XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System阻断器
适用于与高功率阻断器共享频谱的非线性接收器的 AI 驱动解调器
摘要 — 研究表明，通信系统和接收器会受到高功率相邻信道信号（称为阻塞器）的影响，这些信号会使射频 (RF) 前端进入非线性操作。由于物联网 (IoT) 等简单系统将与复杂的通信收发器、雷达和其他频谱消费者共存，因此需要采用简单但自适应的 RF 非线性解决方案来保护这些系统。因此，本文提出了一种灵活的数据驱动方法，该方法使用简单的人工神经网络 (ANN) 来帮助消除解调过程中的三阶互调失真 (IMD)。我们引入并数值评估了两个人工智能 (AI) 增强型接收器 - ANN 作为 IMD 消除器和 ANN 作为解调器。我们的结果表明，简单的 ANN 结构可以显著改善具有强阻塞器的非线性接收器的误码率 (BER) 性能，并且 ANN 架构和配置主要取决于 RF 前端特性，例如三阶截取点 (IP3)。因此，我们建议接收器配备硬件标签，并有办法随时监控这些标签，以便可以有效地定制 AI 和软件无线电处理堆栈并自动更新，以应对不断变化的操作条件。索引术语 —AI、ANN、IMD、IP3、频谱共享。
具有高功率阻断器的共享频谱中非线性接收器的人工智能驱动解调器
摘要 — 研究表明，通信系统和接收器受到高功率相邻信道信号（称为阻塞器）的影响，这些信号会使射频 (RF) 前端进入非线性操作。由于物联网 (IoT) 等简单系统将与复杂的通信收发器、雷达和其他频谱消费者共存，因此需要采用简单但自适应的 RF 非线性解决方案来保护这些系统。因此，本文提出了一种灵活的数据驱动方法，该方法使用简单的人工神经网络 (ANN) 来帮助消除解调过程中的三阶互调失真 (IMD)。我们引入并数值评估了两个人工智能 (AI) 增强型接收器——ANN 作为 IMD 消除器和 ANN 作为解调器。我们的结果表明，简单的 ANN 结构可以显著改善具有强阻塞器的非线性接收器的误码率 (BER) 性能，并且 ANN 架构和配置主要取决于 RF 前端特性，例如三阶截取点 (IP3)。因此，我们建议接收器具有硬件标签和随时间监控这些标签的方法，以便可以有效地定制 AI 和软件无线电处理堆栈并自动更新以应对不断变化的操作条件。索引术语 —AI、ANN、IMD、IP3、频谱共享。
适用于材料科学的 Iliad 300 (S)TEM
Thermo Scientific™ Iliad™ 300 (S)TEM 是一款完全集成的分析（扫描）透射电子显微镜，配备新型 Iliad EELS 光谱仪和能量过滤器、专用的 Zebra EELS 探测器、新型 NanoPulser 静电束阻断器，以及 Thermo Scientific™ Dual-X 或 Super-X™ EDX 检测系统之间的选择。
UG103.17：Wi-Fi® 共存基础知识
为了更好地了解 Wi-Fi 对蓝牙的影响，Silicon Labs 测量了 100% 占空比 802.11n（MCS3，20 MHz 带宽）阻断器在不同功率水平下传输时的影响，同时接收以足以实现 0.1% BER（接收灵敏度）的功率水平传输的蓝牙 1Mbps 37 字节有效载荷消息。下图显示了同信道、相邻信道和“远”信道的结果。所有 802.11n 和蓝牙功率水平均参考 Silicon Labs EFR32MG21 RF 输入。测试应用程序是使用 Silicon Labs Bluetooth 2.11.0 或更高版本的堆栈开发的，在 EFR32 DUT（被测设备）上运行 soc-dtm 示例应用程序，并使用测试脚本来控制 DUT 和 RF 测试设备。
MoS2 原子片中单缺陷忆阻器的观察
非挥发性电阻开关，也称为忆阻器 1 效应，即电场改变双端器件的电阻状态，已成为高密度信息存储、计算和可重构系统 2 – 9 开发中的一个重要概念。过去十年，非挥发性电阻开关材料（如金属氧化物和固体电解质）取得了实质性进展。长期以来，人们认为漏电流会阻止在纳米薄绝缘层中观察到这种现象。然而，最近在过渡金属二硫属化物 10, 11 和六方氮化硼 12 夹层结构（也称为原子阻断器）的二维单分子层中发现的非挥发性电阻开关推翻了这种观点，并由于尺寸缩放的好处增加了一个新的材料维度 10, 13。我们在此以单层 MoS 2 为模型系统，阐明了原子片中切换机制的起源。原子成像和光谱表明，金属取代硫空位会导致电阻发生非挥发性变化，这得到了缺陷结构和电子状态计算研究的证实。这些发现提供了对非挥发性切换的原子理解，并开辟了精确缺陷工程的新方向，精确到单个缺陷，朝着实现最小的忆阻器的方向发展，以应用于超密集存储器、神经形态计算和射频通信系统 2、3、11。通过结合扫描隧道显微镜/扫描隧道光谱 (STM/STS) 和局部传输研究，我们观察到硫空位（MoS 2 单层中的主要缺陷）在其天然形式下不起低电阻路径的作用，这与金属氧化物存储器中氧空位的影响形成鲜明对比。 然而，从底部或顶部电极迁移的金属离子（例如金离子）可以取代硫空位，产生导电的局部态密度 (LDOS)，从而驱动原子片进入低阻状态。 在反向电场下去除金原子后，缺陷恢复其初始空位结构，系统返回到高阻状态。 这种导电点切换机制类似于在原子级上形成导电桥存储器 14。然而，它本质上是不同的，也是独一无二的，因为单个金属离子填充了晶格中的单个空位，而不是通过高度无序的材料形成金属桥。我们发现硫空位在 2 纳米间距处稳定，导致忆阻器密度约为每 1 个单位