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World File Search System闪存
dxi t系列全闪存备用设备
随着组织完全转变为数字先锋，对更有效的数据保护的需求推动了需求，而IT环境对业务目标变得更加至关重要，而网络风险永远存在。随着新的AI计划将更多数据跨越边缘，核心和云位置，安全周边的增长，零信任策略变得更加复杂，积极的数据保护和恢复计划变得越来越重要。组织必须努力准备并防止网络攻击，并且在受到攻击时必须能够迅速恢复其基础设施的广泛范围。为了实现这些目标，并保持I/O要求的增长，数据保护基础架构必须继续发展。
接触蚀刻停止 a-SixNy：H 层：单多晶硅闪存数据保留的关键因素
氮化硅 a-Si x N y :H 接触蚀刻停止层通过作用于初始电荷损失现象，强烈影响单多晶硅非挥发性存储器中的数据保留性能。其改进需要通过实验设计方法分析流入等离子体增强化学气相沉积工艺参数。a-Si x N y :H 物理电学分析指出，必须避免富含硅的成分，尤其是其界面层，以减少 a-Si x N y :H 电荷量，从而提高数据保留率。事实上，a-Si x N y :H 靠近浮栅，其电荷调制可以充当寄生存储器，通过电容效应屏蔽浮栅中存储的电荷。© 2009 美国真空学会。DOI：10.1116/1.3071846
耐久性下降后的 1T-NOR 闪存
a 意法半导体，法国鲁塞 b 艾克斯-马赛大学，CNRS，IM2NP，13451 马赛，法国 摘要 在本文中，我们对 100 万次编程/擦除 (P/E) 操作后的 1T-NOR 闪存电气特性进行了 TCAD 模拟。由于 TCAD 模拟，提出了空间缺陷分布来解释耐久性下降的原因。工艺模拟基于意法半导体生产的 90 nm 节点嵌入式非易失性存储器技术 (eNVM)。编程和擦除期间使用热载流子注入 (HCI) 和高级隧道模型，而闪存性能下降则通过位于 Si/SiO 2 界面和 SiO 2 内部的缺陷来考虑。获得的循环前后编程窗口以及消耗电流的结果与实验结果高度一致。此外，在此框架内，可以正确重现 100 万次循环后无应力闪存侧的 IV 特性，如文献中先前报道的那样。 1. 引言电荷存储浮栅存储器Flash-EEPROM（电可擦除可编程只读存储器）或简称Flash，可以说是迄今为止市场上最成功的非易失性存储器之一，每年仍有数十亿个单元被处理，预计到2028年，复合年增长率（CGAR）将达到14.4% [1]。它的可靠性（主要包括耐用性和数据保留率）在过去几十年中得到了广泛的研究[2-4]。在本文中，我们使用技术计算机辅助设计（TCAD）来模拟100万次循环后的1T-NOR闪存编程窗口关闭。TCAD是一种基于物理的数值建模方法，用于精确模拟微电子器件的制造工艺和电气特性，该工具已成功用于器件性能优化和可靠性提高[5,6,7]。与[8]类似，Flash耐用性是通过缺陷建模的；然而，在本文中，我们采用了 Si/SiO 2 界面和 SiO 2 体氧化物中的非均匀缺陷分布以及不同类型的缺陷。这种方法与 [4] 中报道的实验结果一致。
新闻闪存
邮票收集具有其享受，包括有关主题，印刷量，颜色以及寻找新事物的快感的研究。尽管遇到邮票看起来相同但实际上具有影响该价值的微妙差异时，您的大脑会陷入混乱的时刻，尽管您的大脑陷入困境。这些差异不再可能是鼻子或唇上的添加点 - 如toga绳索或按钮上的重新划分线，数字上的阴影差异。需要一个好的放大镜和很多耐心！图为两组邮票，每组看起来相同，但每组不同：设置248-252：248 I型，粉红色，值32.50。249 I型，胭脂红，值175.00 250 I型，胭脂红，值29.00 251 II型，胭脂红，值400.00 252 III型，胭脂红，值135。集526-528：526 IV型，胭脂红，值26.00 527类型V，Carmine，值18.00 528 VA型VA，Carmine，Value 10.00 528A VI类型VI，Carmine，Value 47.50 528B型VII，Carmine，Carmine，Carmine，值20.00
FC51J64SJTS1A (2C) eMMC 闪存 3.3V 64 Gbyte ...
表 1. 读/写性能 ................................................................................................................................................................ 1 表 2. 分区容量 ................................................................................................................................................................ 1 表 3. 订购信息 ................................................................................................................................................................ 1 表 4. 球描述 ................................................................................................................................................................ 6 表 5. OCR 寄存器 ............................................................................................................................................................. 7 表 6. CID 寄存器 ............................................................................................................................................................. 7 表 7. CSD 寄存器 ............................................................................................................................................................. 8 表 8. 扩展 CSD 寄存器 ................................................................................................................................................ 9 表 9. 总线信号电平 ................................................................................................................................................ 14 表 10. 高速设备接口时序 ................................................................................................................................................ 16 表 11. 向后兼容设备接口时序 ................................................................................................................................ 17 表 12. 高速双数据速率接口时序................................................................................................................................ 19 表 13. HS200 器件时钟时序.............................................................................................................................................. 20 表 14. HS200 器件输入时序................................................................................................................................................ 21 表 15. HS200 器件输出时序............................................................................................................................................. 22 表 16. HS400 器件输入时序............................................................................................................................................. 24 表 17. HS400 器件输出时序........................................................................................................................................................................................ 25 表 18. 总线信号线负载 ...................................................................................................................................................... 26 表 19. HS400 电容和电阻 ............................................................................................................................................. 26 表 20. 电源电压 ............................................................................................................................................................. 27 表 21. 功耗 ............................................................................................................................................................. 27 表 22. 推挽信号电平 - 高电压 ............................................................................................................................................. 28 表 23. 推挽信号电平 - 1.70V-1.95VV CCQ 电压范围 ............................................................................................. 28
FC51J16SJTS1A (2AF) eMMC 闪存 3.3V 16 Gbyte ...
