本文研究了低能质子诱导多特征尺寸NAND闪存单粒子效应灵敏度。在0.41 MeV质子作用下,25nm和16nm闪存器件出现了单粒子效应截面峰值。SRIM模拟揭示了这种现象产生的主要原因,低能质子直接电离引起的单粒子翻转比高能质子核反应引起的单粒子翻转要高几个数量级。此外,还研究了累积剂量对闪存器件单粒子效应灵敏度的影响。随着累积剂量的增加,单粒子翻转截面显著增加。这种现象的出现是由于质子和累积剂量的结合引起的阈值电压偏移造成的。
Kinetis®K81MCU扩展了Kinetis MCU投资组合,具有高级安全功能,包括防僵局外围设备,启动ROM,以支持加密的固件更新,外部串行闪存闪存,AES加速器,AES加速器的自动解密,以及对公开密钥密钥的硬件支持。K81 MCU可用于满足销售点(POS)应用程序的安全标准。
模拟 I/O 6 通道 247 kSPS ADC 12 位分辨率 ADC 高速数据捕获模式 通过片上 DAC 可编程参考低电平输入,ADC 性能指定为 V REF = 1 V 双电压输出 DAC 12 位分辨率,15 µs 稳定时间 存储器 8 kbytes 片上 Flash/EE 程序存储器 640 byte 片上 Flash/EE 数据存储器 Flash/EE,100 年保留,100 kcycle 耐久性 3 级 Flash/EE 程序存储器安全性 在线串行下载(无需外部硬件) 256 byte 片上数据 RAM 基于 8051 的内核 8051 兼容指令集 32 kHz 外部晶振,片上可编程 PLL(最大 16.78 MHz) 三个 16 位定时器/计数器 11 条可编程 I/O 线 11 个中断源,2 个优先级 电源 指定用于 3 V 和 5 V 操作 正常:3 mA @ 3 V(内核 CLK = 2.1 MHz) 断电:15 µA(32 kHz 振荡器运行) 片上外设 上电复位电路(无需外部 POR 器件) 温度监视器(精度为 ±1.5°C) 精密电压参考 时间间隔计数器(唤醒/RTC 定时器) UART 串行 I/O SPI ® /I 2 C® 兼容串行 I/O 看门狗定时器 (WDT)、电源监视器 (PSM) 封装和温度范围 28 引脚 TSSOP 4.4 mm × 9.7 mm 封装 完全额定工作温度范围为 −40°C 至 +125°C 应用
ROM 的类型 顾名思义,只读存储器 (ROM) 包含不可更改的永久数据模式。ROM 是非易失性的;也就是说,无需电源即可保持存储器中的位值。 可编程 ROM (PROM) 与 ROM 一样,PROM 也是非易失性的,只能写入一次。对于 PROM,写入过程以电气方式执行,可以由供应商或客户在原始芯片制造之后的某个时间执行。 光可擦除可编程只读存储器 (EPROM) 和 PROM 一样,以电气方式读取和写入。但是,在写入操作之前,必须通过将封装芯片暴露在紫外线下将所有存储单元擦除为相同的初始状态。 更有吸引力的主要读存储器形式是电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM)。这是一种主要读存储器,可以随时写入而不会擦除之前的内容;只更新寻址的字节或字节。写入操作比读取操作花费的时间长得多,大约为每字节几百微秒。另一种半导体存储器是闪存(因其重新编程速度快而得名)。闪存于 20 世纪 80 年代中期首次推出,在成本和功能上介于 EPROM 和 EEPROM 之间。与 EEPROM 一样,闪存使用电擦除技术。一整块闪存可以在一秒或几秒内被擦除,这比 EPROM 快得多。
您将输入的许多信息都是个人,敏感和机密的,只能与您的个人代表或另一个受信任的个人共享。因此,必须将完整的表单保存在安全的地方,无法轻松访问它们。一种方法是将工作簿的计算机文件保存在闪存驱动器上,并将闪光灯驱动器保存在锁定的抽屉或档案柜中。确保您的个人代表知道密钥的位置。您可以从电子或计算机商店购买闪存驱动器。一定要购买与计算机或平板电脑有正确连接的连接的。将此文件放在设备上与计算机分开,这意味着您的信息将在您的计算机被黑客入侵的情况下受到保护。您可能需要将文件的备份副本保留在第二个闪存驱动器上,以备额外的预防措施。
Flash放射疗法(Flash-RT)是通过超高剂量剂量的剂量来进行放射疗法的新方法。Flash-RT具有抑制肿瘤生长的能力,同时保留正常组织(称为闪光效应)。尽管通过不同的电离辐射在各种模型中证明了闪存效应有效,但仍然尚不清楚确切的潜在机制。本文总结了物理化学和生物学水平上闪光作用的主流假设,包括氧耗竭和自由基反应,核和线粒体损害以及免疫反应。这些假设为闪光效应做出了合理的解释,并根据生物体对电离辐射的响应的时间顺序互连。通过整理现有的共识,证据和假设,本文概述了闪存效应的潜在机制和闪存RT领域未来研究的实用指导的潜在机制。关键词:超高剂量率照射,闪光效应,放射疗法,机制
空中客车防务与航天公司是高性能固态大容量存储器领域的全球领导者,其在轨成功运行的装置超过 30 台,自 2008 年以来一直率先开发和验证用于卫星数据存储的闪存技术。随着 2012 年 SPOT 6 号的首次飞行,CORECI 第一代产品证明了闪存技术在太空环境中的可行性,没有出现 SEFI、闩锁或无法纠正的错误,并且在低地球轨道上的性能与地球相同!
