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高温器件用超薄玻璃基板的直接键合与脱键合方法
sylvain.poulet@cea.fr 摘要 — 超薄基板上柔性薄膜电子设备的出现是由开发与前端和后端工艺完全兼容的替代处理方法的需求所驱动。这项研究的目的是提出一种新的超薄玻璃基板处理方法，该方法基于直接玻璃-玻璃键合和室温剥离脱粘。通过在超薄玻璃基板（<100µm）上实现薄膜电池（<20µm）来评估这一概念。为了键合，将超薄玻璃层压在厚的载体玻璃（>500µm）上，没有中间层。薄膜电池堆栈采用连续物理气相沉积法制造，温度高达 400°C。脱粘过程在室温下通过机械剥离层压在薄膜电池上的封装膜完成。结果，脱粘后超薄玻璃（<100µm）没有任何裂纹的迹象。此外，脱粘过程之前和之后进行的电化学阻抗谱 (EIS) 和恒电流循环表明器件性能略有稳定。
C2W 混合键合联盟
情况说明书 A*STAR 微电子研究所与八家半导体公司合作成立芯片到晶圆混合键合联盟 2021 年 2 月 11 日 A*STAR 微电子研究所 (IME) 与领先的半导体公司合作开发芯片到晶圆 (C2W) 混合键合，用于高密度 2.5D 和 3D 集成电路 (IC) 集成。新成立的竞争前 C2W 混合键合联盟由国际和本地行业供应链公司组成，将利用 IME 在 2.5D 和 3D IC 集成和键合技术方面的专业知识来开发 C2W 混合键合工艺并演示 4 个芯片堆叠且间距 ≤10um 互连。请参阅附件 A 以获取联盟成员的完整列表。 IME 牵头的 C2W 混合键合联盟由全球领先的工业企业和新加坡的一家中小企业组成，包括设备制造商、设备和材料供应商。设备制造商为设计、工艺和可靠性要求做出贡献，而设备供应商则通过带来新的先进工具和能力以及开发和修改专用于混合键合和模块工艺开发的硬件来做出贡献。材料供应商将带来用于混合键合的新型介电材料以及用于薄晶圆处理的临时粘合剂。本地中小企业 Capcon Singapore 为该联盟带来了其在制造倒装芯片键合机方面的强大专业知识；主要是高精度高生产率芯片键合机和倒装芯片键合机、晶圆上芯片键合机和封装上封装键合机的能力。作为该联盟的成员，Capcon 能够加速其在芯片到晶圆混合键合领域的研发并缩短其开发周期。IME 将与联盟成员一起领导开发和流程集成，以实现高产量多堆栈 C2W 混合键合。由于数据中心和高性能计算 (HPC) 应用需要大量数据存储和数据处理，对更高速度和更大内存容量的需求不断增长。此外，片上系统 (SoC) 正朝着具有高密度 2.5D/3D 集成的“小芯片”发展。混合搭配功能小芯片能够通过重复使用现有 IP 和芯片来降低设计成本和时间，而传统的 2D 缩放不再能降低芯片成本。基于对高密度 3D 堆叠内存和 2.5D/3D 异构集成的强烈需求，细间距芯片间连接引起了半导体行业的极大兴趣。使用混合键合的 C2W 堆叠是满足这些需求以及细间距互连和小尺寸的关键。
键合理论应解释什么？什么...