表 1. 读/写性能 ................................................................................................................................................................ 1 表 2. 分区容量 ................................................................................................................................................................ 1 表 3. 订购信息 ................................................................................................................................................................ 1 表 4. 球描述 ................................................................................................................................................................ 6 表 5. OCR 寄存器 ............................................................................................................................................................. 7 表 6. CID 寄存器 ............................................................................................................................................................. 7 表 7. CSD 寄存器 ............................................................................................................................................................. 8 表 8. 扩展 CSD 寄存器 ................................................................................................................................................ 9 表 9. 总线信号电平 ................................................................................................................................................ 14 表 10. 高速设备接口时序 ................................................................................................................................................ 16 表 11. 向后兼容设备接口时序 ................................................................................................................................ 17 表 12. 高速双数据速率接口时序................................................................................................................................ 19 表 13. HS200 器件时钟时序.............................................................................................................................................. 20 表 14. HS200 器件输入时序................................................................................................................................................ 21 表 15. HS200 器件输出时序............................................................................................................................................. 22 表 16. HS400 器件输入时序............................................................................................................................................. 24 表 17. HS400 器件输出时序........................................................................................................................................................................................ 25 表 18. 总线信号线负载 ...................................................................................................................................................... 26 表 19. HS400 电容和电阻 ............................................................................................................................................. 26 表 20. 电源电压 ............................................................................................................................................................. 27 表 21. 功耗 ............................................................................................................................................................. 27 表 22. 推挽信号电平 - 高电压 ............................................................................................................................................. 28 表 23. 推挽信号电平 - 1.70V-1.95VV CCQ 电压范围 ............................................................................................. 28
FC51L04SFSA (2A) eMMC 闪存 3.3V 4 Gbyte ...
兼容 JEDEC 嵌入式多媒体卡（eMMC）电气标准（5.1） 数据总线宽度：1bit（默认）、4bit 和 8bit 不支持大扇区大小（4KB） 接口电源：V CCQ（1.70V~1.95V 或 2.7V~3.6V），存储器电源：V CC（2.7V~3.6V） 温度：工作（-25°C~85°C），存储（-40°C~85°C） 用户密度：
串行闪存编程用户指南
串行闪存设备是一种非易失性存储器，可以电擦除和重新编程。它用于在 DVD 播放器、DSL 调制解调器、路由器、硬盘驱动器和打印机等设备中存储可执行代码。通电后，可执行代码会从串行闪存下载到 RAM，然后由处理器执行。串行闪存中的代码不会因下载过程而更改，并且受到写保护。
ActiveScale Z200 全闪存对象存储
对于人工智能、机器学习和分析工作负载，ActiveScale Z200 可对任何规模的对象数据集进行高性能分析，帮助客户更快地获得洞察、发现和创新。Z200 可满足各种苛刻工作负载的需求，这些工作负载需要高速数据摄取、高吞吐量数据访问、快速数据恢复、对大量小对象的事务访问和/或大量对象计数的管理（例如，使用大型冷存储档案）。Z200 为制造业、医疗保健、联邦情报以及媒体和娱乐等新兴用例中的人工智能、机器学习和数据分析工作负载带来了 ActiveScale 的简单性和性能。
EN25QX128A (2V) 128 兆位 3V 串行闪存...
该设备是一个 128 兆位（16,384K 字节）串行闪存，具有先进的写保护机制。该设备通过标准串行外设接口 (SPI) 引脚支持单比特和四比特串行输入和输出命令：串行时钟、芯片选择、串行 DQ 0 (DI) 和 DQ 1 (DO)、DQ 2 (WP#) 和 DQ 3 (HOLD#/RESET#)。支持高达 104Mhz 的 SPI 时钟频率，在使用四路输出读取指令时，允许四路输出的等效时钟速率为 532Mhz（133Mhz x 4）。使用页面编程指令，可以一次对内存进行 1 到 256 个字节的编程。该设备还提供了一种复杂的方法来保护单个块免受错误或恶意编程和擦除操作的影响。通过提供单独保护和取消保护块的能力，系统可以取消保护特定块以修改其内容，同时确保内存阵列的其余块得到安全保护。这在以子程序或模块为基础修补或更新程序代码的应用中非常有用，或者在需要修改数据存储段而又不冒程序代码段被错误修改的风险的应用中非常有用。该设备设计为允许一次执行单个扇区/块或全芯片擦除操作。该设备可以配置为以软件保护模式保护部分内存。该设备可以对每个扇区或块维持至少 100K 次编程/擦除周期。