并提出极有可能通过实验实现。19 最近,人们利用第一性原理 DFT 计算来计算某些稀土氮化物钙钛矿 ABN 3(A = La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu 和 B = Re、W)的磁矩和热力学稳定性,并提出了它们在氮化物材料领域的众多技术应用。16 在这方面,DFT 现在被认为是一种估算所研究材料的电子和光电特性的优雅方法。电子和光电特性主要由材料的带隙决定。虽然采用局部密度近似 (LDA) 和广义梯度近似 (GGA) 的 DFT 计算低估了 E g 值,33 – 36 但未经筛选的混合函数和 Perdew – Burke – Ernzerhof – Hartree – Fock 交换 (PBE0) 函数会高估化合物相对于其实验对应物的带隙能量。37 – 39 在这方面,使用混合交换关联 (XC) 函数,例如 Heyd – Scuseria – Ernzerhof (HSE)、Becke-3 参数-Lee-Yang-Parr (B3LYP) 和 B3PW91,通过单次 GW (G 0 W 0 ) 近似完成的 DFT 计算可以预测接近实验结果的化合物的 E g 值。 14,33,40 – 48 此类计算的主要缺陷在于它们对计算要求高并且需要高端服务器来运行它们。在这种情况下,机器学习(ML)现在被认为是一种有效的替代途径,可以避免与 DFT 计算相关的固有计算成本,并有助于在材料特性和目标变量(此处为 Eg)之间建立一个简单的模型。49 – 60 尽管最近已成功实施 ML 方法预测氧化物、卤化物钙钛矿和双钙钛矿化合物的带隙,61 – 66 但在预测氮化物钙钛矿的带隙方面尚未发现此类报道。考虑到上述问题,本文旨在从 ML 模型中预测 ABN 3 钙钛矿的带隙。已经进行了 DFT 研究以估计两种新型氮化物钙钛矿 CeBN 3(B = Mo,W)的电子能带结构、Eg 值和光电特性。本文的结构如下:第2节讨论了计算方法,包括ML方法和第一性原理DFT计算。第3.1节分享了ABN 3钙钛矿数据的清理和预处理。第3.2节讨论了ML模型的训练和验证。第3.3节致力于理解两种新发现的氮化物钙钛矿化合物CeBN 3 (B = Mo, W)的结构性质和稳定性。第3节。图4以CeBN 3 化合物的电子能带结构和带隙计算为框架,采用不同层次的DFT理论进行计算。相应的光电特性已在第3.5节中重点介绍。本研究的总体结论已在第4节中讨论。
摘要:在光激发钙钛矿材料中解开电子和热效应对于光伏和光电子应用至关重要,但由于其在时间和能量域中的相互交织的性质,因此仍然是一个挑战。在这项研究中,我们采用了温度依赖性的可变角度椭圆法,密度功能理论计算和宽带瞬态吸收光谱范围跨越可见至中深到深度 - 粉状物(UV)的Mapbbr 3薄膜的范围。使用深紫外线检测可以打开一个新的光谱窗口,该窗口可以探索布里鲁因区域内各种对称点的高能激发,从而促进了对紫外线频带的超快响应以及控制它们的基本机制的理解。我们的研究表明,光诱导的光谱特征非常类似于纯晶格加热产生的光谱特征,并且我们使用与衰减相关光谱和温度诱导的差异吸收的组合,在不同的延迟时间内脱离了相对的热和电子贡献及其在不同延迟时间的发展。结果表明,光诱导的瞬态具有显着的热起源,不能仅归因于电子效应。在光激发之后,随着载体(电子和孔)将其能量传递到晶格,热贡献从1 ps时的约15%增加到500 ps时的〜55%,随后降低到1 ns时的〜35 - 50%。这些发现阐明了荷载载体材料中的电荷载体和晶格之间的复杂能量交换,并提供了对光生荷载体的利用率有限的见解。
