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World File Search System铜板
与Microws g div>的铜板上的Graphne合成
ค าส าคัญ: แกรฟีน ไมโครเวฟพลำสมำ รำมำนสเปคโตรสโคปี Abstract This paper presents the synthesized graphene by using microwave plasma CVD on coper plate created from microwave oven.通过将乙醇的蒸气用作氩气中的碳源，在反应堆内成功地创建了石墨烯膜。氩气的流速变化了1、2、3、4和5升/分钟。创建的石墨烯膜以拉曼光谱法进行了特征。分别位于1345、1579和2686 cm -1左右的石墨烯，D，G和2D波段的三个主要频段，没有流速的影响。发现，在所有条件下，创建的石墨烯膜的缺陷都低。但是，当使用氩气1升/min的流速并重复5次时，创建的石墨烯具有2层。但对于其他流速，创建的石墨烯膜有多层。
采用银烧结芯片粘接的 PCB 嵌入式技术的新功率模块概念
1. 简介 在汽车行业，电气解决方案的高度集成是一大趋势 [1]。因此，行业面临着提供集成度更高、更可靠、更节能的设备的需求 [1-4]。这些设备应安装在汽车有限的空间内。这种内部空间限制以及不断增加的功率密度需要增强散热以在减小尺寸的同时提高性能 [2]。PCB 嵌入式技术是解决这些问题的绝佳解决方案。事实上，它通过优化互连、减小尺寸和重量以实现小型化来提高电源模块性能 [1, 5]。这种优化可降低寄生电感并获得更好的热管理 [1, 6, 7]。本文选择的一个应用示例是智能皮带驱动起动发电机。对于此应用，我们采用了 PCB 嵌入式技术。对于后一种情况，本研究涉及一种新电源模块概念的可行性，该概念包含四个 100 V Si MOSFET ST315N10F7D8，作为单个开关并联，高度集成在 48 V/400 A 电机中，一方面减小体积和重量，另一方面提高热管理和芯片粘接的机械强度。该技术基于将 Si MOSFET 集成到 PCB 内部，使用银浆烧结进行芯片粘接和预浸渍复合纤维层压。本文将重点描述更为坚固的组装工艺，随后对原型进行电气测试以展示其功能，而机械测试将展示其强度。2. PCB 嵌入式组装设计其原理是使用基于厚铜板的绝缘金属基板 (IMS) 来传输大电流并优化散热。芯片堆叠在两块铜板之间以便于嵌入。芯片和铜板之间的连接由银烧结工艺确保。电绝缘由层压在这些铜板之间的预浸渍复合纤维层实现（见图 1）。此外，芯片栅极烧结到铜箔上，并且可以通过镀通孔 (PTH) 访问该铜箔。
从太阳、外太空和土壤中获取能量
图 2：基于 24 小时 TEG 的能量收集系统的实验研究。（A）照片显示，在马萨诸塞州波士顿东北大学屋顶测试 24 小时 TEG 设备。插图描绘了横截面示意图和 TEG、太阳、环境和外层空间之间的能量流动。（B）24 小时 TEG 模块示意图，由黑色涂层两用铜板组成，既可用作太阳能加热器，又可用作辐射冷却器。TEG 模块使用导热膏与铜板和散热器连接。将铝制散热器插入土壤中，在白天释放热量，在夜间吸收热量。 TEG 模块的顶视图 (C) 和侧面视图 (D)。(E) 设备的顶视图，带有土壤湿度计以显示土壤中的湿度水平，带有 K 型热电偶的挡风玻璃用于监测环境温度，热电偶用于记录 TEG 模块顶部和底部表面以及土壤中两个不同位置的温度。(F) 展示基于 TEG 的 24 小时太阳、外太空和土壤之间能量收集系统的运行原理的示意图。
改善基于GAN的微型腔发光设备的热耗散
摘要 - 基于双介质DBR的双介电型微腔发光设备，它们制造了两个不同的结构，并研究了它们的热特性。为了改善热耗散，使用了比SIO 2高得多的热导率的ALN电流构造层和电镀铜散热器。设备的热电阻从923 k/w降至457 k/w，其中一半是用典型使用的SIO 2电流构造层和键合的底物获得的。这是带有双电介质DBR的基于GAN的微型腔发光设备中报告的最低值。温度分布和设备内部的热量。结果表明，沿垂直方向的热传输有效地绕过底部DBR到铜板。这项工作提供了一种有效的方法，可以改善具有双介电DBR结构的基于GAN的微型腔发光设备。索引项 - 微型腔发光设备，热量耗散，ALN电流配置层，电镀铜板。
TBL035N04HB N 沟道增强型 MOSFET
注：1. tp=10us，占空比 = 1%。2. 数据通过建议封装上的表面贴装测试获得。3. 数据通过脉冲测试获得，脉冲宽度 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%。4. E AS 数据显示最大额定值。测试条件为 V DD = 30V，V GS = 10V，L = 1mH，I AS = 35A。5. 理论上数据与 ID 和 I DM 相同，实际应用中应受总功率耗散限制。6. 器件安装在 FR-4 基板 PC 板上，2oz 铜，对底层 1 英寸见方铜板进行热偏置
