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但是我们的脑部编码信息如何在内存中？记忆存储在神经网络的塑性变化中。那些塑料变化可能涉及已经存在的神经网络或新电路的产生，以变得更加稳定[1,2]。一种塑料变化是在神经网络中的连接被重新激活的神经网络中的连接时 - 也就是说，当我们“记住”某些东西时。当发生这种记忆的检索和重新激活时，我们回忆起的记忆实际上会稍微改变，然后以更稳定和永久的方式重新固定[3]。因为检索内存会重新激活原始学习会话中激活的一些相同的神经元和连接，所以每个神经元和连接都会加强记忆[3]。但是，并非所有类型的检索工作都具有相同的功效来增强记忆。
细间距高纵横比FPC电镀工艺
方法图1示出了传统上用于制造FPC的减成法。在铜箔层上形成抗蚀层，在蚀刻过程中，铜箔层的未覆盖部分被溶解并去除。之后，去除抗蚀层，铜箔层的剩余部分成为线路。在蚀刻过程中，蚀刻不仅在铜箔层的厚度方向上进行，而且在横向（侧蚀）方向上进行，这使得在高密度布线中难以缩小线路间距。此外，由于使用厚铜箔，需要蚀刻大量的铜材料，这导致侧蚀的进展变化很大，因此线路宽度变化很大。此外，蚀刻开始的铜箔层的上部比下部蚀刻得更多，结果，线路横截面的顶部比底部更窄
利用高次谐波桨叶间距减少直升机振动
高次谐波桨距长期以来一直是一种有吸引力但尚未开发的方法，用于减少振动转子载荷和由此产生的机身振动。这个概念很简单。大多数直升机振动源于转子叶片在方位角周围旋转时遇到的不均匀速度分布。这种不均匀分布是由于叶片相对于飞行方向不断变化和转子下方不规则的涡流尾流造成的。由此产生的叶片攻角随方位角的变化包含转子轴速度的每个谐波。然而，只有某些谐波会引起振动载荷并传递到机身。许多谐波会在各个叶片上产生载荷，这些载荷在轮毂处完全相互抵消。高次谐波叶片螺距叠加在传统的零和每转一的叶片螺距控制上，是一种选择性控制攻角谐波的方法。•会产生振动，
适用于细线/间距电路的受控表面蚀刻工艺
用于细线/间隔电路的受控表面蚀刻工艺 Ken-ichi Shimizu、Katsuji Komatsu、Yasuo Tanaka、Morio Gaku 三菱瓦斯化学公司，日本东京 摘要 随着半导体芯片设计向越来越细的线发展，塑料封装的 PWB 和基板的设计规则正朝着更高密度发展。首先，研究了传统减成工艺可以构建多细的线，发现即使使用一些新技术，该工艺的线/间隔也限制在 40/40 左右。下一个挑战是找到一种可以构建线/间隔并摆脱加成或半加成工艺的一些问题的工艺。经证实，与 CSE（受控表面蚀刻）工艺一起使用的改进的图案电镀工艺能够制作更细的线/间隔电路，例如大约 25/25 微米。CSE 工艺的特点是使用改进的软蚀刻溶液对基铜进行均匀蚀刻。简介 半导体芯片设计正朝着越来越细的线发展，以满足更多功能和高速的需求。这一趋势对高密度 PWB 和塑料封装基板提出了越来越高的需求，需要开发许多新材料和新工艺。为了满足这些要求，基板设计规则的一些关键点是线/间距和 PTH（镀通孔）或 BVH（盲孔）的焊盘直径。关于焊盘直径，人们付出了很多努力来减小孔径，工艺已从机械钻孔转变为激光钻孔，这已成为行业中处理较小孔（例如约 80 微米）的标准。另一方面，许多研究同时进行以开发更小的线/间距。然而，对更细线/间距的需求越来越强烈，未来将更加强烈。因此，本报告的第一个目标是找出“减法”可以实现的最小线/间距，因为自 20 世纪 60 年代多层 PWB 进入市场以来，这种方法一直被用作铜线形成的主要工艺。接下来，研究了另一种方案：为了实现更精细的线/间距，人们开始研究“图案电镀工艺”。在 20 世纪 60 年代，除了“减成法”等面板电镀工艺外，还开发了“图案电镀工艺”、“加成法”和“半加成法”等多种图案电镀工艺。最近，由于能够实现更精细的线/间距和高频矩形横截面，这种图案电镀工艺比面板电镀更受业界青睐。因此，下一个挑战是找到一种能够支持 25/25 等更精细的线/间距技术的工艺。为了解决“半加成法”中的一些问题，人们研究了“图案电镀工艺”。
