磁绝缘子是通过利用镁电流来传播自旋信息的理想平台。但是,到目前为止,大多数研究都集中在Y 3 Fe 5 O 12(YIG)和其他一些铁磁性绝缘子上,而不是纯铁磁体。在这项研究中,我们证明了镁电流可以在EUS的薄膜中传播磁极。通过使用PT电极进行EUS的18 nm厚胶片中的局部和非局部转运测量,我们检测到由Spin Seebeck效应引起的热产生产生的镁电流。通过比较局部和非局部信号与温度(<30 K)和磁场(<9 t)的依赖性,我们确认了非局部信号的镁传输来源。最后,我们在EUSFIM(〜140 nm)中提取了镁扩散长度,这是与在同一纤维中测得的大吉尔伯特阻尼的良好对应关系。
研究成果の概要(英文):我探索并开发了一种新型的三次立方相,用于铁磁性小啤酒化合物MN2FEGA(MFG),其最终目的是将此材料与2D材料(例如用于旋转光子应用)的2D材料耦合。这种新开发的材料显示了用于自旋应用的几种有利特性,包括:显着的垂直磁各向异性(PMA),高化学订购和高自旋极化。这些特性展示了一种适用于磁性随机访问记忆(MRAM)等自旋应用的材料。这些结果导致了目前正在审查的出版物,收到了积极的反馈,并将很快发表。此外,这些结果已为目前正在印刷的情况下获得了立方MFG/CR/MGO缓冲层的专利。最后,这些结果已在几个全国性的会议上提出,并引起了Spintronics社区的重大关注。
摘要:磁分子是研究特殊量子机械现象的典型系统。因此,由于系统尺寸的指数增加,模拟其静态和动力学行为对于经典计算机来说本质上很难。量子计算机通过提供适合描述这些磁系统的固有量子平台来解决此问题。在这里,我们表明,基于超导端子的原型量子计算机,都可以在原型量子计算机上模拟磁性分子的基态性能和自旋动力学。特别是我们研究了小型的抗铁磁性旋转链和环,这是这些开拓设备的理想测试床。我们使用各种量子本质量算法来确定基态波功能,并用靶向的ansatzes填充了所研究模型的自旋对称性。通过计算动力学相关函数来模拟相干自旋动力学,这是提取许多实验可访问属性(例如无弹性中子中子横截面)的重要成分。
III 族氮化物半导体因其在固态照明和功率器件中的出色应用而备受关注,在下一代光电和电子设备的发展中发挥着关键作用。铁电性、铁磁性和超导性等新兴特性正在被整合到 III 族氮化物中,增强了它们在未来先进半导体和量子技术中的应用潜力。最近在氮化物材料(包括 ScAl(Ga)N 和 AlBN)中发现的铁电性实验证据激发了人们的极大研究热情。氮化物铁电体被认为是开发尖端微电子存储器、声学设备和量子设备的有前途的材料,有可能催化铁电特性与微电子的融合和增强功能。本期特刊将深入研究 III 族氮化物半导体,包括结构、特性和各种外延工艺。此外,它还旨在研究 III 族氮化物半导体在电子、光电和铁电领域的应用。
摘要:AA'3 B 2 B'2 O 12 -type四倍的CACU 3 Cr 2 Re 2 Re 2 O 12的氧化四倍体氧化物在18 GPA和1373 K中合成。都经过了A -和B-位订购的四倍的perovskite perovskite perovskite Crystal结构,并与空间组Pn -3一起观察。通过键价总计计算和同步加速器X射线吸收光谱验证,价态被证实为CACU 3 2+ CR 2 3+ RE 2 5+ O 12。Cu 2+,Cr 3+和Re 5+之间的自旋相互作用在约360 K处产生了库里温度(T C)的铁磁过渡。本研究提供了一种有前途的四倍钙钛矿氧化物,其室温高于房间的铁磁性和可能的半金属特性,这表明使用了Spintronic设备的使用可能性。