摘要:AA'3 B 2 B'2 O 12 -type四倍的CACU 3 Cr 2 Re 2 Re 2 O 12的氧化四倍体氧化物在18 GPA和1373 K中合成。都经过了A -和B-位订购的四倍的perovskite perovskite perovskite Crystal结构,并与空间组Pn -3一起观察。通过键价总计计算和同步加速器X射线吸收光谱验证,价态被证实为CACU 3 2+ CR 2 3+ RE 2 5+ O 12。Cu 2+,Cr 3+和Re 5+之间的自旋相互作用在约360 K处产生了库里温度(T C)的铁磁过渡。本研究提供了一种有前途的四倍钙钛矿氧化物,其室温高于房间的铁磁性和可能的半金属特性,这表明使用了Spintronic设备的使用可能性。
量子点(QD)在液晶(LC)培养基中的分散可以有效地修改其介电和电光特性,这些特性在基于LC的显示以及非放置应用程序中很有用。在这里,我们报道了钙钛矿量子点(PQD)掺杂对列液晶(NLC)材料的介电性能的影响,即Zli-1565在其整个列和各向同性相。纯NLC的介电参数及其具有PQD的复合材料(0.1 wt。%,0.25 wt。%和0.5 wt。%)。与纯NLC相比,由于移动离子密度的增长,复合材料的介电介电常数(ɛʹ)和介电损耗(ɛʺ)的值增加。纯NLC的损耗因子(tanδ)的光谱峰随着PQD的添加向高频区域移动。此外,还评估了纯NLC和0.25 wt。%PQDS-NLC复合材料的温度依赖性介电参数(即最佳浓度)。此外,还评估了纯样品和0.25 wt。%复合材料的介电性各向异性和阈值电压。与纯净NLC相比,这里要注意的一点是,与纯NLC相比,清除温度(T n-I)的复合材料的清除温度(T N-I)减少了4°C。在这种PQDS-NLC复合材料上获得的结果可用于具有可调介电特征的基于NLC的电气设备。
摘要:钙钛矿太阳能电池(PSC)由于性能的迅速提高而在科学界引起了极大的关注。无机钙钛矿设备的高性能和长期稳定性已被备受关注。这项研究介绍了通过建模使用无铅N - I-i-p甲基苯丁基溴化物(MASNBR 3)材料产生高效PSC的设备优化过程。我们已经彻底研究了吸收器和界面层对优化结构的影响。我们的方法利用石墨烯作为孔传输和吸收层之间的界面层。我们使用氧化锌(ZnO)/Al和3c - SIC作为吸收剂和电子传输层之间的界面层。优化过程涉及调整吸收层和界面层的厚度并最小化缺陷密度。我们提出的优化设备结构,ZnO/3C - SIC/MASNBR 3/Chaphene/Cuo/Au,表明理论功率转换效率为31.97%,填充因子为89.38%,当前密度为32.54 mA/cm 2,电压为1.112 V,量子为1.112 V,量子为94%。这项研究强调了Masnbr 3作为一种无毒的钙钛矿材料,可从可再生来源的应用中提供可持续能源。
摘要:铅卤化物钙钛矿材料和光学谐振器之间的强耦合使这些新兴半导体的光物理特性既可以控制,又可以观察基本物理现象。然而,实现光学定义明确的激子跃迁的光学质量钙钛矿量子点(PQD)膜的困难阻止了这些材料中强光耦合的研究,这是光电领域的核心。在本文中,我们证明了在金属谐振器中多腔激素极化子的室温下形成,它们嵌入了高度透明的邻苯二颗元素量子点(CSPBBR 3 -QD)固体,这通过对系统的吸收和发射特性的重新配置来揭示。我们的结果表明,在CSPBBR 3 -QD光腔中,似乎不存在或补偿Biexciton相互作用或大型极性形成(通常被调用以解释PQD的特性)的影响。我们观察到,强耦合可以显着降低光发射线宽度,以及光吸收的超快调制,可通过激发通量来控制。我们发现,北极星与深色态储层的相互作用在确定杂交光量子点固体系统的发射动力和瞬时吸收特性方面起着决定性的作用。我们的结果应作为将来对PQD固体作为极化材料进行研究的基础。关键字:量子点固体,钙钛矿,强烈的激子 - 光子耦合,偏振子,光学微腔
