错误恢复

适用于航空航天和军事应用的软错误恢复 SRAM 单元

摘要 — 太空辐射粒子会导致电路故障。它对内存敏感的存储设备尤其敏感。当它影响存储在内存电路中的数据时，会造成中断。标准 6T SRAM 无法缓解这种中断。因此，许多作者提出了各种恢复策略。然而，存储单元效率和软错误概率之间存在权衡。本文介绍了一种极性设计软错误翻转恢复 SRAM 存储单元 (SUR-16T)，它可以有效地恢复由于高能粒子撞击而丢失的数据。与上述存储单元相比，SUR-16T 具有出色的写入稳定性、更低的保持功耗和更短的 PVT 变化写入访问时间。此外，在 0.8V 电压下，SUR-16T 的临界电荷比 SEA-14T/ RHBD-13T/ RHMC-12T/ QCCS-12T/ NRHC-14T/ HRRT-13T 高 0.96 倍/ 1.15 倍/ 1.10 倍/ 1.18 倍/ 1.02 倍/ 1.64 倍。此外，所提出的存储单元比现有存储单元具有更高的相对性能系数。