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World File Search System金晶
纽金集团
前瞻性陈述符合经修订的 1933 年证券法第 27A 条和经修订的 1934 年证券交易法第 21E 条的规定，在本年度报告表 10-K 中有所提及，包括与管理层对新产品推出的期望、我们某些组件、原材料和成品来源的充分性以及我们利用某些库存的能力有关的陈述。为此，本文中包含的任何非历史事实陈述均可视为前瞻性陈述。在不限制前述内容的情况下，“相信”、“预期”、“计划”、“期望”、“寻求”、“估计”等词语和类似表达旨在识别前瞻性陈述。这些前瞻性陈述旨在提供我们对未来事件的当前期望或预测；基于当前的估计、预测、信念和假设；并非对未来业绩的保证。实际事件或结果可能与前瞻性陈述中描述的结果存在重大差异。有许多重要因素，包括竞争、招聘和对关键员工的依赖、天气对农业和粮食生产的影响、持续的 COVID-19 疫情对我们业务的影响、俄罗斯入侵乌克兰和相关制裁造成的全球业务中断、经营成果、流动性、财务状况和股票价格、通货膨胀、供应链、收购的识别和整合、研发风险、专利和商业秘密保护、政府监管、与完成 3M 交易相关的风险以及第 1A 项中详述的其他风险。本 10-K 表中的风险因素以及公司不时提交给美国证券交易委员会 (SEC) 的报告中的风险因素，可能导致 Neogen Corporation 的结果与此类前瞻性陈述所示的结果存在重大差异。
纽金集团
前瞻性陈述符合经修订的 1933 年证券法第 27A 条和经修订的 1934 年证券交易法第 21E 条的规定，在本年度报告表 10-K 中有所提及，包括与管理层对新产品推出的期望、我们某些组件、原材料和成品来源的充分性以及我们利用某些库存的能力有关的陈述。为此，本文中包含的任何非历史事实陈述均可视为前瞻性陈述。在不限制前述内容的情况下，“相信”、“预期”、“计划”、“期望”、“寻求”、“估计”等词语和类似表达旨在识别前瞻性陈述。这些前瞻性陈述旨在提供我们对未来事件的当前期望或预测；基于当前的估计、预测、信念和假设；并非对未来业绩的保证。实际事件或结果可能与前瞻性陈述中描述的结果存在重大差异。有许多重要因素，包括竞争、招聘和对关键员工的依赖、天气对农业和粮食生产的影响、持续的 COVID-19 疫情对我们业务的影响、俄罗斯入侵乌克兰和相关制裁造成的全球业务中断、经营成果、流动性、财务状况和股票价格、通货膨胀、供应链、收购的识别和整合、研发风险、专利和商业秘密保护、政府监管、与完成 3M 交易相关的风险以及第 1A 项中详述的其他风险。本 10-K 表中的风险因素以及公司不时提交给美国证券交易委员会 (SEC) 的报告中的风险因素，可能导致 Neogen Corporation 的结果与此类前瞻性陈述所示的结果存在重大差异。
金港MA
• IEEE Conference on Computer Vision and Pattern Recognition (CVPR) 2019–2022, 2024 • IEEE International Conference on Computer Vision (ICCV) 2019, 2021 • European Conference on Computer Vision (ECCV) 2020, 2022 • AAAI Conference on Artificial Intelligence (AAAI) 2020–2022 • Neural Information Processing Systems (NeurIPS) 2020, 2021 • IEEE International Conference on Multimedia and Expo (ICME) 2019 • ACM SIGGRAPH 2013–2020, 2022, 2023 • ACM SIGGRAPH Asia 2013–2019, 2021, 2022 • Eurographics 2010, 2013–2018, 2020 • Pacific Graphics 2011, 2013, 2014, 2018 • Computer Graphics International (CGI) 2012 • CAD/Graphics 2013 • Asian Conference on Computer Vision (ACCV) 2016 • IEEE VR 2018•图形上的ACM交易•图像处理上的IEEE交易•IEEE可视化和计算机图形的IEEE交易•IEEE计算机图形和应用程序
晶圆级光学制造