大型有机铵离子的掺入使卤化物钙钛矿复合物的结晶动力学和层形成过程,难以控制,并导致抑制电荷转运的问题,并形成很小的晶粒。在本文中,在前体溶液中引入了氯化甲基(MACL)和过量的PBI 2作为共同辅助剂,以控制苯基甲基铵或苯甲酰胺或苯甲酰胺(PMA + SPACER)(PMA + SPACER)和基于基于fa +)基于fa +)的Quasi-2d pma 2d pma + 1 pba n i i。钙钛矿层的形成。通过这种方法,层的形态,内相分布和电荷传输特性得到改善。采用光泽放电光学光谱(GD-OES)和其他技术,据揭示了在共同添加剂存在下制备的准2D perovskites在整个过程中表现出均匀的溶剂清除动力学。此外,在热退火时,晶粒生长模式是侧向的。它产生了具有低陷阱状态密度和出色的底物覆盖率的大型,整体晶粒。尤其是,共同添加剂在结晶过程上改善了阳离子的分散,从而抑制了通过间隔阳离子的聚集形成的低N相并加速了高N期的形成。
摘要:铅卤化物钙钛矿材料和光学谐振器之间的强耦合使这些新兴半导体的光物理特性既可以控制,又可以观察基本物理现象。然而,实现光学定义明确的激子跃迁的光学质量钙钛矿量子点(PQD)膜的困难阻止了这些材料中强光耦合的研究,这是光电领域的核心。在本文中,我们证明了在金属谐振器中多腔激素极化子的室温下形成,它们嵌入了高度透明的邻苯二颗元素量子点(CSPBBR 3 -QD)固体,这通过对系统的吸收和发射特性的重新配置来揭示。我们的结果表明,在CSPBBR 3 -QD光腔中,似乎不存在或补偿Biexciton相互作用或大型极性形成(通常被调用以解释PQD的特性)的影响。我们观察到,强耦合可以显着降低光发射线宽度,以及光吸收的超快调制,可通过激发通量来控制。我们发现,北极星与深色态储层的相互作用在确定杂交光量子点固体系统的发射动力和瞬时吸收特性方面起着决定性的作用。我们的结果应作为将来对PQD固体作为极化材料进行研究的基础。关键字:量子点固体,钙钛矿,强烈的激子 - 光子耦合,偏振子,光学微腔
金属卤化物钙钛矿 (MHP) 是一种具有优异性能的半导体材料,广泛应用于各个行业。这些材料通常表现出直接跃迁半导体行为,其特点是吸收系数高、激子结合能低,从而具有出色的 PV 性能。此外,MHP 显示出高效的载流子传输速率、较长的载流子寿命和显著的扩散长度,从而能够以最少的复合实现电子和空穴的有效传输。1 利用 MHP 作为吸收层的钙钛矿太阳能电池 (PSC) 已成为第三代太阳能电池的典范。2009 年,Miyasaka 等人实现了 PSC 开发的一个重要里程碑。用钙钛矿取代染料敏化太阳能电池中的吸收材料,使光伏转换效率 (PCE) 达到 3.8%。2 从那时起,PSC 引起了广泛关注,其 PCE 经历了快速增长,如图所示。1(A)。3 – 9 目前,单结 PSC 已实现认证 PCE 26.14%,10 稳步接近 Shockley – Queisser 效率极限 33.7%。11
2024(国际电子博览会)还展出了11英寸平板电脑和32英寸电视,这带来了更好的反应,具有更好的色彩,更高的亮度,较高的亮度,较低的功耗和AR/VR。这种表现已经被商业化,现有的自我发射OLED