XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System闪存
NV3 PCIe 4.0 NVMe SSD 500GB – 4TB
1. 基于使用 PCIe 4.0 主板的“开箱即用性能”。速度可能因主机硬件、软件和使用情况而异。 2. 闪存设备上列出的部分容量用于格式化和其他功能，因此不能用于数据存储。因此，实际可用的数据存储容量小于产品上列出的容量。如需更多信息，请访问金士顿闪存指南。 3. 总写入字节数 (TBW) 源自 JEDEC 客户端工作负载 (JESD219A)。 4. 基于 5 年或“使用百分比”的有限质保，可使用金士顿 SSD 管理器 (kingston.com/ssdmanager) 找到。对于 NVMe SSD，新的未使用产品将显示使用百分比值 0，而达到其质保限制的产品将显示使用百分比值大于或等于一百 (100)。有关详细信息，请访问 kingston.com/wa。
Entry+ 模块 XM125 数据表 v1.0
• A121 60 GHz 脉冲相干雷达 (PCR)，集成基带、RF 前端和封装天线 (AiP) • 32 位 ARM ® Cortex ® M4 MCU (STM32L431CBY6)，80 MHz 时钟速度，128kB 闪存，64 kB RAM • 18.6x15 mm 小型尺寸，针对最大天线增益进行了优化 • 1.8 V 模拟和数字电源 • 1.8 V 或 3.3 V IO 接口电源 • 工作温度 -40° 至 85°C • 通过 UART、I2C、GPIO、复位支持外部 I/F • SWD/JTAG 用于 SW 闪存和调试 • 可以集成在塑料或玻璃天线罩后面，无需任何物理孔径。有关更多信息，请参阅硬件和物理集成指南 [6]。 • 平面栅格阵列 (LGA) 焊盘 • 提供密封卷轴，用于自动组装 • 用于 SWD 编程的 PCB 测试点
存储和数据保护解决方案
Eternus DX Hybrid存储是理想的选择，如果您想与非结构化数据，在线档案和其他“不冷不冷”数据一起托管诸如虚拟化，数据库或OLTP之类的性能应用程序的数据，这都是在单个系统中。这些解决方案通过平衡一个系统中的速度，容量和成本来促进结构化和非结构化数据的最大存储合并。Eternus DX混合存储系统及其SSD层提供“全闪存”的性能，从而允许逐渐过渡到全闪存，而高容量硬盘则以最低的成本存储非结构化数据。最新的自动化技术使您能够管理最少的人力的混合配置（SSD，SAS，近距离SAS）。只需定义每个体积所需的响应时间，而Eternus DX将分配合适的带宽和/或Indoke存储分层。
Entry+ 模块 XM125 数据表 v1.2
• A121 60 GHz 脉冲相干雷达 (PCR)，集成基带、RF 前端和封装天线 (AiP) • 32 位 ARM ® Cortex ® M4 MCU (STM32L431CBY6)，80 MHz 时钟速度，128kB 闪存，64 kB RAM • 18.6x15 mm 小型尺寸，针对最大天线增益进行了优化 • 1.8 V 模拟和数字电源 • 1.8 V 或 3.3 V IO 接口电源 • 工作温度 -40° 至 85°C • 通过 UART、I2C、GPIO、复位支持外部 I/F • SWD/JTAG 用于 SW 闪存和调试 • 可以集成在塑料或玻璃天线罩后面，无需任何物理孔径。有关更多信息，请参阅硬件和物理集成指南 [6]。 • 平面栅格阵列 (LGA) 焊盘 • 提供密封卷轴，用于自动组装 • 用于 SWD 编程的 PCB 测试点
128Gb 1 位/单元 96 字线层 3D 闪存可改善随机读取延迟，tProg = 75 μs 和 tR = 4 μs
摘要 — 采用 96 字线层技术开发了一款 128 Gb 1 位/单元 3-D 闪存芯片。一种具有较少字线和位线时间常数的新型芯片布局结构实现了快速读取访问时间。新引入的程序序列即使在写入/擦除循环后也能实现更高的可靠性和更少的读取重试。还采用了外部 VPP 电源 (12 V)、电流模式参考分布和自动温度代码刷新来提高芯片的性能。新的占空比校正器成功获得了更宽的 DQS 单位间隔。因此，所提出的芯片具有 4 µ s 的读取访问延迟和 75 µ s 的编程时间，比采用相同技术的传统 3-D 闪存快 12-13 倍和 4-5 倍 [Maejima et al. , (2018)]。随机读取延迟（tRRL）估计小于 50 µ s，这使得能够减少固态硬盘（SSD）系统的总读取访问时间。
SLUFDxGU2U(I) - Mouser Electronics
STEC 的工业级 USB 闪存盘 (UFD) 不仅仅是便携式存储。专为需要高可靠性和数据吞吐量的工业应用量身定制，它以拇指驱动器封装形式提供非易失性工业级固态存储。此外，激光蚀刻的制造信息可实现批次可追溯性，并可在物料清单中提供完整的信息。工业级 UFD 配有 ESD 额定外壳（带 LED 指示灯），适用于需要符合 NEBS 3 级要求的应用。ESD 额定外壳已通过 8KV 接触和 15KV 空气 ESD 抗扰度测试。STEC 的 U2 先进 USB 2.0 闪存控制器集成在工业级 UFD 中，可提供高数据完整性和耐用性。控制器中嵌入的闪存管理软件可模拟硬盘，从而实现与标准扇区硬盘相同的读/写操作。复杂的磨损均衡算法可确保更高的闪存耐久性，而自动坏块管理和内置 ECC 引擎可确保最高的数据可靠性。基于 BCH 错误纠正算法，ECC 引擎每 512 字节最多可纠正 6 位错误。高性能、高可靠性和受控的物料清单使工业级 UFD 成为工业应用（如 POS 工作站、网络设备、汽车诊断和工业 PC）的首选产品。UFD 完全可定制，可添加公司徽标、图形设计或文本。此外，STEC 还为 OEM 客户提供增值服务，例如预加载内容和受控的物料清单。
嵌入式系统研究与教育面临的挑战
� 不要只考虑成本或性能——要考虑您能得到多少：• 1 美元的芯片（仅片上内存）——大部分市场• 10 美元的芯片（带有一个 RAM/ROM 组合芯片）——大部分市场• 100 美元的芯片（带有 DRAM + 1 个启动闪存芯片）——一小部分市场
论文-Politecnico di Torino
摘要在本文工作中，我们探讨了在微控制器上的AI解决方案的部署。在硬件上探索，测试和验证了当前可用的所有AI解决方案，并认为要部署在微控制器上的AI解决方案。32位微控制器是该开发的一部分，因为AI应用程序的任何平台不支持8位微控制器。STM32L432KC，带有64kbytes的SRAM和256kbytes闪存用于测试AI模型。微控制器的当前AI解决方案在供应商的礼物，开源和编译器基础上彼此不同。适用于微控制器，STM32 AI Cube和开源库NNOM的Google Tensorflow Lite用于构建和培训AI模型。每个AI解决方案的结果与其他四个核心参数闪存，RAM占用率，推理和输出偏差的时间进行了比较。优化诸如量化和仅使用微控制器的C源代码之类的技术。c和c ++在代码大小和推理时间上产生了很大的差异。在末尾，AI解决方案通过翻转内存位并更改微控制器代码来测试AI解决方案的编译时间注入故障。