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DRV5015 低压、高灵敏度、数字锁存霍尔效应传感器数据表 (Rev. A)
DRV5015 是一款磁性传感器，具有数字输出，可锁存最近测量的极点。上电期间，如果没有外部磁场，DRV5015A1 和 DRV5015A2 默认为低输出状态，而 DRV5015A3 默认为高输出状态。在封装顶部附近施加南磁极会导致 DRV5015A1 和 DRV5015A2 输出驱动为低，而北磁极会导致此输出驱动为高。在封装顶部附近施加南磁极会导致 DRV5015A3 输出驱动为高，而北磁极会导致此输出驱动为低。没有磁场会导致输出继续驱动当前状态，无论是低还是高。
DRV5015 低压、高灵敏度、数字锁存霍尔效应传感器
8.1 应用信息 ................................................................ 13 8.2 典型应用 .............................................................. 13 8.3 要做什么和不要做什么 .............................................. 16 9 电源建议 .............................................................. 17 10 布局 .............................................................................. 17 10.1 布局指南 .............................................................. 17 10.2 布局示例 .............................................................. 17 11 器件和文档支持 ...................................................... 18 11.1 文档支持 ............................................................. 18 11.2 接收文档更新通知 18 11.3 社区资源 ............................................................. 18 11.4 商标.................................................................... 18 11.5 静电放电警告 ............................................................. 18 11.6 术语表 .................................................................... 18 12 机械、封装和可订购信息 .......................................................................... 18
基于 ReRAM 的非易失性和抗辐射锁存器设计
摘要：在航空航天环境中，芯片的高可靠性和低功耗至关重要。为了大幅降低功耗，芯片的锁存器需要进入掉电操作。在此操作中，采用非易失性（NV）锁存器可以保留电路状态。此外，在航空航天环境中，锁存器可能会被辐射粒子击中，在最坏的情况下会导致严重的软错误。本文提出了一种基于电阻式随机存取存储器（ReRAM）的NV锁存器，用于NV和鲁棒应用。所提出的NV锁存器具有低开销的抗辐射能力，并且可以在掉电操作后恢复值。仿真结果表明，所提出的NV锁存器可以完全提供针对单粒子翻转（SEU）的抗辐射能力，并可以在掉电操作后恢复值。与其他类似解决方案相比，所提出的NV锁存器可以将存储单元中的晶体管数量平均减少50％。