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突触晶体管的铁电材料及其...
摘要 经过百余年的发展，铁电材料向人们展示了其强大的潜力，越来越多的铁电材料被用于铁电晶体管（FeFET）的研究中。作为新一代神经形态器件，铁电材料凭借其强大的功能和诸多特性引起了人们的关注。本文总结了近年来铁电材料体系的发展，并探讨了人工突触的模拟。主流的铁电材料分为传统的钙钛矿结构、萤石结构、有机聚合物和新型二维范德华铁电体。介绍了各材料体系的原理、研究进展以及针对类脑计算机的优化，并总结了最新的应用进展。最后讨论了不同材料体系的适用范围，旨在帮助人们根据不同的需求筛选出不同的材料体系。 1. 引言
存储反铁电PbZrO3
基于反铁电的介电电容器因其出色的储能性能和在收集脉冲功率方面的非凡灵活性而备受关注。尽管如此，迄今为止，尚未阐明与储能过程固有耦合的原位原子级结构演化途径，以最终理解其机制。本文报道了反铁电PbZrO 3 在存储电子束照射的能量过程中的时间和原子分辨率结构相演变。通过采用最先进的负球差成像技术，本文介绍的定量透射电子显微镜研究阐明了与晶胞体积变化和极化旋转相关的极性氧八面体的层次演化解释了逐步的反铁电到铁电相变。特别是，在动态结构研究过程中建立了一种非常规的铁电类别——具有独特摆线极化序的铁电畸变相。通过阐明原子尺度相变途径，该研究的结果为探索具有非极性到极性相变的储能材料中的新型铁致畸变相开辟了一个新领域。
分层2D铁电Cuinp2s6
摘要：纳米级铁电2D材料提供了研究曲率和应变对材料功能的影响的机会。在其中，由于室温铁电位的组合，对少数层厚度的可伸缩性以及由于2个极高的共存性，Cuinp 2 S 6（CIPS）近年来引起了近年来的巨大研究兴趣。在这里，我们通过压电响应力显微镜和光谱探索了CIPS极化的局部曲率和应变影响。为了解释观察到的行为并使2D CIPS中的曲率和应变效应脱离，我们介绍了有限的元素landau- ginzburg-德文郡模型，揭示了经受拉伸菌株和压缩应变的地区的滞后特性的强烈变化。压电力显微镜（PFM）的结果表明，弯曲会诱导CIPS中的铁晶域，并且极化 - 电压磁滞回路在弯曲和非弯曲区域不同。这些研究提供了有关曲率工程纳米电子设备的制造的见解。关键字：Cuinp 2 S 6，铁电，挠性，应变，曲率，2D材料，压电响应力显微镜W
基于KECA-GRNN的风电机组齿轮箱状态监测与健康评估
收稿日期 ： 2020-01-03 基金项目 ：国家自然科学基金（ 61763037 ）；内蒙古自然科学基金（ 2019LH06007 ）；内蒙古自治区科技计划（ 2019 ， 2020GG0283 ） 通信作者 ：齐咏生（ 1975 —），男，博士、教授，主要从事风电机组状态监测与故障诊断方面的研究。 qys@imut.edu.cn
应变中的铁电和电荷传输特性...
图 1. (4,4-DFPD) 2 PbI 4 薄膜的制备和通过 XRD 和 AFM 进行表征。a) 通过滴铸、旋涂和旋涂并伴有真空极化处理沉积 (4,4-DFPD) 2 PbI 4 2D 钙钛矿薄膜的示意图。b) 制备的薄膜的 XRD 图案。插图显示了 Williamson-Hall 图，用于分析薄膜中的应变无序性。通过 c) 滴铸、d) 旋涂和 e) 旋涂并伴有真空极化处理沉积的薄膜的 3D 表面形貌 AFM 图像。
铁电拓扑超导体：$ \ alpha \ text { - } {{\ ...
