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环境空气中单个原子的闪存热冲击
摘要：单原子催化剂具有有趣的催化活性，用于依靠表面反应（例如电化学能量储存，催化和气体传感器）的应用。但是，此类催化剂的常规合成方法需要在真空系统中延长高温退火，从而限制了它们的吞吐量并增加了其生产成本。在此，我们报告了超快的闪光热冲击（FTS）诱导的退火技术（温度> 2850°C，<10 ms的持续时间，渐变/冷却速率约为10 5 k/ s），该技术在环境空气环境中运行，以制备单个固化的N型N型N型石素。三聚氰胺被用作N兴奋剂来源，可提供热能良好的金属 - 氮键位，导致单个金属原子的均匀且高密度的原子分布。证明了FTS方法生产的单原子稳定的N掺杂石墨烯的实际实用性，我们展示了它们的化学气体感应能力和电催化活性。总体而言，空气室，超快和多功能（例如Co，Ni，Pt和Co-ni Dual Metal）FTS方法为高通量，大面积和无真空制造的单原子催化剂提供了一般途径。关键字：强烈的脉冲光，光热效应，环境空气过程，单原子，n掺杂S
3 位轨到轨闪存 ADC 的设计
我要感谢我的同事 Edivânia Ferreira Silva 和我的同事 Mateus Cortez 帮助我进行解码。感谢芯普微电子给我参加专业布局课程的机会（对我这项工作帮助很大）。特别感谢我的姐姐、母亲、叔叔、阿姨、表兄弟和朋友，他们在整个旅程中一直激励着我。
dxi t系列全闪存备用设备
随着组织完全转变为数字先锋，对更有效的数据保护的需求推动了需求，而IT环境对业务目标变得更加至关重要，而网络风险永远存在。随着新的AI计划将更多数据跨越边缘，核心和云位置，安全周边的增长，零信任策略变得更加复杂，积极的数据保护和恢复计划变得越来越重要。组织必须努力准备并防止网络攻击，并且在受到攻击时必须能够迅速恢复其基础设施的广泛范围。为了实现这些目标，并保持I/O要求的增长，数据保护基础架构必须继续发展。
EN25QX64A (2CPU) 64 兆位 3V 串行闪存...
该设备是一个 64 兆位（8,192K 字节）串行闪存，具有先进的写保护机制。该设备通过标准串行外设接口 (SPI) 引脚支持单比特和四比特串行输入和输出命令：串行时钟、芯片选择、串行 DQ 0 (DI) 和 DQ 1 (DO)、DQ 2 (WP#) 和 DQ 3 (HOLD#/RESET#)。支持高达 133MHz 的 SPI 时钟频率，在使用四路输出读取指令时，允许四路输出的等效时钟速率为 532MHz（133MHz x 4）。使用页面编程指令，可以一次对内存进行 1 到 256 个字节的编程。该设备还提供了一种复杂的方法来保护单个块免受错误或恶意编程和擦除操作的影响。通过提供单独保护和取消保护块的能力，系统可以取消保护特定块以修改其内容，同时确保内存阵列的其余块得到安全保护。这在以子程序或模块为基础修补或更新程序代码的应用中非常有用，或者在需要修改数据存储段而又不冒程序代码段被错误修改的风险的应用中非常有用。该设备设计为允许一次执行单个扇区/块或全芯片擦除操作。该设备可以配置为以软件保护模式保护部分内存。该设备可以对每个扇区或块维持至少 100K 次编程/擦除周期。
FC51J16SJTS1A (2AF) eMMC 闪存 3.3V 16 Gbyte ...
表 1. 读/写性能 ................................................................................................................................................................ 1 表 2. 分区容量 ................................................................................................................................................................ 1 表 3. 订购信息 ................................................................................................................................................................ 1 表 4. 球描述 ................................................................................................................................................................ 6 表 5. OCR 寄存器 ............................................................................................................................................................. 7 表 6. CID 寄存器 ............................................................................................................................................................. 7 表 7. CSD 寄存器 ............................................................................................................................................................. 8 表 8. 扩展 CSD 寄存器 ................................................................................................................................................ 9 表 9. 总线信号电平 ................................................................................................................................................ 14 表 10. 高速设备接口时序 ................................................................................................................................................ 16 表 11. 向后兼容设备接口时序 ................................................................................................................................ 17 表 12. 高速双数据速率接口时序................................................................................................................................ 19 表 13. HS200 器件时钟时序.............................................................................................................................................. 20 表 14. HS200 器件输入时序................................................................................................................................................ 21 表 15. HS200 器件输出时序............................................................................................................................................. 22 表 16. HS400 器件输入时序............................................................................................................................................. 24 表 17. HS400 器件输出时序........................................................................................................................................................................................ 25 表 18. 总线信号线负载 ...................................................................................................................................................... 26 表 19. HS400 电容和电阻 ............................................................................................................................................. 26 表 20. 电源电压 ............................................................................................................................................................. 27 表 21. 功耗 ............................................................................................................................................................. 27 表 22. 推挽信号电平 - 高电压 ............................................................................................................................................. 28 表 23. 推挽信号电平 - 1.70V-1.95VV CCQ 电压范围 ............................................................................................. 28
FC51J64SJTS1A (2C) eMMC 闪存 3.3V 64 Gbyte ...
