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World File Search System键合
两天的混合键合研讨会
混合键合是一种用于堆叠两个结构的技术，例如芯片，晶圆和底物，每个结构都由金属和周围的介电材料组成。在混合键合过程之后，金属互相键合，并且介电材料也无缝连接。混合键合被认为是3D IC整合中的最终技术之一。但是，在混合键合的出现之前，首先引入了Cu-to-Cu键合，以实现3D IC集成的概念。在1999年至2002年之间，REIF在麻省理工学院的小组提出了一种晶圆级3D集成方案，其中包括使用处理晶片（Si Carrier晶片），研磨技术和Cu-to-to-Cu直接键合，如图1 [1]所示。要键合的Cu结构由Cu垫组成，类似于当今使用的Cu凸起和CU支柱。
QCBED 测量铝纳米空隙周围的空位浓度、晶格收缩和键合电子密度
Philip Nakashima 副教授 1、Yu-Tsun Shao 博士 2,3、Zezhong Zhang 博士 4,5,6、Andrew Smith 博士 7、Tianyu Liu 博士 8、Nikhil Medhekar 教授 1、Joanne Etheridge 教授 7,9、Laure Bourgeois 教授 1,9、Jian-Min Zuo 教授 10,11 1 澳大利亚克莱顿莫纳什大学材料科学与工程系，2 美国洛杉矶南加州大学 Mork Family 化学工程与材料科学系，3 美国洛杉矶南加州大学纳米成像核心卓越中心，4 比利时安特卫普大学材料研究电子显微镜 (EMAT)，5 比利时安特卫普大学 NANOlab 卓越中心，6 英国牛津大学材料系，7 克莱顿莫纳什大学物理与天文学院，澳大利亚，8 日本仙台东北大学先进材料多学科研究所，9 澳大利亚克莱顿莫纳什大学莫纳什电子显微镜中心，10 美国厄巴纳-香槟伊利诺伊大学材料科学与工程系，11 美国厄巴纳-香槟伊利诺伊大学材料研究实验室，背景包括目标我们着手对非均质晶体材料中纳米结构周围的键合电子密度进行首次位置分辨测量。迄今为止，所有键合电子密度和电位研究仅涉及均质单相材料；然而，大多数为我们服务的材料由于其包含的纳米结构而具有混合特性，这通常是设计使然。我们还注意到，材料缺陷无处不在且不可避免，因此我们可以从单一均质晶体的名义上完美的区域推导出材料特性的假设在范围和“实际”应用方面是有限的。这项工作旨在提供一种新功能，用于查询纳米结构和非均质材料中纳米结构周围的键合电子密度。我们的首次尝试涉及名义纯度（99.9999+%）铝中的纳米空隙。在实现这一目标的过程中，我们必须准确绘制空位浓度并确定空位引起的相关晶格收缩，以便能够精确测量晶体势和电子密度的傅立叶系数（结构因子）（误差小于 0.1%），因此我们取得了多项发现。© 作者，由 EDP Sciences 出版。这是一篇开放获取文章，根据知识共享署名许可 4.0 条款分发（https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/）。
动态共价化学：探索可逆键合及其应用
动态共价键是通过可逆反应形成的，这意味着可以通过改变反应条件（例如温度、pH 值或浓度）来改变反应物和产物之间的平衡。可逆共价键的例子包括亚胺键、二硫键和硼酸酯键。这些键允许创建能够适应和响应外部刺激的材料，从而产生新的特性和功能。三聚体分子通常由于单体单元之间形成额外的化学键而表现出更高的化学稳定性。三聚体分子可以采用特定的结构排列，例如线性、环状或支链构型，具体取决于单体的几何形状和三聚化过程的性质。三聚化用于合成生物活性化合物和药物中间体。与单体相比，三聚体分子可能表现出增强的药理特性。三聚反应有助于生产具有定制特性和功能的高分子量聚合物。三聚体单体
带有陶瓷中介层的双面堆叠低电感无引线键合 SiC 功率模块
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与光子线键合（PWB）和相关微镜头
“使用光子线键合在硅光子集成芯片上的包装可调单模III-V激光”，（2024）Deenadayalan等人，IEEE，IEEE 74th（ECTC），Denver，Colorado，Colorado，USA
2024 年混合键合专利格局
通过专利分析，我们描述了知识产权参与者的地位，揭示了他们加强知识产权组合的策略，强调了他们限制其他公司的专利活动和自由实施的能力，识别有前途的新参与者，并预测了未来的知识产权领导者。知识产权竞争分析应反映具有进入和发展先进半导体封装市场业务的战略的参与者的愿景。在本报告中，我们全面概述了竞争激烈的知识产权格局和与混合键合技术相关的最新技术发展。该报告涵盖了专利申请、专利权人、申请国家、专利技术和目标应用方面的知识产权动态和主要趋势。它还确定了知识产权领导者和最活跃的专利申请人，并揭示了该领域不为人知的公司和新参与者。
以金属有机骨架为填充物的逆向混合键合
图 29 (a) 每个 I/O 电阻测量的开尔文结构；(b) 键合铜柱的 SEM 横截面 ......................................................................................................... 44 图 30 带 Ru 封盖的 Cu-Cu 键合测试台 ............................................................................. 45 图 31 铜上钌的沉积过程 ............................................................................................. 45 图 32 30 分钟 FGA（合成气体退火）退火后表面 Cu 和 Ru 的百分比 [98] ............................................................................................................. 46 图 33 450°C FGA 退火后，带有针孔的 Ru 表面上的扩散 Cu ............................................................................. 47 图 34 用于研究填充的测试台制造流程 ......................................................................................... 49 (b) 使用 Keyence 7000 显微镜对集成结构进行的顶视图，描绘了顶部芯片上的通孔密度 ............................................................................................................................. 50 图 36 (a) 200 次循环氧化铝 ALD 后扫描 EDX 映射区域的 SEM 图像；(b) 集成结构的顶视图，突出显示了填充覆盖研究区域；(c) EDX 映射结果描绘了铝和氧 pe 的区域 ............................................................................................................................. 