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高-K钝化层对off- ...
砷化甘氨酸（GAAS）是具有高饱和电子速度和高电子迁移率的III-V化合物半导体材料，其电气性能远高于硅材料，该材料已广泛用于高频设备中[5]。GAAS的HEMT正在成为RF组件的最有希望的候选者，例如下一代商业无线通信系统的低噪声或功率放大器[7]。随着新的外延技术和纳米门光刻的开发，基于20 nm GAAS的HEMT设备的最大振荡频率（F MAX）达到了1270 GHz [8]。此外，最大的可用GAAS晶圆可能高达6英寸，这可以降低设备制造成本并进一步促进基于GAA的HEMT设备的广泛使用[5]。但是，当设备应用于各种产品时，可靠性将成为必须解决的最明显问题之一。崩溃电压不仅是影响可靠性的重要因素之一，而且是设备在高功率中的应用。
将 2D 钙钛矿钝化剂的电荷传输增强至宽带隙钙钛矿太阳能电池的 21% 以上
图 1. (a) 基于混合阳离子 2D-PPA 的钙钛矿结构图。2D 或准 2D 结构可能在晶粒边界处形成。此处显示 n = 2 准 2D 结构以供说明。使用单阳离子 PEA + 和混合阳离子 F5PEA + –PEA + 2D-PPA 的器件特性比较：(b) 具有正向和反向电压扫描方向的光电流密度-电压曲线；(c) EQE 曲线；(d) 稳定的功率输出；(e) 室温下相对湿度为 45%–60% 时未封装器件的储存稳定性（ISOS-D-1 稳定性）。
柔性CMUT微加工的结构和钝化膜的介电表征
电容性微机械超声传感器（CMUT）技术在过去十年中一直在迅速发展。在制造和集成方面的进步，再加上改进的建模，使CMUT能够进入主流超声成像。与常规技术相比，CMUT超声传感器传达了许多优势，例如大带宽和效率[1]，[2]，易于制造大型阵列和较低的成本。CMUT是一种高电场设备，通过通过充电和分解等问题来控制高电场，可以具有具有优越的带宽和敏感性的超声传感器，可以与电子设备集成并使用传统的集成电路制造技术制造，并具有所有优势。可以使CMUT设备灵活地包裹在圆柱体甚至人体组织上，并且由于使用Su-8 [3]，[4]，[8]或Polyirimide [5]，[8]，所有这些都可能使所有这些可能。在本文中，我们介绍了两种具有基本重要性的电介质材料的电气表征，以制造具有提及的特征的设备：氧化硅（SIO 2）在电荷注入和击穿方面对高电场具有出色的响应，以及具有优化且具有优化结构和
自对准氧化铜钝化层——可靠性影响研究
用电迁移应力法研究了具有自对准氧化铜钝化层的等离子刻蚀铜线的可靠性。通过等离子氧化制备氧化钝化层，覆盖整个裸露的铜线，防止环境条件下表面氧化。空洞的形成和生长过程反映了线路断线机理。用光学显微镜监测了由晶界耗尽和晶粒变薄形成的空洞，测量了线路故障时间与线宽和电流密度的关系。增加氧化钝化层会缩短寿命，因为传热和铜扩散不良会加速空洞的形成和生长。窄线比宽线具有更长的寿命，因为晶界较少，可供磁通发散形成空洞
钴四苯基卟啉在氧钝化 Fe(001) 上的有序组装：从单层到多层薄膜
摘要。四苯基卟啉 (TPP) 是一类有趣的有机分子，其特征是环状结构，中心有金属离子。通过适当修改反应界面，即使在金属基底上也可以获得此类分子的有序生长，正如我们对与氧钝化的 Fe(001) 偶联的 ZnTPP 分子所展示的那样 [G. Bussetti 等人。Appl. Surf. Sci. 390, 856 (2016)]。最近，我们专注于 CoTPP 分子，其特征是磁矩不为零，因此对磁性应用具有潜在意义。与 ZnTPP 的情况一样，我们对一个单层覆盖的结果报告了平躺分子的有序组装的形成。然而，在堆积方案和与基底的电子相互作用程度方面，观察到两种分子物种之间存在一些差异。为了对 CoTPP 也获得对 Fe 上分子组织的全面了解，我们在此补充了我们之前的研究，通过跟踪 CoTPP 薄膜的生长以增加覆盖率，表明确实实现了此类分子的有序堆叠，至少最多四个分子层。
硅介电层不同钝化参数的电容电压曲线模拟
摘要：表面钝化是一种广泛使用的技术，可减少半导体表面的复合损失。钝化层性能主要可以通过两个参数来表征：固定电荷密度（𝑄ox）和界面陷阱密度（𝐷it），它们可以从电容-电压测量（CV）中提取。在本文中，使用模拟钝化参数开发了高频电容-电压（HF-CV）曲线的模拟，以检查测量结果的可靠性。𝐷it 由两组不同的函数建模：首先，代表不同悬空键类型的高斯函数之和和应变键的指数尾部。其次，采用了由指数尾部和常数值函数之和表示的更简单的 U 形模型。使用基于晶体硅上的二氧化硅（SiO 2 /c-Si）的参考样品的实验测量来验证这些模拟。此外，还提出了一种使用简单 U 形 𝐷 it 模型拟合 HF-CV 曲线的方法。通过比较近似值和实验提取的 𝐷 it 的平均值，发现相对误差小于 0.4%。近似 𝐷 it 的常数函数表示在复合效率最高的中隙能量附近实验提取的 𝐷 it 的平均值。
在...中创建 pn 结和钝化层
西里西亚理工大学，机械工程学院，工程与生物医学材料研究所，材料加工技术和材料科学计算机技术系电子邮件：marzena.prokopiuk@polsl.pl，leszek.dobrzanski@polsl.pl，aleksandra.drygala@polsl.pl，anna.tomiczek@polsl.pl 摘要：硅是并且将继续是光伏电池生产中使用的基本元素。硅电池占光伏产业80%以上，光伏产业是近年来增长最快的产业之一，其增长动力堪比微电子产业初期的发展。硅光伏电池的基本元件是pn结，它是通过在掺杂气氛中对p型硅进行退火而获得的。为了减少表面复合造成的损失，需要进行钝化处理，可以通过氧化Si表面或沉积SiO 2 层来实现。摘要：硅现在是、现在仍然是光伏电池生产中必不可少的元素。硅电池占光伏产业80%以上，光伏产业是近年来增长最快的产业之一，其增长力度堪比微电子产业繁荣初期的发展。硅太阳能电池的基本元件是pn结，它是通过在掺杂的气氛中加热p型硅获得的。为了减少表面复合造成的损失，通过氧化Si表面或沉积SiO2层来钝化硅表面。关键词：硅光伏电池，pn 结，钝化层 1.引言 臭氧空洞、温室效应和酸雨是现代世界最严重的生态问题，威胁着健康和生命。其原因包括：大量燃烧煤和石油等化石燃料。解决这些问题的关键是可再生能源技术的发展。人们对利用太阳辐射能发电非常感兴趣。由于运行成本低且操作简单，光伏装置非常适合为住宅和商业设施提供能源。