一项关于大规模空气中细胞间距的影响的研究 -
最近的研究表明，有效的热管理系统对于维持锂电池系统的性能，寿命和安全性是必要的。在这项工作中提出了一种独特而新颖的建模方法，其目的是估算用于大规模锂电池套件的空气冷却系统的热性能。总体模型由子模型组成，包括电池电池的分析模型和电池模块的数值热和流模型，分别针对实验数据和经验相关性进行了验证。所选方法意味着子模型可以独立运行，从而允许精确的瞬态仿真，并减少了处理时间。该模型用于评估细胞间距对专为混合动力汽车设计的气冷电池系统的热性能的影响。结果表明，细胞内的最高温度与横向和纵向俯仰比正相关。但是，模块的最大温度差与这些音高比率为负相关。相比之下，温度均匀性显示非单调的行为，使其成为平衡温度升高和热梯度之间的适用标准。此外，在早期行中注意到了相当大的温度不均匀性，随着俯仰比的降低，这变得不那么显着。
高可靠性应用中的细间距铜柱倒装芯片
摘要 — 为满足对小型天线、更高性能和更低成本的需求，大多数下一代架构都要求更高的集成电路 (IC) 芯片集成度。与传统封装配置相比，2.5D 和 3D 等先进芯片封装技术提供了更高的芯片兼容性和更低的功耗。鉴于这些优势，采用先进封装是不可避免的。在先进封装中，铜柱互连是一项关键的支持技术，也是下一个合乎逻辑的步骤。该技术提供了多种优势，包括提高抗电迁移能力、提高电导率和热导率、简化凸块下金属化 (UBM) 和提高输入/输出 (I/O) 密度。铜柱允许的细间距有助于该技术取代焊料凸块技术，后者的最小间距约为 40 微米。更细的间距允许更高的 I/O 数量，从而提高性能。在本研究中，成功展示了在高密度中介层上超薄单片微波集成电路 (MMIC) 氮化镓 (GaN) 细间距铜柱倒装芯片组件的组装。使用 150 毫米间距铜柱倒装芯片，评估了有机印刷电路板 (PCB) 和硅中介层的组装工艺，并评估了化学镀镍浸金 (ENIG) 和共晶锡铅焊盘表面处理。对于 2D/2.5D/3D 组装工艺开发，使用了标准的内部拾取和放置工具，然后进行大规模焊料回流，最后进行底部填充以进行可靠性测试。互连稳健性由芯片拉力强度、助焊剂冲压调查和横截面决定。完成了 GaN 铜柱倒装芯片 2D 组装的完整可靠性和鉴定测试数据，包括 700 次温度循环和无偏高加速温度/湿度应力测试 (UHAST)。将铜柱技术添加到 GaN MMIC 芯片中，将 GaN Cu 柱技术集成到 2.5D/3D 封装技术中，并在中介层级评估 GaN Cu 柱互连可靠性都是这项工作的独特之处。
利用高次谐波桨叶间距减少直升机振动
高次谐波桨距长期以来一直是一种有吸引力但尚未开发的方法，用于减少振动转子载荷和由此产生的机身振动。这个概念很简单。大多数直升机振动源于转子叶片在方位角周围旋转时遇到的不均匀速度分布。这种不均匀分布是由于叶片相对于飞行方向不断变化和转子下方不规则的涡流尾流造成的。由此产生的叶片攻角随方位角的变化包含转子轴速度的每个谐波。然而，只有某些谐波会引起振动载荷并传递到机身。许多谐波会在各个叶片上产生载荷，这些载荷在轮毂处完全相互抵消。高次谐波叶片螺距叠加在传统的零和每转一的叶片螺距控制上，是一种选择性控制攻角谐波的方法。•会产生振动，
利用高次谐波桨叶间距减少直升机振动
高次谐波桨距长期以来一直是一种有吸引力但尚未开发的方法，用于减少振动转子载荷和由此产生的机身振动。这个概念很简单。大多数直升机振动源于转子叶片在方位角周围旋转时遇到的不均匀速度分布。这种不均匀分布是由于叶片相对于飞行方向不断变化和转子下方不规则的涡流尾流造成的。由此产生的叶片攻角随方位角的变化包含转子轴速度的每个谐波。然而，只有某些谐波会引起振动载荷并传递到机身。许多谐波会在各个叶片上产生载荷，这些载荷在轮毂处完全相互抵消。高次谐波叶片螺距叠加在传统的零和每转一的叶片螺距控制上，是一种选择性控制攻角谐波的方法。•会产生振动，
