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门格斯图最终编辑的研究.pdf
参考文献................................................................................................................................................................ 1
利用对称布尔函数格实现异或/同或门的方法
目前 CMOS 的行业标准 XOR 和 XNOR 门分别由 12 个和 10 个晶体管组成。由于 XOR/XNOR 在许多功能模块中被广泛使用，因此可以降低晶体管数量以产生低功耗电路。作为一种解决方案，提出了一种利用对称布尔函数的特殊性质实现低晶体管数量 XOR/XNOR 门的方法。此特性表明，使用特殊的晶格结构电路可以用更少的晶体管实现此类功能的电路。对原始晶格结构进行了修改，以符合当前 CMOS 技术要求。最终电路需要八个晶体管用于 XOR/XNOR，并在上推和下拉网络中混合使用 NMOS 和 PMOS。模拟表明，XOR/XNOR 的预期逻辑功能已实现。然而，实际电压摆幅的读数表明，当 NMOS 和 PMOS 分别作为下拉或上推网络时，输出要么高于地 0.3 V，要么低于 VDD。如果只有 NMOS 处于上推状态或只有 PMOS 处于下拉状态，则可观察到 0.4 V 的更大电压损失。作为一项初步工作，功能逻辑级别的实现保证了未来开展更多工作以改善输出电压摆幅的损失。
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1. 职位类型及申请资格
6 天前 — 6 申请程序。 (1) 需提交的文件。 A. 国防部人事考试申请表 (1 份) (照片：4.0cm x 3.0cm) B. 个人简历 (市售) (照片：4.0cm x 3.0cm) 附上)。 *照片标准：申请前 6 个月内...
使用高κ门...
摘要：有能力以能量的方式处理数据，建议神经形态计算来克服传统的von Neumann计算系统的问题。神经形态计算由神经元和突触的两个关键特征组成，其中神经元整合了所有电荷，而突触则保留了这些电荷。在本文中，我们制造和分析了模仿单个基于Si的金属氧化物半导体fimect-eect-ectect晶体管（MOSFET）结构中神经元和突触的设备。我们制定和分析2 O 3/Si 3 N 4（A/N）和Al 2 O 3/HFO 2/Si 3 N 4/SiO 2（A/H/N/N/O）设备，以使A/N设备建议用作神经元设备，因为它可以用作快速电荷发射特征，而将其用作a/h/h/h/h/h/h/h/h/h/h/h/h/h/h/h/h/h/h/h/h/h/h/h/h/h/长期收费。我们建议通过在MOSFET中采用不同的栅极绝缘体堆栈结构来制造神经元和突触的可能性。关键字：神经形态计算，突触设备，神经元设备，场效应晶体管，保留，高κ，HFO 2，SI 3 N 4 4■简介