51 图 37 200 次循环氧化铝 ALD 后脱粘底部芯片的 FIB 横截面描绘 ............................................................................................................................. 52 图 38 (a) 200 次循环真空清除 ALD 后 EDX 研究的不同区域 - 底部芯片正下方通孔区域（区域 A）、距最近通孔 300 µm 的区域（区域 B）、靠近边缘的区域（区域 C）； (b) 三个 r 中的 Al/Si 比率 ...................................................................................................................................... 52 图 39 (a) 集成结构的对角线切割；(b) 描绘平滑填充区域和无填充的受损区域后集成结构横截面的近视图；(c) 描绘填充高达 300 µm 的横截面的未放大图像 ............................................................................................. 54 图 40 (a) ZIF-8 MOF 化学和结构；(b) 示意图表示 ALD ZnO 和转化为气相沉积 MOF，体积膨胀和间隙填充约为 10-15 倍。 ........................................................................................................................................... 56 图 41 在完全填充芯片到基板间隙后，距离最近通孔 300 µm 的集成结构横截面的 EDX 映射.............................................................................57 图 42 横截面的 SEM 图像显示抛光模具未渗透到通孔和芯片与基板的间隙中，从而使上述结果可信 ............................................................................................. 58 图 43 (a) 测试台示意图，顶部芯片具有通孔 Cu-Cu 键合到底部基板；(b) Cu-Cu 键合测试结构的 SEM 横截面（面 A）；(c) 键合前顶部芯片表面的铜垫/柱（面 B）；(d) 键合前底部芯片表面的带有金属走线的铜柱（面 C） ............................................................................................................................. 59 图 44 20 nm ZnO ALD 后脱键合的底部芯片概览；(b) 通孔下方未沉积填充的区域 ............................................................................................................. 60 图 45 顶部芯片靠近通孔的区域，显示扩散半径为 (a) 572 µm，通孔直径为 240 µm； (b) 75 µm 直径通孔的 364 µm .............................................................. 61 图 46 20 nm ZnO ALD 后的脱粘底部芯片概览，a) 脉冲时间 250 ms 和温度 150°C；(b) 脉冲时间 1 秒和温度 150°C ................................................................................ 62 图 47 反向混合键合的工艺顺序 ............................................................................................. 63 图 48 (a) 1 个 MOF 循环后脱粘底部芯片的概览；(b) 在底部芯片中间观察到的 MOF 晶粒表明已完全渗透............................................................................................................. 64 图 49 靠近底部基板中心的 FIB 横截面，如预期的那样，显示了 500 nm MOF ............................................................................................................................................. 65 图 50 (a) 5 个 MOF 填充循环后脱粘底部芯片的概览；(b)62 图 47 反向混合键合的工艺顺序 .......................................................................................... 63 图 48 (a) 经过 1 个 MOF 循环后，脱键合底部芯片的概览；(b) 在底部芯片中间观察到的 MOF 晶粒表示完全渗透............................................................................. 64 图 49 靠近底部基板中心的 FIB 横截面，如预期的那样显示了 500 nm MOF ............................................................................................................................. 65 图 50 (a) 经过 5 个 MOF 填充循环后，脱键合底部芯片的概览；(b)62 图 47 反向混合键合的工艺顺序 .......................................................................................... 63 图 48 (a) 经过 1 个 MOF 循环后，脱键合底部芯片的概览；(b) 在底部芯片中间观察到的 MOF 晶粒表示完全渗透............................................................................. 64 图 49 靠近底部基板中心的 FIB 横截面，如预期的那样显示了 500 nm MOF ............................................................................................................................. 65 图 50 (a) 经过 5 个 MOF 填充循环后，脱键合底部芯片的概览；(b)
最新协议旨在推进芯片封装的热压和混合键合方法
小芯片将 SOC 分解成复合部件，从而形成更小的芯片，然后可以将其封装在一起作为单个系统运行，从而提供潜在的优势，包括提高能源效率、缩短系统开发周期和降低成本。然而，在 AI 计算快速创新的推动下，需要封装方面的进步才能更快、更高效地将小芯片从研究转移到量产。