XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System闪存
FM25W04 4M位串行闪存
本文档中的信息旨在参考，以协助我们的客户选择上海Fudan Microelectronics Group Co。，Ltd产品最适合客户的应用程序和上海Fudan Microelectronics Group Co。，LTD，并不保证信息的真实性和完整性。信息均不传达属于上海Fudan Microelectronics Group Co.，Ltd或第三方的任何知识产权或任何其他权利下的任何许可。使用本文档中包含的信息时，请确保在对信息和产品的适用性做出最终决定之前，将所有信息作为总系统评估。购买者完全负责上海Fudan Microelectronics Co。，Ltd产品和服务的选择，选择和使用，以及上海Fudan Microelectronics Co。除非由授权的上海Fudan Microelectronics Co。将来的常规修订将在适当的情况下进行，恕不另行通知。商标与上海Fudan Microelectronics Group Co。，Ltd销售办公室联系，以获取最新规格，并在下达产品订单之前。还请注意上海Fudan Microelectronics Group Co。，Ltd发表的信息，包括各种方式，包括上海Fudan Microelectronics Group Co。，Ltd Home Page（http://wwww.fmsh.com/）。请联系上海Fudan Microelectronics Group Co。，Ltd本地销售办公室，以提供有关本文档中信息或上海Fudan Microelectronics Group Co。，Ltd Products中有关信息的规范。
彗星测定闪存损坏的分析
摘要：大量研究表明，体内超高剂量率“闪光”照射的正常组织的影响，并在体外报告了损害负担的减轻。朝向这一点，已经提出了两种关键的放射化学机制：自由基 - 激进重组（RRR）和瞬时氧耗竭（TOD），两者均提出导致诱导损伤水平降低。以前，我们报道了闪光灯在全血外周血淋巴细胞（WB-PBL）离体中引起较低水平的DNA链破裂损伤，但是我们的研究未能区分所涉及的机制。RRR的潜在结果是交联损伤的形成（特别是，如果有机自由基重新组合），而TOD的可能结果是闪光引起的诱导损害的更加无毒的预测。因此，当前研究的目的是通过彗星测定法对闪光灯诱导的损害进行损害，评估任何DNA交叉链接形成，作为RRR和/或缺氧DNA损伤形成的推定标志，作为TOD的指示标记，以确定对“闪光效应”有助于哪种机制的程度。闪光照射后，我们看不到任何交联形成的证据。但是，闪光照射会引起诱发损伤的更加缺氧，从而支持TOD机制。此外，用BSO预先进行的WB-PBL处理可消除闪光暴露介导的减少的链断裂伤害负担。总而言之，我们没有看到任何实验证据来支持RRR机制，导致闪光灯造成的损害负担减少。然而，观察闪光照射后更大的损害的缺氧证明，加上闪光介导的减少的链断裂伤害负担的BSO废除，为TOD提供了进一步的支持，使TOD成为减少伤害负担的驱动力，以及造成损坏的变化，造成了闪光的损害。
F50L1G41LB (2M) 闪存
一般描述 串行电气接口遵循行业标准串行外设接口 (SPI)，在必须将引脚数保持在最低限度的系统中提供经济高效的非易失性存储器存储解决方案。该设备是基于标准并行 NAND 闪存的 1Gb SLC SPI-NAND 闪存设备，但为 SPI 操作定义了新的命令协议和寄存器。它也是 SPI-NOR 的替代品，与 SPI-NOR 相比，具有更出色的写入性能和每位成本。命令集类似于通用 SPI-NOR 命令集，经过修改以处理 NAND 特定的功能和新功能。新功能包括用户可选择的内部 ECC。启用内部 ECC 后，当将页面写入内存阵列时，会在内部生成 ECC 代码。ECC 代码存储在每个页面的备用区域中。当将页面读入缓存寄存器时，将再次计算 ECC 代码并将其与存储的值进行比较。如有必要，将纠正错误。该设备输出更正后的数据或返回 ECC 错误状态。
基于闪存的大容量存储器
近期会议中详细介绍了上述主题：《海量存储器：现状与展望》Christophe Le Lann，DASIA 2022 / 2-C-1，2022 年 5 月 18 日海量存储器单元简介/组件选择/特性和鉴定/缓解策略阐述/存储器控制器开发/海量存储器单元构建/收获飞行遗产/提高性能
FC51L08SFY3A eMMC 闪存 3.3V 8 Gbyte ...
