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高速门级同步全加器设计
摘要：加法是数字计算机系统的基础。本文介绍了三种基于标准单元库元素的新型门级全加器设计：一种设计涉及 XNOR 和多路复用器门 (XNM)，另一种设计利用 XNOR、AND、反相器、多路复用器和复合门 (XNAIMC)，第三种设计结合了 XOR、AND 和复合门 (XAC)。已与许多其他现有的门级全加器实现进行了比较。基于对 32 位进位纹波加法器实现的广泛模拟；针对高速（低 V t ）65nm STMicroelectronics CMOS 工艺的三个工艺、电压和温度 (PVT) 角，发现基于 XAC 的全加器与所有门级同类产品相比都具有延迟效率，甚至与库中可用的全加器单元相比也是如此。发现基于 XNM 的全加器具有面积效率，而基于 XNAIMC 的全加器在速度和面积方面与其他两种加法器相比略有折衷。I. 简介二进制全加器通常位于微处理器和数字信号处理器数据路径的关键路径中，因为它们是几乎所有算术运算的基础。它是用于许多基本运算（如乘法、除法和缓存或内存访问的地址计算）的核心模块，通常存在于算术逻辑单元和浮点单元中。因此，它们的速度优化对于高性能应用具有巨大的潜力。1 位全加器模块基本上由三个输入位（例如 a、b 和 cin）组成并产生两个输出（例如 sum 和 cout），其中' sum'指两个输入位'a'和'b'的总和，cin 是从前一级到这一级的进位输入。此阶段的溢出进位输出标记为“ cout ”。文献 [1] – [10] 中提出了许多用于全加器功能的高效全定制晶体管级解决方案，优化了速度、功率和面积等部分或所有设计指标。在本文中，我们的主要重点是使用标准单元库 [11] 中现成的现成组件实现高性能全加器功能。因此，我们的方法是半定制的，而不是全定制的。本文主要关注逻辑级全加器的新颖设计，并从性能和面积角度重点介绍了与许多其他现有门级解决方案的比较。从这项工作中得出的推论可用于进一步改进晶体管级的全加器设计。除此之外，本文还旨在提供教学价值的附加值。本文的其余部分组织如下。第 2 节介绍了 1 位二进制全加器的各种现有门级实现。第 3 节提到了三种新提出的全加器设计。第 4 节详细介绍了模拟机制和获得的结果。最后，我们在下一节中总结。
隔离式原边反馈单级有源PFC LED驱动芯片- HW8305B
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32款车规级40〜150V n-jsfet®
这40〜150V SGT MOSFET非常适合汽车内部的应用。根据AEC-Q101质量标准对其长期可靠性进行了测试。JMSL0406AGQ及其双DIE变体JMSL0406AGDQ在车身控制模块（BCM）中很受欢迎，例如低功率DC电动机驾驶。r ds（on）降至13m，JMSH041AGQ适合中/高功率直流电动机的功率效率要求。典型的应用是：多路电动座椅，电源后挡板，集中式门锁，ESC（电子稳定控制）。在V ds_max = 100V处，并在低调的PDFN5x5-8L软件包中组装，JMSL1018AGQ非常适合在信息娱乐/ADAS单元的平板显示器显示中LED背光。相比之下，JMSL1020AGDQ同时在较大面板中同时驱动两个高亮度LED。
具有无限门级的实验超海森堡量子计量学
中国科学技术大学中国科学院量子信息重点实验室，合肥 230026，中华人民共和国 https://orcid.org/0000-0002-4569-7716
适当的杀手级 - 级 - 级...
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使用高κ门...
摘要：有能力以能量的方式处理数据，建议神经形态计算来克服传统的von Neumann计算系统的问题。神经形态计算由神经元和突触的两个关键特征组成，其中神经元整合了所有电荷，而突触则保留了这些电荷。在本文中，我们制造和分析了模仿单个基于Si的金属氧化物半导体fimect-eect-ectect晶体管（MOSFET）结构中神经元和突触的设备。我们制定和分析2 O 3/Si 3 N 4（A/N）和Al 2 O 3/HFO 2/Si 3 N 4/SiO 2（A/H/N/N/O）设备，以使A/N设备建议用作神经元设备，因为它可以用作快速电荷发射特征，而将其用作a/h/h/h/h/h/h/h/h/h/h/h/h/h/h/h/h/h/h/h/h/h/h/h/h/h/长期收费。我们建议通过在MOSFET中采用不同的栅极绝缘体堆栈结构来制造神经元和突触的可能性。关键字：神经形态计算，突触设备，神经元设备，场效应晶体管，保留，高κ，HFO 2，SI 3 N 4 4■简介
Kingspan 门部件
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