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World File Search System钝化
硫化氢钝化P型钝化
摘要 - 这项工作报告了硫的应用 - 钝化发射极和后接触（PERC）太阳能电池的应用。发射极表面被硫化氢（H 2 s）气相反应钝化，并用氢化的非晶硅（A-SIN X：H）层盖住。在对称的N+扩散的发射极上的硫钝化显示导致发射极饱和电流密度（J 0N+）在R板，n+≈100Ω/sq处的30 fa/cm 2。在PERC细胞结构中，S-钝化在发射极表面上的应用，后表面被氧化铝（Al 2 O 3）/A-Sin X：H堆栈钝化，在金属化前显示了有希望的隐含敞开电压（IV OC）为686 mV。该IV OC高于A-SIN X：H或SIO 2 /A-SIN X：H钝的发射极表面（分别为675和674 mV），在同一运行中处理的PERC细胞上。然而，在用激光图案，屏幕打印的金属接触沉积和射击的设备制造后，观察到S-Papsiviving Perc细胞的细胞V OC显着下降。尽管如此，用硫的发射极表面实现了〜20％的效率和〜650 mV的V OC。我们确定760 O C接触触发过程降低了S-抑制质量。研究了表面形态，并进行了详细的表面分析以研究S-PASSITITIVIVITINED表面降解的原因。索引项 - N +扩散的发射极，硫化氢反应，丝网印刷金属接触射击，X射线光电子光谱，P-PERC细胞。
对硒扩散和钝化太阳能电池中硒扩散和钝化的定量评估
在CDSETE/CDTE太阳能电池中引入硒已导致归因于散装缺陷的钝化的设备性能。在这项工作中，对具有不同SE浓度的一系列CDSETE/CDTE薄膜进行高分辨率的阴极发光实验，以量化SE的机理和钝化作用。我们证明了SE浓度和辐射效率之间的普遍依赖性，以及CDTE和CDSE 0.4 TE 0.6之间发光的10倍。原始的发光图被转换为SE浓度的地图，揭示了其在堆栈中的分级轮廓。我们证明了SE沿氯化镉退火处理引起的CDTE晶界的扩散并确定扩散系数，在晶界，在晶界的扩散系数是晶粒内部的八倍以上。这些结果为SE分布及其对CDSETE/CDTE太阳能电池的钝化的影响提供了微观见解。
对硒扩散和钝化太阳能电池中硒扩散和钝化的定量评估
在CDSETE/CDTE太阳能电池中引入硒已导致归因于散装缺陷的钝化的设备性能。在这项工作中，对具有不同SE浓度的一系列CDSETE/CDTE薄膜进行高分辨率的阴极发光实验，以量化SE的机理和钝化作用。我们证明了SE浓度和辐射效率之间的普遍依赖性，以及CDTE和CDSE 0.4 TE 0.6之间发光的10倍。原始的发光图被转换为SE浓度的地图，揭示了其在堆栈中的分级轮廓。我们证明了SE沿氯化镉退火处理引起的CDTE晶界的扩散并确定扩散系数，在晶界，在晶界的扩散系数是晶粒内部的八倍以上。这些结果为SE分布及其对CDSETE/CDTE太阳能电池的钝化的影响提供了微观见解。
SINTAVIA 粉末钝化效果评估
Sintavia 目前正在与 KBM 合作测试钝化粉末冷凝液的替代方案，以便能够重新使用和/或回收金属粉末。这些替代方案之一是将粉末冷凝液与 KBM 确定和供应的树脂混合。这种混合物将钝化冷凝液，使其能够在没有任何危险风险的情况下运输，此时 KBM 将能够将树脂与金属粉末分离，回收金属以供将来使用。
氢键辅助双钝化用于蓝色...
图 4. a) PeLED 的能级图。b) 原始器件和 DPPA 改性器件的归一化 EL 光谱。c) 电流密度-电压 (JV) 曲线和亮度-电压 (LV) 曲线。d) EQE-电流密度 (EQE-J) 曲线。e) 30 个器件的统计最大 EQE 值。f) 原始器件和 DPPA 改性器件的操作稳定性。
多层膜钝化提高功率半导体器件的可靠性
汽车对设备在高应力和恶劣工作条件下运行的要求越来越严格。在这种情况下，钝化层在确定电气性能和可靠性方面起着根本性的作用。本研究重点关注应用于最先进功率器件的一次和二次钝化层及其对可靠性的影响。使用标准模块封装中组装的功率二极管作为测试载体，并进行高压温度湿度偏置测试以对结构施加应力。完整的故障模式分析突出了钝化层退化背后的现象。通过应用特定的无机和有机层组合来评估不同的钝化方案。最后，总结了典型的退化机制和相互作用。
钝化对选择性生长亚微米 Ge-on-Si 的影响...
近来，人们对开发工作在短波红外 (SWIR) 波长 [1] 的单光子探测器的兴趣日益浓厚，SWIR 波长定义为工作在约 1000 nm 的 Si 能带边缘之外的波长。光检测和测距 (LIDAR) [2]、透过遮蔽物成像 [3] 和量子通信 [1] 等众多量子技术应用都需要在这些波长下具有这样的单光子灵敏度。例如，由于太阳背景辐射较低且激光安全人眼阈值较高，可通过转移到 SWIR 来改进 LIDAR 应用。在量子通信中，1310 nm 和 1550 nm 的低损耗光纤波长要求任何单光子探测器都能在这些波长下进行探测。虽然超导纳米线探测器 [4] 和 InGaAS/InP SPAD [5] 是现成的单光子探测技术，但 Ge-on-Si SPAD 具有降低后脉冲和提高单光子探测效率的潜力。 [6] 本研究在 260 nm 绝缘体上硅 (SOI) 晶片上制造了 Ge-on-Si SPAD，采用独立吸收、电荷和倍增层几何结构 (SACM) 和横向 Si 倍增层，采用完全兼容 CMOS 的工艺。利用这种几何结构，可以轻松实现与 Si 波导和光纤的集成 [7]，从而实现其在量子通信应用中的潜力。Ge 选择性地生长在 SiO 2 沟槽内，与块状 Ge 生长相比，降低了穿线位错密度 (TDD)。研究了这些器件的暗电流特性，以及不同的 Ge 钝化技术对侧壁的影响。