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手性铁电列液晶作为多功能激光器
我们基于手性铁电列相（n f ∗）提出了液晶激光器装置。激光培养基是通过将铁电列材料与手性剂和一小部分荧光染料混合而获得的。值得注意的是，在N f ∗相中，非常低的电场垂直于螺旋轴能够重新定位分子，从而产生了一个周期性结构，其导演不是单个谐波，但包含各种傅立叶成分的贡献。此功能诱导了几个光子带盖的外观，这些光子带镜的光谱范围取决于磁场，可以利用该磁场来构建可调激光设备。在这里，我们报告了可以在低电场下进行调谐的自制n f ∗激光器的表征，并在材料的两个光子带中呈现激光作用。获得的结果为设计新的和更通用的液晶激光器设计开辟了有希望的途径。
元素特异性高带宽铁电磁共振光谱与连贯的极端粉丝源
在本文中，我们在超薄的磁合金和多层上，在不透明的SI底物上应用桌面，超快，高谐波生成（HHG）来测量元素特异性铁磁共振（FMR）。我们证明了连续的波带宽高达62 GHz，并承诺将其扩展到100 GHz或更高。该实验室规模的仪器使用超快，极端粉状物（EUV）的光检测FMR，光子能量跨越了最相关的杂志元素的M-边缘。射频频率梳子发生器用于产生微波激发，该微波激发本质上同步与EUV脉冲，其正时抖动为1.1 ps或更高。我们应用该系统来测量多层系统以及Ni-FE和Co-FE合金中的动力学。由于该仪器以反射模式运行，因此它是测量和成像磁态动力学和主动设备在桌面上任意基板上的自旋传输的里程碑。较高的带宽还可以测量具有高磁各向异性的材料，以及纳米结构或纳米电视中的铁磁体，抗铁磁铁和短波长（高波形）自旋波。此外，EUV的相干性和短波长将能够使用动态纳米级无透镜成像技术（例如相干差异成像，Ptychography和全息图）扩展这些研究。
突触晶体管的铁电材料及其...
摘要 经过百余年的发展，铁电材料向人们展示了其强大的潜力，越来越多的铁电材料被用于铁电晶体管（FeFET）的研究中。作为新一代神经形态器件，铁电材料凭借其强大的功能和诸多特性引起了人们的关注。本文总结了近年来铁电材料体系的发展，并探讨了人工突触的模拟。主流的铁电材料分为传统的钙钛矿结构、萤石结构、有机聚合物和新型二维范德华铁电体。介绍了各材料体系的原理、研究进展以及针对类脑计算机的优化，并总结了最新的应用进展。最后讨论了不同材料体系的适用范围，旨在帮助人们根据不同的需求筛选出不同的材料体系。 1. 引言
铁电纤锌矿 Al1-xScxN 单晶的现象学热力学能量密度函数
开发了铁电纤锌矿氮化铝钪 (Al 1 − x Sc x N) 固溶体的 Landau – Devonshire 热力学能量密度函数。该函数使用现有的实验和理论数据进行参数化，能够准确再现块体和薄膜的成分相关铁电特性，例如自发极化、介电常数和压电常数。发现纤锌矿结构保持铁电性的最大 Sc 浓度为 61 at. %。对 Al 1 − x Sc x N 薄膜的详细分析表明，铁电相变和特性对基底应变不敏感。这项研究为新型铁电纤锌矿固溶体的定量建模奠定了基础。
揭示非常规莫尔铁电现象的起源
Chunrui Han 2,3* , Kenji Watanabe 4 , Takashi Taniguchi 4 , Kaihui Liu 1 , Jinhai Mao 5 , Wu Shi 6,7 , Bo Peng 8 ,
铁电拓扑超导体：$ \ alpha \ text { - } {{\ ...
二维拓扑超导体（TSC）代表一种外来的量子材料，在边界处具有分散性主要模式（DMMS），在边界上表现出quasiparti-cle激发。一个域壁DMM可以在两个TSC域之间的边界上出现，其配对缝隙中的两个TSC域或具有π相移的边界，只能通过磁场来调节。在这里，我们提出了铁电（Fe）TSC的概念，该概念不仅丰富了域壁DMM，而且显着使它们具有电气调节。表明，配对隙的π相移位于相反的Fe极化的两个TSC域之间，并通过反向Fe极化来切换。与铁磁（FM）极化结合使用，域壁可以容纳螺旋，手性的两倍和融合的DMM，可以通过更改电气和/或磁性磁场的方向来彼此转移。此外，基于第一个原理的计算，我们证明了α -In 2 Se 3是具有FM层和超导体底物的邻近性Fe TSC候选者。我们设想Fe TSC将通过电气场显着轻松地操纵DMM，以实现容忍故障的量子计算。
在混合不当铁电龙 - popper氧化物中的压力依赖性相变
由于某些化学成分表现出所谓的杂化铁电性不当，近年来，近年来，ruddlesden-popper氧化物中温度依赖性的相变的次要氧化氧化物氧化物中的温度依赖性相变。然而，目前几乎没有理解这些相变的静水压力依赖性。本文中，我们介绍了对双层ruddlesdledlesden-popper阶段Ca 3 Mn 2 O 7和Ca 3 Ti 2 O 7的高压粉末同步X射线衍射实验和Abinitio研究的结果。在两种化合物中，我们都观察到一阶相变，结合了我们的密度功能理论计算，我们可以将其结合分配为极地A 2 1 AM和非极性ACAA结构。有趣的是，我们表明，尽管压力的施加最终有利于非极相，正如适当的铁电体所观察到的那样，但存在压力实际上可以增加极性模式振幅的响应区域。可以通过考虑八面体倾斜和旋转对静水压力及其三线性耦合与极性不稳定的旋转的多样化响应可以无障碍。
在铁电体Hf0.5Zr0.5O2上插入Al2O3中间层扩大Si沟道FeFET存储窗口
基于AFNIA（HfO 2 ）的硅通道铁电场效应晶体管（HfO 2 Si-FeFET）在非挥发性存储器领域得到了广泛的研究[1-7]，这得益于掺杂HfO 2 中铁电性的发现[8]。文献报道中HfO 2 Si-FeFET的存储窗口（MW）大多在1-2 V左右[9-12]，不能满足其在多位存储单元应用的要求。为了提高MW，当前的措施主要通过降低掺杂HfO 2 铁电体与Si通道之间底部SiO x 夹层的电场，从而抑制掺杂HfO 2 /SiO x 界面处的电荷捕获[13-16]，同时增加SiO x 的数量。最近，有报道称MIFIS结构可以有效提高MW，并使用SiO 2 作为顶部夹层[17-21]。然而，Al 2 O 3 作为顶层尚未见报道。因此，我们报道 Al 2 O 3 层作为顶层中间层，以及 MW 对 Al 2 O 3 厚度的依赖性。