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过渡金属钙钛矿的高压高温合成及物性
GaAs 的压力 - 电阻曲线 ， (c) 6.0 mm 切角二级压砧校压结果 ， (d) 2.5 mm 切角二级压砧校压结果 Fig.3 Pressure calibration of 1 000 t Walker-type apparatus: (a) ZnTe resistivity-pressure curve using 6.0 mm edge lengthsecond stage anvil; (b) GaAs resistivity-pressure curve using 2.5 mm edge length second stage anvil; (c) pressure calibration result using 6.0 mm edge length second stage anvil; (d) pressure calibration result using 2.5 mm edge length second stage anvil
钛基复合材料的寿命预测方法
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锡基钙钛矿太阳能电池的演变
在过去的几年中，Sn基PSC已经成为绿色光伏技术的有希望的候选者，通过抑制Sn 2+ 氧化为Sn 4+ ，它们的效率从约 2% 迅速提高到 14.81%。[12]令人鼓舞的是，Sn基PSC不仅PCE超过14%，而且还具有优异的稳定性。这是一项极具吸引力的光伏技术，不久将会得到进一步发展。这一惊人的进步表明它是下一代太阳能电池的更好候选者。图1展示了Sn基钙钛矿在短短6年内的效率演变。一般来说，Sn和Pb基钙钛矿的相似结构可以用公式ABX 3 表示。立方钙钛矿的基本单元是一个小的八面体晶胞（BX 6 ），其中B阳离子被卤素阴离子包围。 A为有机阳离子，例如CH 3 NH 3 +（MA +）、CH(NH 2 ) 2 +（FA +）、Cs +或一些大阳离子（PEA +）。阳离子位于八面体的空腔内。X为卤素，例如I - 、Br - 、Cl - 等。钙钛矿材料ABX 3的结构稳定性取决于容差因子t和μ，其中r A 、r B 和r X 分别为A、B和X的半径。通常t介于0.9和1.0之间，以形成立方钙钛矿。[13]对该容差因子的研究有助于理解结构
氧化铈基复合电解质材料研究进展
单相电解质的低离子电导率已不能满足600 ˚C以下的使用要求，制备高离子电导率的复合电解质成为发展方向。本文综述了掺杂CeO 2 无机盐(碳酸盐、硫酸盐)、掺杂CeO 2 金属氧化物以及掺杂CeO 2 钙钛矿复合电解质，分析了第二相对CeO 2 基电解质性能的影响。由于独特的H + /O 2−共导电性，无机盐的加入可以提高掺杂CeO 2 无机盐复合电解质的电导率。掺杂CeO 2 钙钛矿体系总电导率的提高可能是由于晶界电导率提高引起的。在掺杂CeO 2 金属氧化物体系中加入氧化物可以降低烧结温度，提高晶界电导率。以期为制备性能优异的二氧化铈复合电解质提供理论指导。