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World File Search System阈值电流
低点量子点激光器直接生长在硅上，在高温下表现出低阈值电流和高输出功率。
III-V材料在硅上的直接生长是开发单层积分激光器的关键推动剂，在重要通信和计算技术中为超密集的光子整合提供了巨大的潜力。但是，III-V/SI晶格和热膨胀不匹配构成了重大障碍，从而导致缺陷使激光性能降低。这项研究克服了这一挑战，证明了与天然GAAS底物上的顶级激光器相当的INAS/GAAS-SI激光器。这是通过新开发的外延方法来实现的，其中包括一系列严格优化的增长策略。原子分辨率扫描隧道显微镜和光谱实验揭示了活性区域的出色材料质量，并阐明了每种生长策略对缺陷动态的影响。优化的III-V-n-silicon脊脊 - 波导激光器显示出低至6 mA的连续波阈值电流，高温操作达到165°C。在80°C，对于数据中心应用至关重要，它们保持12 ma阈值和35 MW的输出功率。此外，使用相同过程在SI和GAAS底物上制造的激光均显示出几乎相同的平均阈值电流。通过消除与GAAS/SI不匹配相关的性能限制，这项研究为将广泛的III-V光子技术的广泛范围稳健而高密度整合到硅生态系统中铺平了道路。
LifeMap -Dataviz牛仔
对多波长激光器作为INP/ INGAASP底物中的集成电路的项目模型分析。分析应变的量子井材料的极化依赖性特性以及阈值电流，输出功率和热稳定性方面的性能。
适用于低功耗应用的堆叠介电三材料圆柱形栅极 (SD-TM-CGAA) 无结 MOSFET 的亚阈值电流建模
堆叠电介质三材料圆柱栅极全包围 (SD-TM-CGAA) 无结 MOSFET 已被用于低功耗应用。本文介绍了堆叠电介质三材料圆柱栅极全包围 (SD-TM-CGAA) 无结 MOSFET 的亚阈值电流分析模型。分析结果与 TMSG MOSFET 进行了比较，获得了良好的一致性。该器件的亚阈值电流非常低，可以考虑实现 CMOS 反相器。设计了一个 PMOS 晶体管，并将 PMOS 晶体管的驱动电流与 NMOS 器件进行调谐，以获得驱动电流的理想匹配。设计了一个 CMOS 反相器。检查了器件的瞬态和直流行为。计算了 CMOS 反相器的功耗，并将其与 CMOS DMG-SOI JLT 反相器进行了比较。与 CMOS DMG-SOI JLT 反相器相比，所提出的器件的功耗降低了 5 倍。这表现出功率耗散的显著改善，这对于制造低功耗的未来一代设备非常有用。
可调激光应用的砷化加仑光子集成电路平台
摘要 - 在1030 nm波长附近的运行的主动循环集成技术已在炮码（GAAS）光子集成电路平台上开发。该技术利用量子井（QW）稍微垂直从波导的中心偏移，然后在上覆层再生之前有选择地去除以形成主动和被动区域。活性区域由砷耐加仑（INGAAS）QWS，砷耐磷化物（GAASP）屏障，GAAS单独的配置异质结构层和铝铝（Algaas）甲板组成。Fabry Perot激光器具有各种宽度和表征，表现出98.8％的高注射效率，内部活跃损失为3.44 cm -1，内部被动损失为3 µm宽波导的4.05 cm -1。3 µm，4 µm和5 µm宽的激光器在100 MA连续波（CW）电流（CW）电流和阈值电流低至9 mA时显示出大于50 MW的输出功率。20 µm宽的宽面积激光器在CW操作下显示240 MW输出功率，35.2 mA阈值电流，低阈值电流密度为94 A/cm 2，长2 mm。此外，这些设备的透明电流密度为85 A/cm 2，良好的热特性具有T 0 = 205 K，Tη= 577K。
SG1532/SG2532/SG3532
这个整体集成电路是一种通用的通用电压调节器，设计为对流行的SG723设备的大大改进。SG1532系列调节器保留了SG723的所有多功能性，但具有额外的运行优势，输入电压低至4.5伏，高达50伏；低噪声，低压参考；温度补偿，低阈值电流限制；以及保护电路，包括热关机和参考电压的独立电流限制。包括一个单独的远程关闭终端。在双式包裹中，开放的收集器输出可用于低输入输出差异应用程序。
SG1532/SG2532/SG3532
这款单片集成电路是一种多功能通用电压调节器，旨在作为流行的 SG723 器件的大幅改进替代品。SG1532 系列调节器保留了 SG723 的所有多功能性，但还具有以下额外优势：输入电压低至 4.5 伏，高至 50 伏；低噪声、低压参考；温度补偿、低阈值电流限制；以及保护电路，包括热关断和参考电压和输出电压的独立电流限制。还包括一个单独的远程关断端子。在双列直插式封装中，开集电极输出可用于低输入输出差分应用。
