量子提供为AI时代设计的端到端数据管理解决方案。拥有超过四十年的经验,我们的数据平台使客户可以从其独特的非结构化数据中提取最大价值。从为AI应用和苛刻的数据密集型工作负载提供动力的高性能摄入,到大量耐用的数据湖泊,以促进AI模型,量子提供了最全面,最具成本效益的解决方案。生命科学,政府,媒体和娱乐,研究和工业技术信任量子的领先组织及其最有价值的资产 - 他们的数据。Quantum在NASDAQ(QMCO)上列出。有关更多信息,请访问www.quantum.com。
过去十年来,集成电路技术的进步加速了数字信号处理器的发展。此外,数字处理具有更耐噪声的优点。因此,模数转换器可用作模拟信号和数字信号处理系统的接口。无线通信系统不断提高的速度导致对高速、低分辨率模数转换器功率和速度标准的巨大需求。实际上,数字信号的处理、测试和存储变得简单。为了处理模拟信号,我们将其转换为数字信号。模数转换器可用作实现此目的的桥梁。研究人员正在研究 ADC 中的新模型策略,以期在降低功耗的同时提高性能。由于闪存 ADC 设计通常在其他形式的 ADC 中起着重要作用,因此它在所有其他形式的 ADC 中变得越来越重要,包括流水线和多位 sigma delta ADC。
汽车应用。除非 Micron 在各自的数据表中明确指定为汽车级,否则产品并非设计或计划用于汽车应用。经销商和客户/经销商应承担全部风险和责任,并应赔偿 Micron 免受直接或间接因在汽车应用中使用非汽车级产品而导致的产品责任、人身伤害、死亡或财产损失索赔而引起的所有索赔、成本、损害、费用和合理的律师费。客户/分销商应确保客户/分销商与分销商/客户的任何客户之间的销售条款和条件 (1) 规定 Micron 产品不设计或不打算用于汽车应用,除非 Micron 在各自的数据表中明确指定为汽车级,并且 (2) 要求此类分销商/客户的客户对 Micron 进行赔偿并使其免受因在汽车应用中使用非汽车级产品而导致的产品责任、人身伤害、死亡或财产损失索赔而直接或间接引起的所有索赔、成本、损害、费用和合理的律师费。
半导体已将华邦的 SpiStack(系统)集成在 FRWY-LS1012A 开发板上,用于其边缘计算处理器 LS1012A。
超维度计算(HDC)是一种受脑启发的计算范式,可与高维矢量,高矢量,而不是数字一起使用。HDC用位,更简单的算术操作代替了几个复杂的学习组成,从而产生了更快,更节能的学习算法。但是,由于将数据映射到高维空间中,因此它是以增加数据的成本来处理的。虽然某些数据集可能几乎适合内存,但最终的过量向量通常无法存储在内存中,从而导致长期数据传输从存储中。在本文中,我们提出了节俭,这是一种存储计算(ISC)解决方案,该解决方案在整个闪存层次结构上执行HDC编码和训练。为了隐藏培训的延迟并启用有效的计算,我们介绍了HDC中的批处理概念。它使我们能够将HDC培训分为子组件并独立处理。我们还首次提出了HDC的芯片加速度,该加速器使用简单的低功率数字电路来实现闪光平面中的HDC编码。这使我们能够探索Flash层次结构提供的高内部并行性,并与可忽略不计的延迟开销并行编码多个数据点。节俭还实现了单个顶级FPGA加速器,该加速器进一步处理了从芯片中获得的数据。我们利用最先进的内部人ISC基础架构来扩展顶级加速器,并为节俭提供软件支持。节俭的人完全在存储中进行HDC培训,同时几乎完全隐藏了计算的延迟。我们对五个流行分类数据集的评估表明,节俭平均比CPU服务器快1612×。4×比最先进的ISC解决方案快4×,用于HDC编码和培训的内幕。
。cc-by-nc-nd 4.0国际许可证。是根据作者/资助者提供的预印本(未经Peer Review的认证)提供的,他已授予Biorxiv的许可证,以在2023年12月5日发布的此版本中显示此版本的版权持有人。 https://doi.org/10.1101/2023.12.05.570066 doi:Biorxiv Preprint
本应用说明介绍了使用瑞萨电子 RX MCU 的片上闪存进行数据管理的方法及其使用方法。闪存数据管理模块 (DATFRX) 是一个上层软件模块,用于管理片上闪存中的数据。闪存 FIT 模块是用于控制特定 MCU 闪存的独立下层软件,可从瑞萨电子网站下载。闪存 FIT 模块(片上闪存编程)
摘要:我们回顾了对平面 NAND 闪存可靠性的最新理解,并讨论了最近向三维 (3D) 设备的转变如何影响该领域。特别强调了沿着存储器阵列的生命周期开发的机制,而不是时间零点或技术问题,观点集中在对根本原因的理解上。大量已发表的研究表明,闪存可靠性是一个复杂但易于理解的领域,尽管如此,设备缩放设置了越来越严格的约束。三维 NAND 抵消了传统的缩放方案,从而提高了性能和可靠性,同时提出了需要处理的新问题,这些问题由更新、更复杂的单元和阵列架构以及操作模式决定。彻底了解 NAND 单元操作和可靠性中涉及的复杂现象对于未来技术节点的开发仍然至关重要。
存储管理员的负担越来越重,因为他们需要应对复杂的问题,既要支持现有基础设施效率低下的业务,又要部署新技术来支持创新业务计划,并遵守不断扩大的安全和合规措施。为了应对这些双重挑战,组织不得不探索创新的替代方案,寻求能够提供卓越性能、可扩展性和成本效益的解决方案。根据企业战略集团的研究结果,组织表达了迫切需要推进全闪存存储解决方案的采用。在确定的主要驱动因素中,51% 的受访组织希望提高现有应用程序的性能。此外,50% 的组织将寻求更好的“面向未来”的支持,42% 的组织强调提高资源利用率的重要性。预计会影响全闪存存储采用的其他因素包括改善总拥有成本 (TCO)、降低运营成本和降低功耗(见图 1)。1