市场研究公司 Omdia 在其《SiC 和 GaN 功率半导体报告——2020 年》（见第 74-75 页）中指出，受混合动力和电动汽车 (HEVs/EVs)、电源和光伏 (PV) 逆变器需求的推动，碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 功率半导体市场预计将在 2021 年超过 10 亿美元，因为它正迅速从初创公司主导的行业发展为由大型知名功率半导体制造商主导的行业。例如，三菱电机现已推出其第二代全 SiC 功率模块，采用新开发的低功耗工业用 SiC 芯片（第 15 页）。此外，在美国空军研究实验室 (AFRL) 的一项第一阶段小型企业技术转移研究 (STTR) 项目的资助下，结构材料工业公司 (SMI) 开发了一种用于 4H-SiC 的低温化学气相沉积 (CVD) 工艺，可实现用于高压功率器件的厚外延层的更高速率生长（同时缩短工艺周期和设备磨损）（第 14 页）。与此同时，SMI 还与纽约州立大学 (SUNY) 奥尔巴尼理工学院合作，获得了美国能源部授予的第一阶段 STTR 合同，以开发普遍的制造基础设施 - 包括改善大晶圆金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 均匀性 - 用于在高电流和高电压 (>20A/>600V) 下运行的 GaN，用于电动汽车电力电子设备（第 16 页）。正在推进 GaN 器件功能的制造商包括 EPC，该公司已推出其最新的 100V eGaN FET 系列，面向自动驾驶汽车的 LiDAR 等应用（第 18 页）。GaN 器件在电源应用（例如消费电子产品的快速充电器）中的应用持续激增（尤其是随着性能的提高）。例如，在 Apple iPhone 12 预计于今年晚些时候发布之前，移动配件品牌 Spigen PowerArc 已在新款 20W ArcStation Pro 中使用了 Navitas 的 GaNFast 电源 IC。与此同时，中国的 OPPO 已采用 GaNFast 电源 IC，用于据称是最小、最薄、最轻的 110W 智能手机、平板电脑和笔记本电脑快速充电器（第 19 页）。除了通过向制造合作伙伴 Nexperia 授予许可来增加收入外，Transphorm 还扩展了其高压 GaN 电源转换设备产品组合，旨在推动快速充电电源适配器的普及（第 20 页）。GaN Systems 宣布推出一款新的参考设计，用于包括手机和笔记本电脑在内的消费电子产品中的高功率密度 65W 充电器（第 21 页）。Mark Telford，编辑 mark@semiconductor-today.com该公司还发布了一份白皮书，展示了其 GaN 器件的可靠性，超过了 JEDEC 和 AEC-Q101 测试规范的标准。在新加坡，IGSS GaN (IGaN) 正在建立一个 Epi 中心，作为 4-8 英寸晶圆 GaN MOCVD 的商业和全球联合实验室，将于 2021 年中期投入运营（第 22 页）。最近，就在 9 月 29 日，总部位于荷兰的 NXP Semiconductors 在其位于亚利桑那州钱德勒的工厂开设了新的 8 英寸晶圆 GaN 晶圆厂，专门用于蜂窝基础设施的 5G RF 功率放大器。新晶圆厂已经通过认证，初始产品正在市场上迅速推广，预计将在 2020 年底达到满负荷生产（下一期新闻页面将全面报道）。
晶澳太阳能科技有限公司
七、境内外会计准则下会计数据差异 1、按照国际财务报告准则与中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异 □ 适用 不适用 公司报告期不存在按照国际财务报告准则与中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况。 2、按照境外会计准则与中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况 □ 适用 不适用 公司报告期不存在按照境外会计准则与中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况。 八、季度财务指标
基于多功能传感器的光晶纤维 - ...
后期：Bilal M.，Lopez-Aguayo S.，Szczerska M.，Madni H.，使用等离子体材料和磁性流体基于光子晶体纤维的多功能传感器，OSA Continuum vol。61，ISS。 35（2022），pp。 10400-10407，doi：10.1364/optcon.456519©2022 Optica Publishing Group。 只能为个人使用而制作一张或电子副本。 系统的复制和分布，本文中的任何材料的复制，以收费或出于商业目的或本文内容的修改。61，ISS。35（2022），pp。10400-10407，doi：10.1364/optcon.456519©2022 Optica Publishing Group。只能为个人使用而制作一张或电子副本。系统的复制和分布，本文中的任何材料的复制，以收费或出于商业目的或本文内容的修改。
IHP 的晶圆上测量服务
莱布尼茨 IHP 莱布尼茨高性能微电子研究所 Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik 地址 Im Technologiepark 25 15236 Frankfurt (Oder) 网站：www.ihp-microelectronics.com 联系人 Dr. René Scholz（MPW 和服务）电子邮件：scholz@ihp-microelectronics.com 电话：+49 335 5625 647 传真：+49 335 5625 327