铝基板

通过冷低压层压连接烧结氧化铝基板和 LTCC 生带

在微电子领域，设备集成度更高、散热性能更好一直是个趋势。在制造基于陶瓷的微电子器件时，可以应用以下技术。厚膜混合技术使用烧结陶瓷基板（主要是 Al 2 O 3 ），用功能糊料进行丝网印刷，然后在 850°C 下烧制。氧化铝基板具有非常好的导热性（25 W/mK），但是只有两侧可以进行金属化。使用 LTCC 技术的多层系统可以实现更好的小型化。LTCC 器件通过丝网印刷、堆叠和层压陶瓷绿带，然后进行共烧来制造。LTCC 的缺点是由于其玻璃含量高而导致的低导热性（3 W/mK）。通过结合混合技术和 LTCC 技术，可以结合两种方法的优点，例如良好的导热性和高的多层集成度。由于通过热压将生带层压在烧结陶瓷基板上的故障率太高，因此冷低压层压 (CLPL) 已被用作替代层压工艺。CLPL 是一种层压方法，其中组件的连接是在室温下通过使用双面胶带施加非常低的压力 (<5 MPa) 进行的。在热处理过程中，粘合膜将胶带保持在一起，直到粘合剂完全分解；在进一步升温期间，胶带通过烧结连接在一起。本文介绍了将烧结材料与生带连接所使用的材料和加工步骤，并讨论了烧制过程中发生的影响。这些影响（如边缘卷曲和裂纹形成）主要是由于在受限烧结过程中发生的应力造成的。可以通过改变工艺参数来影响它们的控制。关键词：连接、层压、冷低压层压、LTCC、氧化铝基板