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World File Search System铜箔
具有铜箔的创新电池连接器
解决方案：超声金属焊接超声金属焊接技术，由于铜的出色流动行为，多层薄层的可靠连接。高频摩擦运动会破坏箔之间的氧化物层，从而形成具有最佳电阻的粘性键。使用Telso®FlexControl软件在模块化20 kHz焊接系统MPX上实现了该应用程序。配置优势超声波焊接技术为过程和质量监控提供了广泛的选择。20 kHz焊接系统MPX的模块化设计允许最佳集成到制造线中。可以在Telso®FlexControl软件中清楚地管理各种程序，以用于不同的接触配置。与语言无关的操作的直观图形接口可显着简化使用。
石墨烯在铜箔上的堆垛关系和基底相互作用
石墨烯的生产是在金属基底上用化学气相沉积 (CVD) 方法进行的，因为该方法可重复、可扩展，且能获得具有大畴尺寸的高质量层。到目前为止，各种过渡金属已作为基底进行了测试 [4–10]，其中铜箔由于碳溶解度低，已被证明是控制单层和双层生长的合适基底。[11–14] 通常，铜箔上石墨烯畴的成核以随机取向发生，从而形成多晶单层石墨烯片 [15] 甚至扭曲的双层石墨烯。[16] 相邻畴合并后会引入晶界，从而限制载流子迁移率。[17] 使用六边形 Cu(111) 表面作为基底，结果表明石墨烯成核发生在与基底晶格对准的位置，从而有效减少晶界。 [18,19] 在实际应用中，需要将石墨烯从金属基底转移到非金属目标基底（如 SiO 2 、SiC）。在许多情况下，转移层的质量不如原生石墨烯。众所周知，基底的选择可能会影响石墨烯的特性。[20–22] 一方面，Kraus 等人早些时候提出，铜基底的刻面可能会压印在石墨烯上，即使在平坦的基底上，转移后也会导致层起波纹。[23] 另一方面，研究表明，在 SiO 2 上转移的单晶石墨烯中的纳米波纹会降低电子迁移率。[24] 此外，在 Bernal 堆叠双层石墨烯中，在不同基底上都观察到了应变诱导的位错线[25–27]，这可能会限制载流子迁移率。即使在目标基底上转移后，这些位错也可能存在。了解这些位错的形成和生长衬底的影响将为设计双层石墨烯和其他堆叠二维材料的特性开辟一条道路。我们利用低能电子显微镜 (LEEM) 和衍射 (LEED) 研究了在 Cu(111) 衬底上以及转移到外延缓冲层后 CVD 生长的石墨烯的厚度和晶体度。我们发现，在石墨烯生长过程中，衬底表面会重新构建为小平面，即使在单层石墨烯中也会留下波纹结构。LEEM 暗场测量揭示了衬底小平面在双层（和三层）石墨烯中堆叠域形成过程中的作用，这些堆叠域在转移过程中得以保留。
2021 年第四季度收益报告
电池铜箔事业部、铜箔事业部稳定增长、OLED产品组合扩大及客户多元化、BIO产品组合优化）电池铜箔量产产生费用，反映在2021财年收益中。• 2021财年第四季度：由于电池铜箔供应暂时减少导致销售额下降，通过调整铜箔供应
细间距高纵横比FPC电镀工艺
方法图1示出了传统上用于制造FPC的减成法。在铜箔层上形成抗蚀层，在蚀刻过程中，铜箔层的未覆盖部分被溶解并去除。之后，去除抗蚀层，铜箔层的剩余部分成为线路。在蚀刻过程中，蚀刻不仅在铜箔层的厚度方向上进行，而且在横向（侧蚀）方向上进行，这使得在高密度布线中难以缩小线路间距。此外，由于使用厚铜箔，需要蚀刻大量的铜材料，这导致侧蚀的进展变化很大，因此线路宽度变化很大。此外，蚀刻开始的铜箔层的上部比下部蚀刻得更多，结果，线路横截面的顶部比底部更窄
第一材料解决方案合作伙伴
Solus Advanced Materials在高端电池箔技术方面拥有世界领先的竞争力，拥有4.5㎛薄型电池铜箔、高达70kgf/㎛的高强度电池铜箔、高达15%拉伸率的高伸长率电池铜箔制造技术。欧洲综合企业Volta Energy Solutions以这些技术为基础，生产符合全球标准的高品质电池铜箔，并迅速供应给欧洲和北美的客户。
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化学气相沉积石墨烯——从合成到……
图 2. (a) 热丝 CVD 装置中的 CVD 工艺示意图。(b) 石墨烯生长后的铜箔光学显微照片，显示三个晶粒 G1、G2 和 G3。(c) 铜箔上 HF-CVD 石墨烯的典型拉曼光谱。(d) 2D 谱带强度的拉曼图和 (e) (b) 红色方块所包围区域的 2D 和 G 谱带强度比。[图片改编自 Ref. 27]
制造指南RO1200材料
工具：RO1200材料与许多工具系统兼容。选择是否使用圆形或开槽的引脚，外部或内部固定，标准或中心线（多行）工具，以及pre ded pred vs.后冲孔将取决于电路设施的功能和偏好以及最终的注册要求。一般而言，开槽的销钉，中心线工具格式和后口气的打孔将满足大多数需求。无论采用哪种方法，都可以在工具孔周围保留铜。一般而言，建议只有在使用36或72微米铜箔的加工芯上，只有在加工芯上涂抹芯时，建议使用18微米铜箔在核心两侧的工具孔周围保持铜。