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World File Search System键合带
“银键合线长期可靠性中金属间化合物生长及失效机制研究”
摘要 银线近年来已成为一种新型键合材料，但用户和现场工程师对其可靠性性能问题（包括故障机理和金属间化合物 (IMC) 形成）仍然存在分歧。本研究介绍了一种新型高纯度 96Ag-3Pd-1Au 合金（96% Ag）银线，并通过键合性和可靠性测试评估了其在铝键合焊盘上的键合性能。用于表征银线特性的可靠性测试包括高温储存寿命测试 (HTST) 和带温度和湿度的无偏高加速应力测试 (uHAST)。使用了两种具有不同氯离子含量的模具化合物。绿色化合物的氯离子含量低于 10 ppm，普通化合物的氯离子含量低于 27 ppm。对 HTST150'C 和 175'C 下 2000 小时的键合性、IMC 形成（Ag 2 Al、Ag 3 Al）和生长速率进行了测量，并根据 uHAST 的微观结构表征确定了可能的失效机制，其中由于原电池反应和 Cl- 离子在足够的水分和热能下发生重复的氧化和还原反应，而 Ag-Al IMC 和 Al 垫的还原反应导致形成微裂纹失效。
WS-006 - 微电子 - L3Harris Technologies, Inc.
5.1.封装柱中的新月形键合放置 5.2.键合焊盘中的球形键合放置 5.3.球形键合与相邻金属化的分离 5.4.球形键合放置于芯片附近 5.5.球形键合形成最小值 5.6.球形键合形成最大值 5.7.球形键合尺寸（图示） 5.8.球形键合化合物键合 5.9.球形键合线出口 5.10.线中的球形键合变形 5.11.球形键合线环路，公共线 5.12.球键应力释放和导线环路 5.13。球键应力释放和导线环路（图示） 5.14。楔形键合尺寸（图示） 5.15。楔形键合形成，最小，小线径 5.16。楔形键合形成，最大，小线径 5.17。楔形键合形成，大线径 5.18。楔形键合放置在柱上，大线径 5.19。楔形键合线从柱中退出 5.20。楔形键合应力释放，大线径 5.21。安全债券 - 新月债券上的球形债券 6。外部视觉 ...................................................................................................................................................................... 56
住房和经济发展键 -
具体而言，TIF地区的即将到期意味着同样大量的增量均衡评估价值（EAV）设置为返回该市的征税。这些美元作为特殊类别（称为“新财产”或“新EAV”）退还给所有税收机构 - 这导致永久且持续的增长到税基，而不需要对财产税征收的肯定性增加。这意味着预期的1.5亿美元的新的年收入将在未来10年内增加该市的征税，并在15年内进一步增加到超过2.9亿美元。这种好处不仅限于芝加哥市。该市的所有税收机构，包括芝加哥公立学校（CPS），芝加哥公园区和库克县 - 将看到相应的增加。在CPS的情况下，在未来15年内，累计新资金的收益接近50亿美元。
人工智能如何工作以及如何与之互动
计算表示 x 1 − x 2 平面上第 i 个点的向量 xi = (xi 1, xi 2, 1) 与参数向量 w = (w 1, w 2, b) 的内积，并根据乘积是正数还是负数对它们进行分组。
采用面对面晶圆键合技术的三维堆叠高性能商用微处理器的热分析
摘要 — 3D 集成技术在半导体行业得到广泛应用，以抵消二维扩展的局限性和减速。高密度 3D 集成技术（例如间距小于 10 µ m 的面对面晶圆键合）可以实现使用所有 3 个维度设计 SoC 的新方法，例如将微处理器设计折叠到多个 3D 层上。但是，由于功率密度的普遍增加，重叠的热点在这种 3D 堆叠设计中可能是一个挑战。在这项工作中，我们对基于 7nm 工艺技术的先进、高性能、乱序微处理器的签核质量物理设计实现进行了彻底的热模拟研究。微处理器的物理设计被分区并以 2 层 3D 堆叠配置实现，其中逻辑块和内存实例位于不同的层（逻辑位于内存上的 3D）。热仿真模型已校准到采用相同 7nm 工艺技术制造的高性能、基于 CPU 的 2D SoC 芯片的温度测量数据。模拟并比较了不同工作负载条件下不同 3D 配置的热分布。我们发现，在不考虑热影响的情况下以 3D 方式堆叠微处理器设计会导致在最坏情况下的功率指示性工作负载下，最高芯片温度比 2D 芯片高出 12°C。这种温度升高会减少在需要节流之前运行高功率工作负载的时间。但是，逻辑在内存上分区的 3D CPU 实现可以将这种温度升高降低一半，这使得 3D 设计的温度仅比 2D 基线高 6°C。我们得出结论，使用热感知设计分区和改进的冷却技术可以克服与 3D 堆叠相关的热挑战。索引术语 —3D 堆叠、面对面、热
调节无缓冲直接键合 GaN/Si 异质结构的层间微结构和残余应力
