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World File Search System铁磁金属
铁磁半导体中各向异性磁阻效应的综述
电阻是衡量电流流过材料时遇到的阻力大小的一种量度。在某些材料中，这种阻力还取决于施加在材料上的磁化强度和方向。这种现象称为各向异性磁阻 (AMR)。1856 年，苏格兰物理学家开尔文勋爵通过对铁和镍等铁磁金属进行实验首次观察到了这种现象[1]。他发现，当磁力方向垂直于电流时，电阻减小，而当磁力方向一致时，电阻增大。AMR 的应用可以在自旋电子学中找到，这是一项固态技术，其中电子自旋可以被操纵以产生有用的特性。自旋电子学用于各种技术，例如车辆中的导航系统和用于数据存储的硬盘[2]。
NiCo2O4 薄膜中的异常 Nernst 和 Seebeck 效应
我们研究了 NiCo 2 O 4 (001) 外延膜中的塞贝克效应和异常能斯特效应，其中优先磁化方向垂直于薄膜平面。由于热电信号极小，我们定制了一个测量系统来检测微弱的电压信号。为了抑制来自测量电路中电触点的杂散电压信号，我们采取了以下措施。我们减少了带有超导磁体的商用低温恒温器输出与纳伏表之间的电触点数量。我们在制作电触点时采用银焊以降低剩余触点处的热电动势电压。通过采用这些措施，我们成功检测到小至 5 nV 的热电电压。与传统的铁磁金属相比，NiCo 2 O 4 的观测热电效率非常小。
用于先进电机设计和分析的非晶态金属材料旋转磁性能表征
摘要：非晶态金属 (AM)，特别是非晶态铁磁金属，被认为是一种令人满意的磁性材料，可用于开发高效、高功率密度的电磁设备，例如电机和变压器，这得益于其各种优点，例如合理的低功耗和中高频下的非常高的磁导率。然而，这些材料的特性尚未得到全面研究，这限制了其在具有通常具有旋转和非正弦特征的磁通密度的高性能电机中的应用前景。在不同磁化下对 AM 进行适当的表征是将这些材料用于电机的基础之一。本文旨在广泛概述在存在各种磁化模式（特别是旋转磁化）的情况下的 AM 特性测量技术，以及用于先进电机设计和分析的 AM 特性建模方法。还讨论了可能的未来研究任务，以进一步改进 AM 应用。
对磁性和电子传输属性的非化学计量效应fe $ _2 $ val $ _ {1.35} $和ni $ _2 $ val：比较研究
密度功能理论（DFT）计算证实了结构有序的Fe 2 Val Heusler合金是非磁性窄间隙半导体。这种化合物很容易在具有高浓度的抗铁矿缺陷的各种无序相中结晶。我们研究结构障碍对全赫斯勒合金Fe 2 val的电子结构，杂志和电子传输特性及其远程计时量当量的Fe 2 Val 1的影响。35。与从头算计算有关的数据分析表明，反静脉疾病的出现主要是由于FE-V和Fe-Al化学计量变化引起的。弱磁性Fe 2 Val 1的数据。35关于Ni 2 Val。Fe 2 Val 1。 35可以分类为具有明显的自旋式贡献的几乎铁磁金属，但是，这对其热电特性没有主要影响。 FE样品的优异ZT形状分别为300 K约0.05，Ni One的数字分别为0.02。 但是，有记录在Fe / V站点交换产生的狭窄D频段可能是Fe 2 Tial 1的物理性质的异常温度依赖性。 35合金，强度相关的电子系统的特征。 为例，Fe 2 Val 1的磁敏感性。 35表现出griffins阶段的奇异性特征，在T G〜200 k下方是一种不均匀的电子状态。我们还进行了数值分析，该数值分析支持griffins phos phos phop phop peracario。Fe 2 Val 1。35可以分类为具有明显的自旋式贡献的几乎铁磁金属，但是，这对其热电特性没有主要影响。FE样品的优异ZT形状分别为300 K约0.05，Ni One的数字分别为0.02。但是，有记录在Fe / V站点交换产生的狭窄D频段可能是Fe 2 Tial 1的物理性质的异常温度依赖性。35合金，强度相关的电子系统的特征。为例，Fe 2 Val 1的磁敏感性。35表现出griffins阶段的奇异性特征，在T G〜200 k下方是一种不均匀的电子状态。我们还进行了数值分析，该数值分析支持griffins phos phos phop phop peracario。