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真空对 PEM 中金/铝线键合高温降解的影响
金属间化合物的生长和转变伴随着金/金属间化合物界面处键合内部以及键合外围的铝接触垫中空隙的形成。空隙是由于 Al 和 Au 原子扩散速率差异（Kirkendall 效应）形成的空位聚结而产生的。金属间化合物的形成使键合更坚固，但由于金属间化合物的体积变化，与 Au 和 Al 相比，键合更脆，机械应力更大 [1, 3]。由于金属间化合物的形成，引线键合的电阻仅增加几十毫欧姆 [1, 4]。在退化的初始阶段，空隙不会显著影响键合的机械强度和接触电阻。然而，长时间暴露在高温下会增加空洞，直至键合变得机械脆弱和/或电阻增加到可接受水平以上，从而导致设备故障。
设计掺杂：通过亚价键合增强 GeSe 合金的热电性能
对可持续清洁能源的需求推动了热电 (TE) 材料的发展，这种材料可将热能直接转化为电能并实现分布式冷却。[1–3] 能量转换效率通过无量纲性能系数 zT = S 2 σ T / ( κ ele + κ lat ) 来衡量，其中 S 、σ 、T 、κ ele 和 κ lat 分别为塞贝克系数、电导率、绝对温度、电子热导率和晶格热导率。[4–8] 尽管 zT 的表达式看起来很简单，但增加其值却是一项艰巨的任务。具体而言，虽然在半导体中通常获得较高的 S，但在金属中会发现较大的 σ ，而在非晶态材料中会实现较低的 κ lat 。[6,9] 这已经表明优化要求很复杂。显然，相关优化参数 S 、 σ 和 κ ele 紧密相关。这阻碍了 zT 的改善和优质热电材料的识别。因此，
拧紧扭矩对电线键合换能器动力学和粘结强度的影响
Wirebondinghasbeenthemostwidelyusedandflexibleform of interconnecting technology in semiconductor manufacturing [1] .Themechanicalreliabilityofwirebondsinamicroelectronic package depends to a big extent on the formation of intermetallic compounds at the interface, environmental stress cycling of the module, fatigue and bonding process itself.债券过程控制和债券质量监控一直是制造OEM的主要关注点。电线键合是一个复杂的过程，具有许多参数（例如功率输入，粘结压力，粘结时间，阶段温度，传感器配置）。对于这样的制造过程，确定主要因素及其影响对于过程优化很重要。常规传感器组件包括以一端耦合的PZT（铅 - 循环酸 - 二烷基）驱动元件，以及键合工具耦合到传感器的输出端。为了维修/更换需求，该工具在组件上螺钉固定。这是具有“蟹腿”键合工具的三维结构。螺钉固定条件（工具上的扭矩值）可能会影响包装实践中的传感器性能，但是很少有有关此
用于激光辅助键合的先进芯片光束对准方法
摘要 在激光辅助键合工艺中检查激光束和芯片是否对准的动作称为芯片束对准。当前的芯片束对准方法是简单的肉眼目视检查，这使得该方法极易受到人为错误的影响，因为它取决于负责它的工程师/操作员的感觉和能力。此外，它缺乏明确的定量评估标准。本研究的目的是开发一种基于计算机视觉算法的无人为错误的芯片束对准方法。专用的图像采集相机与基于计算机视觉的定制软件相结合，成功地将芯片和激光束对准，精度为 0.060 毫米。简单的硬件设置与用户友好的软件相结合，使其成为一种方便的现场使用方法。 关键词 计算机视觉、芯片束对准、激光辅助键合、LAB。
用于热粘合应用应用的优化的模具键合设置
热键合（TSB）是一种模具到die的键合方法，它在粘结过程中将新型的热压缩键合与超声波（美国）焊接结合在一起，因此，在微电子粘结应用中使用了每种质量的最佳质量。最初，TSB主要用于电线键合技术[1]。我们引入的引入通过降低在半导体制造中非常有吸引力的施加的粘结压力和温度来增强键合过程。Flip-Chip键合是针对区域阵列连接的一种无焊的模具到die键合技术（图1）。该方法用于将ICS底部的一系列金色凸起（图2）连接到基板上的镀金垫上。通常使用热压缩键合法[2]，这是一个简单，干净且干燥的组装过程。纯热压缩键合通常需要> 300°C的界面温度[2,3]。此温度会损坏包装材料，层压板和一些敏感的微芯片[4]。这种下一个级别的键合解决方案在翻转芯片键合中非常有利，因为界面温度和粘结力通常可以低得多。分别在100至160°C和20和50g/ bump之间[2]。
带-3-13 带-3-18 带-3-26
通过为整个系统和每个灯具注入智能，数字流明系统可以在需要的时间和地点提供照明，以最大限度地降低能耗。它还收集和报告所有照明使用数据，从而深入了解照明的使用方式和地点。
补偿方案的50Ω键键互连...
在设计用于宽带模拟和数字的包装时，例如在串行通信链路或测试和测量应用中使用的包装，必须格外小心，以确保通过芯片上的芯片维持信号保真度到芯片外互连路径。芯片，例如电子测试仪器中使用的串行收发器或放大器，可能具有从DC到10s GHz的操作带宽，并且通常将其集成到50 O系统中。在包装和印刷电路板（PCB）上设计受控的阻抗传输线，这是一个相对简单的物质。但是，这两个领域之间的连接变得更加复杂。片上受控信号路径通常通过电线键连接路由到芯片上受控的阻抗路径。电线键连接由一端连接到IC上的键垫的电线组成，并在另一端连接到包装基板上的传输线（或直接在芯片板应用中的PCB上）。由于这些线键是电线的薄环，从接地平面上循环，它们几乎总是对电路感应，在信号路径中显示出比更高的特征阻抗的一部分。图。1。此简化的图形在陶瓷包装基板上显示了一个腔化的IC。模具位于陶瓷基板形成的腔体内，并粘合到铜模板上。粘结线从芯片控制的阻抗传输线连接到包装基板上的传输线。芯片厚度和陶瓷底物的厚度大致相等，因此
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