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描述对 COVID-19 疫苗接种犹豫的分数阶 SIR 模型
a 里卡多·豪尔赫国立卫生研究所，流行病学系，里斯本，1600-609，葡萄牙 b 特拉什奥斯蒙特斯和上杜罗大学（UTAD），数学系，维拉雷亚尔，5000-801，葡萄牙 c 高等技术学院，数学系，里斯本，1049-001，葡萄牙 d 生物统计学和统计生物信息学跨大学研究所，数据科学研究所，哈瑟尔特大学，比利时 e 卫生经济研究和传染病建模中心，疫苗和传染病研究所，安特卫普大学，比利时安特卫普 f 新国立公共卫生学院，公共卫生研究中心，里斯本新大学，葡萄牙
与 Hodgkin-Huxley 模型耦合的神经元-电极接口降阶模型
摘要 – 电极和神经元之间界面的电特性高度依赖于界面几何形状和其他参数。有限元模型在一定程度上可用于研究这些特性。不幸的是，这种模型在计算上非常昂贵。通过简化这些模型，可以减少计算时间。在这项工作中，我们使用基于 Krylov 子空间的模型降阶来简化电极-神经元界面的简化线性化有限元模型。这有助于在系统级耦合到 Hodgkin-Huxley 模型，并大大减少了计算时间。原始有限元模型的精度在很大程度上得以保留。关键词：神经元-电极界面，Hodgkin-Huxley 模型，模型降阶，有限元模型 1. 简介
使用量子傅里叶变换进行相位估计和阶数查找
1 用于相位估计算法的 Kitaev 电路。....................................................................................................................................20 2 实现量子傅里叶变换的电路。....................................................................................................................................23 3 实现相位估计算法的电路。....................................................................................................................................24 4 以一般状态 | ψ ⟩ 作为上寄存器输入的相位估计算法电路。....................................................................................................................................27 5 n = 3 时 α 0 (左) 和 α 1 (右) 的 DTFT 幅度。.................................................... . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36 10 P ( r = ˆ r ) 的下限 . ...
量子力学中一维时间分数阶薛定谔问题的解析研究
本研究对量子力学中出现的一维时间分数阶非线性薛定谔方程进行了分析研究。在本研究中，我们建立了 Sumudu 变换残差幂级数法 (ST-RPSM) 的思想，以生成具有分数阶导数的非线性薛定谔模型的数值解。提出的思想是 Sumudu 变换 (ST) 和残差幂级数法 (RPSM) 的组合。分数阶导数取自 Caputo 意义。所提出的技术是独一无二的，因为它不需要任何假设或变量约束。ST-RPSM 通过一系列连续迭代获得其结果，并且得到的形式快速收敛到精确解。通过 ST-RPSM 获得的结果表明，该方案对于非线性分数阶模型是真实、有效和简单的。使用 Mathematica 软件以不同的分数阶级别显示一些图形结构。
二维材料范德华异质结光电探测器研究进展
图 3 掺杂调控 vdW 异质结理论研究典型成果（ a ）结构优化后的 C 、 N 空位及 B 、 C 、 P 、 S 原子掺杂 g-C 3 N 4 /WSe 2 异质结 的俯视图 [56] ；（ b ）图（ a ）中六种结构的能带结构图 [56] ；（ c ）掺杂的异质结模型图、本征 graphene/MoS 2 异质结的能带结 构及 F 掺杂 graphene/ MoS 2 异质结的能带结构 [57] ；（ d ） Nb 掺杂 MoS 2 原子结构的俯视图和侧视图以及 MoS 2 和 Nb 掺杂
氮化镓高电子迁移率晶体管的物理失效分析技术研究进展
Figure 12.1540-MeV 209Bi ion irradiation 1.7 × 10 11 ions/cm 2 TEM images of AlGaN/GaN HEMT devices: (a) Gate region cross-section; (b) The orbital image of the heterojunction region shown in Figure (a); (c) The image shown in Figure (a) has a depth of approximately 500 nm; (d) Traces formed at the drain; (e) As shown in Figure (d), the trajectory appears at a depth of ap- proximately 500 nm [48] 图 12.1540-MeV 209Bi 离子辐照 1.7 × 10 11 ions/cm 2 的 AlGaN/GaN HEMT 器件的 TEM 图像： (a) 栅极区域截面； (b) 图 (a) 所示异质结区域轨道图 像； (c) 图 (a) 所示深度约 500 nm 图像； (d) 在漏极形成的痕迹； (e) 如图 (d) 所示，轨迹出现在深度约 500 nm 处 [48]
人工智能报告之机器学习Artificial Intelligence ...
图 2-2 GAN 发展脉络 ...................................................................................................................... 3