虽然这些轨道上的电子与 MnO 中金属离子周围的六个 O 2- 离子上的电子之间可能会发生排斥，从而增加这些轨道的能量，但这些轨道仍将保持简并状态（具有相同的能量）。
晶圆键合和 CMP
弗劳恩霍夫 ENAS 和开姆尼茨大学微技术中心，科技园区 3，09126 开姆尼茨，德国 弗劳恩霍夫 IZM-ASSID，Ringstrasse 12，01468 莫里茨堡，德国 ErzM-Technologies UG，科技园区 1，09126 开姆尼茨，德国
电线键合可靠性评估
1.1.1。球键故障球键故障是微电子包装中最常见的故障模式[2]。通常是由于热老化引起的金属间生长。来自金属间层中的微裂纹并削弱了键[3]。球键合AU，Cu，Ag基线到Al金属化形成热老化的金属间化合物（铝制）。[4]在不同的金属超声波或热音线键中有限的界面IMC形成会增加键强度。但是，过度的IMC形成可能导致债券的性能下降。IMC的厚度增加会产生较高的电阻，从而导致流动流动时较高的热量产生。这会产生乘数效应，因为由于电阻率升高而引起的加热促进了粘合界面中其他IMC的形成[5]。imcs的形成以及界面处的相关空隙和裂纹决定键的强度和可靠性。IMC的形成对粘结强度有益，但是它们的过度生长可以增加键和接触电阻的脆性，从而导致键失败[6]。
两天的混合键合研讨会
混合键合是一种用于堆叠两个结构的技术，例如芯片，晶圆和底物，每个结构都由金属和周围的介电材料组成。在混合键合过程之后，金属互相键合，并且介电材料也无缝连接。混合键合被认为是3D IC整合中的最终技术之一。但是，在混合键合的出现之前，首先引入了Cu-to-Cu键合，以实现3D IC集成的概念。在1999年至2002年之间，REIF在麻省理工学院的小组提出了一种晶圆级3D集成方案，其中包括使用处理晶片（Si Carrier晶片），研磨技术和Cu-to-to-Cu直接键合，如图1 [1]所示。要键合的Cu结构由Cu垫组成，类似于当今使用的Cu凸起和CU支柱。
门2024带答案键的试卷
ques.12通过为以下段落选择正确的序列来填充空白：我第一次穿着一些（i）________，因为它们很长一段时间，我一次从未穿过很长时间。我通常会在演讲之前将它们放在上面。他们在我的脚上施加的痛苦压力使我的演说能力最大。这种剧烈而压倒性的痛苦使我像夜莺一样唱歌，或者像那不勒斯歌手中的一位也穿得太紧（ii）____太紧。内脏的身体渴望，这是我（iii）_____造成的压倒性的折磨，迫使我从蒸馏和崇高的真理中提取出来，这是由于我（iv）____遭受的痛苦的最高询问而概括了。
SLID 键合 Au-Sn 和 Cu 的机械特性...
[2] Aibin Yu、C. S. Premachandran、R. Nagarajan、C. W. Kyoung、Lam Quynh Trang、R. Kumar、Li Shiah Lim、J. H. Han、Yap Guan Jie 和 P. Damaruganath，“MEMS 谐振器晶圆级真空封装的设计、工艺集成和特性”，电子元件和技术会议 (ECTC)，2010 年第 60 届论文集，2010 年，第 1669-1673 页。1669-1673。
键合类型碲-氮相互作用
摘要：我们回复 J.-M. Mewes、A. Hansen 和 S. Grimme (MHG) 的评论，他们对我们通过气体电子衍射 (GED) 确定的 (C 6 F 5 )Te(CH 2 ) 3 NMe 2 中 N···Te 距离的 re 值的准确性提出质疑。我们最终证明，MHG 引用的参考计算结果不如他们声称的固态和气相准确。我们通过更高级别的计算表明，我们并未遗漏开链构象异构体的重大贡献。对模拟散射数据的细化表明，此类贡献对 re (N···Te) 的影响几乎可以忽略不计。MHG 建议使用 H0 调谐的 GFN 方法来计算振动校正 rare ，但这并没有显著改变这些值。使用更高级别的解析谐波和数值立方力场 (PBE0-D3BJ/def2-TZVP) 进行替代振幅计算，得出 re (N···Te) = 2.852(25) 的 GED 值，该值完全在原始值 2.918(31) 的实验误差范围内，但远低于 MHG 预测的 2.67(8)。现在改进的误差估计解释了计算辅助值的不准确性。与其他涉及弱化学相互作用的系统相比，弱 N···Te 相互作用的气固差异处于现实范围内。Mewes、Hansen 和 Grimme 最近的评论 [1]