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YayimlanmişMakaleler（Sci Indeks）：1。 Sezgin-ugranlı，H.G。 和Özçelep，Y。 （2021）。 “ 根据应力诱导的氧化物电容变化，在不同的电应力水平下确定电源MOSFET的门氧化物降解”，电子设备上的IEEE交易68（2）：688-696。 2。 Sezgin-ugranlı，H.G。 和Özçelep，Y。 （2018）。 “基于恒定电应力下的电容和亚阈值电流测量的VDMOSFET的新方法”，电子设备上的IEEE交易65（4）：1650-1652。 3。 Sezgin-ugranlı，H.G。 和Özçelep，Y。 （2018）。 “在恒定电应力下对VDMOSFET开关功率耗散变化的研究”，微电子学期刊78：81-87。 4。 Sezgin，H.G。 和Özçelep，Y。 （2015）。 “功率MOSFET切换时间变化在恒定电应力下的表征和建模”，微电子可靠性55（3-4）：492-497。YayimlanmişMakaleler（Sci Indeks）：1。Sezgin-ugranlı，H.G。和Özçelep，Y。（2021）。 “根据应力诱导的氧化物电容变化，在不同的电应力水平下确定电源MOSFET的门氧化物降解”，电子设备上的IEEE交易68（2）：688-696。2。Sezgin-ugranlı，H.G。和Özçelep，Y。（2018）。“基于恒定电应力下的电容和亚阈值电流测量的VDMOSFET的新方法”，电子设备上的IEEE交易65（4）：1650-1652。3。Sezgin-ugranlı，H.G。和Özçelep，Y。（2018）。“在恒定电应力下对VDMOSFET开关功率耗散变化的研究”，微电子学期刊78：81-87。4。Sezgin，H.G。和Özçelep，Y。（2015）。“功率MOSFET切换时间变化在恒定电应力下的表征和建模”，微电子可靠性55（3-4）：492-497。
VCSEL Day 2024
电子邮件：bedouin.sassiya@uni-ulm.de互联网流量的快速增长导致对高通量，低能光学互连的需求显着增加，尤其是在数据中心。氧化物构造的垂直腔表面发射激光器（VCSEL）由于其高带宽，电磁效率，可扩展性和可靠性而变得至关重要[1]。今天，100 GBIT/S PAM4 850 nm VCSEL可商购。为了进一步提高光学互连性能，使用VCSELS [2]使用短波长度多路复用（SWDM）。通过将850、880、910和940 nm的四个不同的波长取代，数据传输速率可以四倍。目标是每波长达到100 Gbit/s，将总传输速度提高到400 GBIT/s。为每个波长设计VCSEL需要仔细考虑和调整。设计区域的活动区域，量子井和屏障材料之间的不同之处在于优化的机会。此外，必须针对分布式bragg反射器（DBR）中的铝对比度和浓度定制，以解释各种波长的吸收。这些设计变化及其含义将进行详细讨论。关键挑战是在所有波长中保持一致的性能。这包括动态特征，例如相对强度噪声（RIN），共振频率和阻尼，以及静态特性，例如量子效率，阈值电流和温度稳定性。要应对这些挑战，快速反馈循环至关重要。为了解决这个问题，已经开发了一种快速的处理技术，可以在一周内处理VCSEL，与典型的RF加工VCSELS的典型3到4个月的时间范围相比。尽管修饰的芯片设计排除了RF表征，但该方法对于评估静态性能指标（例如静态性能指标，温度稳定性，电阻，电压，光谱，光谱，阈值电流，量子效率和功率vs. cur- cur-cur- cur- cur- cur- cur- slope）非常有效。图1显示了快速地段和RF加工设备之间的比较，证明了它们的相似性并验证了新过程的可靠性。
室温连续波的演示...
实现了在轴上硅（001）面上直接生长的InGaAs/AlGaAs量子阱激光器的室温连续波工作。首先在金属有机化学气相沉积系统中在硅衬底上生长一层厚度为420 nm、完全没有反相畴的GaAs外延层，然后在分子束外延系统中依次生长其他外延层（包括四组五周期应变层超晶格和激光结构层）。激光器采用宽条法布里-珀罗激光器，条带宽度为21.5 μm，腔长为1 mm。典型阈值电流和相应的阈值电流密度分别为186.4 mA和867 A/cm 2 。激射波长约为980 nm，斜率效率为0.097 W/A，在注入电流为400 mA时单面输出功率为22.5 mW。这一进展使得与量子阱激光器相关的硅基单片光电集成更加有前景，可行性增强。
Lyrica的发明
在这些意外发现的背面，研究人员开始探索系统的筛选方法以识别其他AED，这导致了两个重要的动物模型的发展，以用于初步测试。在1930年代初期，特雷西·J·梅里特（Tracy J.他们发现并显示了制药公司Parke-Davis提供的苯妥英（以品牌Dilantin出售）的临床功效，此外还有其他一些化学物质的功效。Parke-Davis还赞助了这项研究。24后来对电击测试进行了调整，以用于小鼠和大鼠，并创建了最大的电笔癫痫发作（MES）测试。25本质上，MES测试涉及传递足够强度的电刺激，以诱导大鼠后肢的最大癫痫发作。26在该模型中，希望分析AED的活性的研究人员可以轻松地评估有或没有AED给药的阈值电流的增加。27 MES测试很容易进行，需要对设备和技术专业知识进行最少的投资，并且标准化了。28