1 英国布里斯托大学 HH Wills 物理实验室器件热成像与可靠性中心 (CDTR)，Tyndall Avenue，布里斯托 BS8 1TL，英国。2 中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室，北京 100083，中国。3 中国科学技术大学纳米科学与技术研究所，合肥 230026，中国。4 上海高压科学与技术先进研究中心，上海 201203，中国。5 哈尔滨工业大学理学院，深圳 518055，中国。 6 北京工业大学光电子技术教育部重点实验室，北京 100124，中国 7 大阪市立大学电子信息系统系，大阪住吉杉本 3-3-138，日本 558-8585 8 大阪都立大学工程研究生院，大阪住吉杉本 3-3-138，日本 558-8585
QCBED 测量铝纳米空隙周围的空位浓度、晶格收缩和键合电子密度
Philip Nakashima 副教授 1、Yu-Tsun Shao 博士 2,3、Zezhong Zhang 博士 4,5,6、Andrew Smith 博士 7、Tianyu Liu 博士 8、Nikhil Medhekar 教授 1、Joanne Etheridge 教授 7,9、Laure Bourgeois 教授 1,9、Jian-Min Zuo 教授 10,11 1 澳大利亚克莱顿莫纳什大学材料科学与工程系，2 美国洛杉矶南加州大学 Mork Family 化学工程与材料科学系，3 美国洛杉矶南加州大学纳米成像核心卓越中心，4 比利时安特卫普大学材料研究电子显微镜 (EMAT)，5 比利时安特卫普大学 NANOlab 卓越中心，6 英国牛津大学材料系，7 克莱顿莫纳什大学物理与天文学院，澳大利亚，8 日本仙台东北大学先进材料多学科研究所，9 澳大利亚克莱顿莫纳什大学莫纳什电子显微镜中心，10 美国厄巴纳-香槟伊利诺伊大学材料科学与工程系，11 美国厄巴纳-香槟伊利诺伊大学材料研究实验室，背景包括目标我们着手对非均质晶体材料中纳米结构周围的键合电子密度进行首次位置分辨测量。迄今为止，所有键合电子密度和电位研究仅涉及均质单相材料；然而，大多数为我们服务的材料由于其包含的纳米结构而具有混合特性，这通常是设计使然。我们还注意到，材料缺陷无处不在且不可避免，因此我们可以从单一均质晶体的名义上完美的区域推导出材料特性的假设在范围和“实际”应用方面是有限的。这项工作旨在提供一种新功能，用于查询纳米结构和非均质材料中纳米结构周围的键合电子密度。我们的首次尝试涉及名义纯度（99.9999+%）铝中的纳米空隙。在实现这一目标的过程中，我们必须准确绘制空位浓度并确定空位引起的相关晶格收缩，以便能够精确测量晶体势和电子密度的傅立叶系数（结构因子）（误差小于 0.1%），因此我们取得了多项发现。© 作者，由 EDP Sciences 出版。这是一篇开放获取文章，根据知识共享署名许可 4.0 条款分发（https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/）。
涂有pd的Cu线的针键键工艺
成本降低是最近向CU线键合的主要驱动力，主要是AU线粘结。包装的其他成本降低来自基板和铅框架的新开发项目，例如预镀框（PPF）和QFP和QFN的UPPF降低了镀层和材料成本。但是，由于粗糙的smface饰面和薄板厚度，第二个键（针键键）在某些新的LeadFrame类型上可能更具挑战性。pd涂层的Cu（PCC），以通过裸铜线改善电线键合工艺，主要是为了提高可靠性并增强了S TCH键过程。需要进行更多的FTMDAMENTALS研究来了解粘结参数和粘结工具的影响以提高针迹键合性。在本研究中研究了Au/Ni/pd镀的四型扁平铅（QFN）PPF底物上直径为0.7 mil的PCC电线的针键键过程。两个具有相同几何形状但不同的s脸的胶囊用于研究Capillruy Smface饰面对针键键过程的影响。两种毛细血管类型是一种抛光的饰面类型，用于AU线键合，而颗粒•饰面毛细管具有更粗糙的smface fmish。比较铅（NSOL）ATLD SH01T尾巴之间的过程窗口。研究了过程参数的影响，包括粘结力和表SCMB扩增。过程窗口测试结果表明，颗粒毛细管具有较大的过程窗口，并且SH01T尾巴OCCTM的机会较低。在所有三个Pru·emeter套件中，颗粒状的毛细血管均显示出更高的粘结质量。较高的SCMB振幅增加了成功SS的机会 - 填充针键键的fonnation。ftnther比较了毛细血管smface饰面，3组参数se ttings ttings ttings ttings具有不同的键atld scmb a振幅ru·e测试。与抛光类型相比，Grrumlru·capillruy产生了更高的针迹拉力强度。开发了该过程的有限元模型（FEM），以更好地了解实验性OB使用。从TL1E模型中提取了电线和亚种界面处的电线的Smface膨胀（塑性脱节），并归因于粘附程度（键合）。该模型用于与不同的Smface饰面相连（键合）的实验观察。