兼容 JEDEC 嵌入式多媒体卡（eMMC）电气标准（5.1） 数据总线宽度：1bit（默认）、4bit 和 8bit 不支持大扇区大小（4KB） 接口电源：V CCQ（1.70V~1.95V 或 2.7V~3.6V），存储器电源：V CC（2.7V~3.6V） 温度：工作（-25°C~85°C），存储（-40°C~85°C） 用户密度：
采用 90nm CMOS 工艺多路复用器编码器设计低功耗 4 位闪存 ADC
在各种 ADC 架构中，FLASH ADC 被证明是高性能 ADC。所提出的 ADC 由基于多路复用器的编码器、开环比较器和电阻梯形网络组成。所提出的 ADC 采用 90nm CMOS 技术进行模拟。所提出的 ADC 的主要优点是静态功耗低。这是通过将基于多路复用器的编码器集成到 Flash ADC 中实现的。所提出的 ADC 的功耗为 26.65µw，输入电压为 1V，频率为 100MHz。设计的 Flash ADC 可用于高速应用。
FM25Q128A 128M 位串行闪存
本文件中的信息仅供参考，以协助我们的客户选择最适合其应用的上海复旦微电子集团股份有限公司产品，上海复旦微电子集团股份有限公司不保证该信息的真实性和完整性。信息不转让任何属于上海复旦微电子集团股份有限公司或第三方的知识产权或任何其他权利的许可。在使用本文件所含信息时，请务必在就信息和产品的适用性作出最终决定之前，对所有信息作为一个整体系统进行评估。购买者对选择、选定和使用本文所述的上海复旦微电子集团股份有限公司产品和服务负全部责任，上海复旦微电子集团股份有限公司对选择、选定或使用本文所述的上海复旦微电子集团股份有限公司产品和服务不承担任何责任。除非经上海复旦微电子集团股份有限公司授权代表书面明确批准，否则上海复旦微电子集团股份有限公司产品不推荐、授权或保证用于军事、航空、航天、救生或生命维持应用，也不用于故障或失灵可能导致人身伤害、死亡或严重财产或环境损害的产品或系统。未来将在适当的时候进行例行修订，恕不另行通知。请联系上海复旦微电子集团股份有限公司销售办事处获取最新规格，然后再下订单。还请留意上海复旦微电子集团股份有限公司通过各种方式发布的信息，包括上海复旦微电子集团股份有限公司主页 (HTTP://WWW.FMSH.COM/)。请联系上海复旦微电子集团股份有限公司当地销售办事处获取有关本文档或上海复旦微电子集团股份有限公司产品信息的规格。商标
采用 Flash*Freeze 技术的耐辐射 ProASIC3 低功耗航天闪存 FPGA
特性和优点 符合 MIL-STD-883 B 类标准 封装 • 带有六西格玛铜包裹铅锡柱的陶瓷柱栅阵列 • 平面栅阵列 • 陶瓷四方扁平封装 低功耗 • 大幅降低动态和静态功耗 • 1.2 V 至 1.5 V 内核和 I/O 电压支持低功耗 • Flash*Freeze 模式下的低功耗 辐射性能 • 25 Krad 至 30 Krad，传播延迟增加 10%（TM 1019 条件 A，剂量率 5 Krad/min） • 晶圆批次特定的 TID 报告 高容量 • 600 k 至 3 M 个系统门 • 高达 504 kbits 的真双端口 SRAM • 高达 620 个用户 I/O 可重编程闪存技术 • 130 纳米、7 层金属（6 铜）、基于闪存的 CMOS • 上电实时(LAPU) 0 级支持 • 单芯片解决方案 • 断电时保留已编程的设计 高性能 • 350 MHz (1.5 V) 和 250 MHz (1.2 V) 系统性能 • 3.3 V、66 MHz、66 位 PCI (1.5 V)；66 MHz、32 位 PCI (1.2 V) 在系统编程 (ISP) 和安全性 • ISP 使用片上 128 位高级加密标准 (AES) 通过 JTAG 解密（符合 IEEE 1532 标准） • FlashLock ® 设计用于保护 FPGA 内容 高性能布线层次结构 • 分段、分层布线和时钟结构