容纳和隔离 HV 器件和电路与 LV 器件和电路。本文报告的器件是在位于加利福尼亚州圣何塞的 150 毫米生产级 Analog Devices Inc. (ADI) Hillview 制造工厂制造的。本文中的 HV 横向 NMOSFET 在栅极源电压 (V gs ) 为 25V 时表现出 620V 的击穿电压 (BV) 和 9.73 mΩ⸱cm 2 的特定导通电阻 (R on,sp )。采用单栅极氧化物和欧姆工艺制造 HV NMOS 和 LV CMOS 器件和电路。实施了结隔离，以隔离高压和低压块，从而设计高压电源 IC。最后，这项工作实施了高压三金属层后端 (BEOL) 工艺，这是开发可靠和坚固的电源 IC 的必要条件。对于未来的高温应用，器件的静态性能经过表征，并报告高达 200 o C 的温度。
纳米级非共线旋转纹理D2D Heusler Compound
和铁磁交换相互作用。也许最广泛研究的旋转纹理是，首先是在非中心体B20化合物中观察到的类似Bloch的天空，无论是在单个Crys-talls [5]中，在[10]和第二个薄膜中的外皮膜中，第二，在薄膜中层中的Néel-like skyrim层中的néel-like skyrim层中的厚度金属层和厚度的厚度层均层层。[6,11]前者依赖于体积，后者是派生的dmi界面。在最近的研究中，已经证明了基于四Yz的逆元2 yz的抗速素家族可以维持磁性反孔m，[12-14]另一种类型的非共线性自旋纹理，表现出独特的拓扑特征，此外，椭圆形的bloch skyrmions。[15]这些纹理是基础D 2D晶体对称性的结果，该晶体对称性必然引起各向异性DMI。该DMI还导致反对者在场和温度方面的稳定性增强，并且通过简单地改变存在的薄片的厚度来使其大小的极端可调性。[16,17]后者是偶极 - 偶极相互作用的结果，在与低对称性相对的相对量中很重要，例如D 2D，也解释了同一材料系统中椭圆形Bloch Skyrmions的可能性。[15,18,19]