高质量单类石墨烯，区域
总结在这项研究中，低压蒸汽的方法用于使高质量的单层石墨烯具有铜板表面大面积的高面积。石墨烯的形成和质量受到基础CH4：H2的温度和比率的显着影响。最佳类单层石墨烯是在约1000°C的温度下进行的，生长周期为120分钟，而CH4：H2的比率为35：6 SCCM。反应室中的总压力在1.0至1.2托尔的范围内变化。峰值2d（〜63.43 cm-1）的峰（FWHM）与拉曼光谱的峰i2d/ig（〜3,10）的强度之比证实了单层石墨烯。石墨烯微不足道和高均匀性的残疾通过低圆形拉曼峰证实。已经评估了许多Khaists的温度和压力参数，是合成高品质石墨烯的最佳选择，有望在光学，电化学，电子和有毒气体传感器的领域打开新应用。
多锂离子电池电池系统的射层铝回收：经济和技术分析
全球电动性的趋势引发了有关在寿命末期对电池电力汽车处理锂离子电池处理的问题。该论文研究了两种含锂离子电池电池组合物（NMC333/C，NMC811/C，LFP/C，NMCLMO/C）的两种高光最高术回收路线（直接和多步骤过程）。基于每个回收过程和电池类型的生命周期清单，通过在工业前量表上进行典型的pyrotealurgical回收工厂进行总体所有权分析，研究了这两个回收过程的盈利能力。结果表明，细胞化学将对回收的盈利能力产生重大影响。尤其是在当前条件下，对于低铜板和低尼克电池类型，似乎很难在当前条件下以获利的方式进行回收。灵敏度分析显示了不同的杠杆及其各自的局限性，以提高回收不同锂离子电池电池系统的过程获利能力。
RO3000®和RO3200™系列高频层压板
处理：基于PTFE的材料比大多数其他刚性印刷布线板层较软，并且更容易受到处理损坏。仅带有铜箔的芯很容易折痕。 粘合到厚铝，黄铜或铜板上的材料更容易刮擦，凹坑和凹痕。 应遵循适当的处理程序。 1）处理面板时，戴上针织尼龙或其他非吸收材料的手套。 正常的皮肤油是略带酸性的，很容易腐蚀铜表面。 指纹很难去除，因为正常的亮光剂会溶解腐蚀，但是将腐蚀性油留在铜中，以使指纹在数小时后重新出现。 建议采用以下过程来去除指纹：a）稀释盐酸中明亮蘸酱。 b）在丙酮，甲基酮酮或氯化溶剂的蒸气中脱脂。 c）水冲洗并烘烤60分钟 @ 250°F（125°C）。 d）重复明亮的倾角。 2）保持工作表面清洁，干燥且完全没有碎屑。 3）通过剪切，锯，遮挡和打孔等初始过程将聚乙烯袋或片袋放在适当的位置。 4）仅通过两个边拾取面板。 薄骨头尤其缺乏通过一个边或角支撑自己所需的刚度，以这种方式处理它们可能会在尺寸上扭曲介电或赋予永久性折痕。 5）在加工过程中，应在工作站之间在平坦的托盘上运输核心，最好与柔软的无硫纸交织在一起。仅带有铜箔的芯很容易折痕。粘合到厚铝，黄铜或铜板上的材料更容易刮擦，凹坑和凹痕。应遵循适当的处理程序。1）处理面板时，戴上针织尼龙或其他非吸收材料的手套。正常的皮肤油是略带酸性的，很容易腐蚀铜表面。指纹很难去除，因为正常的亮光剂会溶解腐蚀，但是将腐蚀性油留在铜中，以使指纹在数小时后重新出现。建议采用以下过程来去除指纹：a）稀释盐酸中明亮蘸酱。b）在丙酮，甲基酮酮或氯化溶剂的蒸气中脱脂。c）水冲洗并烘烤60分钟 @ 250°F（125°C）。d）重复明亮的倾角。2）保持工作表面清洁，干燥且完全没有碎屑。3）通过剪切，锯，遮挡和打孔等初始过程将聚乙烯袋或片袋放在适当的位置。4）仅通过两个边拾取面板。薄骨头尤其缺乏通过一个边或角支撑自己所需的刚度，以这种方式处理它们可能会在尺寸上扭曲介电或赋予永久性折痕。5）在加工过程中，应在工作站之间在平坦的托盘上运输核心，最好与柔软的无硫纸交织在一起。垂直架，除非垂直架子被插入并提供足够的垂直支撑。
回流温度对 Sn-58Bi/Cu 反应偶金属间化合物厚度的影响 Andi Idhil Ismail 1, Andromeda Dwi Laksono 2,3*, Hi
考虑到两种材料都需要电桥，焊料和基板之间的电子连接技术变得非常重要。然而，使用含铅的传统焊料已不再被允许，因此正在开发无铅焊接的研究。这项研究旨在研究回流温度对 Sn-58Bi 焊接接头金属间化合物 (IMC) 厚度的影响。选择 Sn-58Bi 焊料和铜板之间的界面反应偶。回流温度设置为高于 Sn-58Bi 焊料熔点温度 61°C、71°C、81°C 和 91°C。高于焊料熔点温度的持续时间设置为 30 分钟。扫描电子显微镜 (SEM) 和能量色散 X 射线光谱 (EDS) 用于研究界面形态和分析局部成分。此外，还进行了 X 射线衍射 (XRD) 测量以确保对 IMC 进行相位识别。需要进行统计分析来比较 Sn-58Bi/Cu 反应对之间 IMC 厚度增长的差异。结果显示在基材-焊料界面处形成了 Cu 6 Sn 5 和 Cu 3 Sn 的 IMC 层。IMC 层厚度随温度而增加。