摘要 量子退火的一个重大挑战是将现实问题映射到连接性有限的硬件图上。当问题图不是硬件图的子图时,可以采用次要嵌入,其中每个逻辑量子位都映射到物理量子位树。树中物理量子位之间的成对相互作用被设置为铁磁性,耦合强度 F < 0。在这里,我们解决了理论问题,即在预量子处理中实现不间断树的最佳值 F 应该是多少。每个逻辑量子位的 | F | 之和定义为次要嵌入能量,当次要嵌入能量最小化时获得最佳值 F。我们还表明,我们对 | F | 的新分析下限比 Choi 先前推导的下限更严格(Quantum Inf Process 7:193–209, 2008)。与 Choi 的工作相比,我们的新方法更加精细地依赖于次要嵌入参数,这导致了更高的计算成本。
我们使用CDMFT + HFD,群集动力学平均场理论(CDMFT)的组合和Hartree Dynamial-Fock均值段的群体间消除群群间扩展相互作用的组合。对于有吸引力的非局部相互作用,该模型在半填充附近表现出一个相分离的区域,在附近,我们发现了D波超导性的岛屿,随着掺杂的函数迅速衰减,具有较小的(高)电子密度的扩展S-波序的断开区域。另一方面,当扩展的相互作用令人反感时,在强耦合限制下,孔掺杂以hole掺杂的稳定性,有利于D-波超导性。在颗粒 - 孔不变的化学电位上,我们发现了从抗铁磁性(AF)到d波超强度的一阶相变,这是有吸引力的最近邻居相互作用的函数,以及密度偏离半填充极限的偏差。反复的扩展相互作用而不是半填充的电荷密度波(CDW)订单。
altermagnets(AMS)是一类新的磁性材料,结合了铁磁体和抗铁磁铁的受益旋转特性,最近引起了极大的关注。在这里,我们已经确定了分层的插入过渡金属二苯甲管中的altermagnetism,conb 4 se 8,它用NBSE 2层之间的插入式CO原子的有序sublattice结晶。单晶合成,并使用单晶衍射和扫描隧道显微镜进行结构表征。磁性测量结果揭示了168 K的易于轴抗铁磁性。密度功能理论(DFT)计算表明,具有易于轴旋转方向的A型抗反磁性排序是基态,通过单晶中子衍射实验验证了基态。电子带结构在此磁态显示自旋切割带中,证实了该化合物中的altermagnetism。Conb 4 Se 8的分层结构提出了一个有前途的平台,用于测试与Altermagnetism相关的各种预测属性。
导电金属通常会传输或吸收自旋电流。本文报告了将两层金属薄膜连接在一起可以抑制自旋传输和吸收的证据。我们研究了铁磁体/间隔层/铁磁体异质结构中的自旋泵浦,其中间隔层(由金属 Cu 和 Cr 薄膜组成)将铁磁自旋源层和自旋吸收层分隔开。Cu/Cr 间隔层在很大程度上抑制了自旋泵浦,即既不传输也不吸收大量自旋电流,尽管 Cu 或 Cr 单独传输了相当大的自旋电流。Cr 的反铁磁性对于抑制自旋泵浦并不是必不可少的,因为我们观察到 Cu/V 间隔层也有类似的抑制作用,其中 V 是 Cr 的非磁性类似物。我们推测,自旋透明金属的多种组合可能形成抑制自旋泵浦的界面,尽管其潜在机制仍不清楚。我们的工作可能会激发人们对理解和设计金属多层中的自旋传输的新视角。
采用密度泛函理论的第一性原理计算,表征了浓度 x = 0. 25、0.5 和 0.75 时 Ca 1-x Cr x O 化合物的结构性质、电子结构和由 Cr 杂质引起的铁磁性。通过声子谱计算获得动态稳定性。使用 Wu-Cohen 广义梯度近似计算结构参数,而电子和磁性则通过精确的 Tran-Blaha 修正的 Becke-Johnson 交换势确定。研究了晶体场、直接和间接交换分裂以确定铁磁态配置的起源和稳定性。Ca 1-x Cr x O 系统具有右半金属性,这通过 100% 的自旋极化和总磁矩的整数值得到验证。 Ca 0.75 Cr 0.25 O、Ca 0.5 Cr 0.5 O 和 Ca 0.25 Cr 0.75 O 是半金属铁磁体,其翻转间隙分别为 1.495、0.888 和 0.218 eV。因此,Ca 1-x Cr x O 材料是未来半导体自旋电子学中自旋注入可能应用的合适候选材料。