表 1. 读/写性能 ................................................................................................................................................................ 1 表 2. 分区容量 ................................................................................................................................................................ 1 表 3. 订购信息 ................................................................................................................................................................ 1 表 4. 球描述 ................................................................................................................................................................ 6 表 5. OCR 寄存器 ............................................................................................................................................................. 7 表 6. CID 寄存器 ............................................................................................................................................................. 7 表 7. CSD 寄存器 ............................................................................................................................................................. 8 表 8. 扩展 CSD 寄存器 ................................................................................................................................................ 9 表 9. 总线信号电平 ................................................................................................................................................ 14 表 10. 高速设备接口时序 ................................................................................................................................................ 16 表 11. 向后兼容设备接口时序 ................................................................................................................................ 17 表 12. 高速双数据速率接口时序................................................................................................................................ 19 表 13. HS200 器件时钟时序.............................................................................................................................................. 20 表 14. HS200 器件输入时序................................................................................................................................................ 21 表 15. HS200 器件输出时序............................................................................................................................................. 22 表 16. HS400 器件输入时序............................................................................................................................................. 24 表 17. HS400 器件输出时序........................................................................................................................................................................................ 25 表 18. 总线信号线负载 ...................................................................................................................................................... 26 表 19. HS400 电容和电阻 ............................................................................................................................................. 26 表 20. 电源电压 ............................................................................................................................................................. 27 表 21. 功耗 ............................................................................................................................................................. 27 表 22. 推挽信号电平 - 高电压 ............................................................................................................................................. 28 表 23. 推挽信号电平 - 1.70V-1.95VV CCQ 电压范围 ............................................................................................. 28
EN25QX128A (2V) 128 兆位 3V 串行闪存...
该设备是一个 128 兆位（16,384K 字节）串行闪存，具有先进的写保护机制。该设备通过标准串行外设接口 (SPI) 引脚支持单比特和四比特串行输入和输出命令：串行时钟、芯片选择、串行 DQ 0 (DI) 和 DQ 1 (DO)、DQ 2 (WP#) 和 DQ 3 (HOLD#/RESET#)。支持高达 104Mhz 的 SPI 时钟频率，在使用四路输出读取指令时，允许四路输出的等效时钟速率为 532Mhz（133Mhz x 4）。使用页面编程指令，可以一次对内存进行 1 到 256 个字节的编程。该设备还提供了一种复杂的方法来保护单个块免受错误或恶意编程和擦除操作的影响。通过提供单独保护和取消保护块的能力，系统可以取消保护特定块以修改其内容，同时确保内存阵列的其余块得到安全保护。这在以子程序或模块为基础修补或更新程序代码的应用中非常有用，或者在需要修改数据存储段而又不冒程序代码段被错误修改的风险的应用中非常有用。该设备设计为允许一次执行单个扇区/块或全芯片擦除操作。该设备可以配置为以软件保护模式保护部分内存。该设备可以对每个扇区或块维持至少 100K 次编程/擦除周期。
用于高效实现深度神经网络的闪存阵列
传统处理器一般采用冯诺依曼计算架构，处理单元和存储单元是分离的。[6]在计算过程中，处理单元需要从存储单元中获取数据，消耗大量的能量和时间，至少50%的总能量消耗在数据传输过程中。[5]随着神经网络规模的增加，处理单元需要在计算过程中从存储单元中获取更多的权重数据，使得分离问题变得更加严重。为了克服这些问题，人们提出了大量先进制造技术[7-9]和创新计算架构[10-12]。一种方法是减少处理单元和存储单元之间的物理距离。例如，使用硅通孔 (TSV) 技术可以将存储器和逻辑堆叠在一起，以减少读取延迟和耗散的功率。然而，这种方法中仍然存在数据传输过程，只能在一定程度上缓解数据传输挑战。为了更深层次地解决这个问题，提出了基于非易失性存储器的内存计算架构[13，14]，以避免计算过程中的数据传输过程。
提高 NAND 闪存设备芯片取证分析的可靠性
数字取证调查员通常需要从包含 NAND 闪存的被扣押设备中提取数据。许多此类设备都受到物理损坏，导致调查员无法使用自动化技术提取设备中存储的数据。相反，调查员转向芯片分析，他们使用基于热的程序从设备中物理移除 NAND 闪存芯片，并直接访问芯片以提取存储在芯片上的原始数据。我们对设备被扣押后引入多层单元 (MLC) NAND 闪存芯片的错误进行分析。我们有两个主要观察结果。首先，在设备被扣押和数字取证调查员进行数据提取之间，由于 NAND 闪存单元的电荷泄漏（称为数据保留错误），可能会引入大量错误。其次，当执行基于热的芯片移除时，由于施加到芯片上的高温会大大加速电荷泄漏，因此存储在 NAND 闪存中的数据中的错误数量可能会增加两个或更多个数量级。我们证明基于芯片分析的取证数据恢复程序具有相当大的破坏性，并且通常会导致 NAND 闪存中的大多数数据无法纠正，从而无法恢复。为了减轻取证恢复过程中引入的错误，我们探索了一种新的基于硬件的方法。我们利用现代 NAND 闪存芯片中实现的一种细粒度读取参考电压控制机制，称为读取重试，它可以补偿由于 (1) 保留损失和 (2) 基于热的芯片移除而发生的电荷泄漏。读取重试机制成功减少了错误数量，只要芯片在被扣押之前没有被大量使用，原始数据就可以在我们测试的芯片中完全恢复。我们得出结论