二维拓扑超导体（TSC）代表一种外来的量子材料，在边界处具有分散性主要模式（DMMS），在边界上表现出quasiparti-cle激发。一个域壁DMM可以在两个TSC域之间的边界上出现，其配对缝隙中的两个TSC域或具有π相移的边界，只能通过磁场来调节。在这里，我们提出了铁电（Fe）TSC的概念，该概念不仅丰富了域壁DMM，而且显着使它们具有电气调节。表明，配对隙的π相移位于相反的Fe极化的两个TSC域之间，并通过反向Fe极化来切换。与铁磁（FM）极化结合使用，域壁可以容纳螺旋，手性的两倍和融合的DMM，可以通过更改电气和/或磁性磁场的方向来彼此转移。此外，基于第一个原理的计算，我们证明了α -In 2 Se 3是具有FM层和超导体底物的邻近性Fe TSC候选者。我们设想Fe TSC将通过电气场显着轻松地操纵DMM，以实现容忍故障的量子计算。
铁电和电介质（xxiii nsfd -2024）
关于贾坎德邦中央大学，兰奇尼中央大学（CUJ）是根据2009年《中央大学法》建立的，其明确的愿景是先驱当代教育计划，并提高了最先进技术的研究。提供各种计划，包括5年综合（UG/PG），研究生和博士学位。各个学校和部门的课程，Cuj仍然处于教育创新的最前沿。Cuj的教职员工在课程中拥有灵活性并促进了强大的研究合作，获得了国家和国际认可，获得了享有声望的奖学金，项目资金和荣誉。他们通过教学和咨询公司积极为政府，公共和私营部门做出贡献，并丰富了学术界和工业。cuj对卓越的承诺反映了印度政府MHRD NIRF的印度前300家学院的一致排名。在2020年，泰晤士报高等教育在全球前1000个机构中承认了Cuj，强调了其国际地位和学术实力。位于兰奇（Ranchi）蓬勃发展的Smart City中，Cuj的New Campus在坎克（Kanke）的Cheri-Manatu占地510英亩，提供了一种有利于学习和研究的环境。最初的校园坐落在兰奇（Ranchi）郊区Brambe的CTI校园的宁静45英亩的景观中，无缝地将教室和旅馆与自然环境整合在一起。有关Cuj，Ranchi的更多信息，包括录取和学术课程，请访问其网站http://cuj.ac.in/。
中间层和铁电材料对电荷的影响...
摘要 - 我们研究使用TIN/HF X ZR 1-X O 2/Interlayer/Si（MFIS）GATE堆栈的Si Fefet耐力疲劳期间，不同的层中和铁电材料对电荷捕获的影响。我们拥有具有不同层间（SIO 2或SION）和HF X ZR 1-X O 2材料（X = 0.75、0.6、0.5）的FeFET设备，并在耐力疲劳期间直接提取了电荷捕获。我们发现：1）层间中N元素的引入抑制了电荷捕获和缺陷的产生，并改善了耐力特征。2) As the spontaneous polarization ( P s ) of the Hf x Zr 1-x O 2 decreases from 25.9 μC/cm 2 (Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 ) to 20.3 μC/cm 2 (Hf 0.6 Zr 0.4 O 2 ), the charge trapping behavior decreases, resulting in the slow degradation rate of memory window (MW) during program/erase cycling;另外，当P S进一步降低至8.1μc/cm 2（HF 0.75 ZR 0.25 O 2）时，初始MW几乎消失（仅〜0.02 V）。因此，P s的减少可以改善耐力特征。合同中，它也可以减少MW。我们的工作有助于设计MFIS Gate堆栈以提高耐力特征。
铁电畴壁的第三维度
波纹现象和曲率效应可提高稳定性并产生各向异性，以及增强的机械、光学和电子响应。双层石墨烯中的霍尔效应[1]和 MoS 2 中形成的人造原子晶体[2]就是很好的例子，它们表明电导率与偏离完美平坦结构之间存在很强的相关性。最近，铁电畴壁作为一种全新类型的二维系统出现，其形貌和电响应之间具有特别强的相关性。[3–6] 畴壁表现出 1-10 Å 数量级的有限厚度，因此通常被称为准二维系统。除了有限的厚度和与波纹二维材料类似之外，这些壁并不是严格意义上的二维，因为它们不会形成完全平坦的结构。弯曲和曲率自然发生，以尽量减少静电杂散场，确保机械兼容性，或由于导致畴壁粗糙的点缺陷。[7–10] 重要的是，相对于主体材料电极化的任何方向变化都会直接导致电荷状态的改变，从而导致局部载流子