关键字:Gan,Mishemt,MBE,MMIC,AL 2 O 3,可靠性摘要雷神已经在<111> si Hemt技术上采用了分子束外延(MBE)开发了gan的状态。相对于MOCVD(〜1000 o C)的分子束外延(MBE)的较低生长温度(〜750 o C)导致热性能提高和从IIII-V/SI界面减少微波损失。这些因素结合起来,以使最有效的高功率(> 4 w/mm)在高频(≥10GHz)上进行操作,这些操作通常与Si上的gan hemts无关。较低的温度MBE生长过程减少了生长后冷却后的GAN拉伸应变,这又使Aln成核层用于GAN HEMT生长。这与基于MOCVD的生长中使用的复杂的Algan/Aln菌株补偿层相反,这些层已显示出显着降低IIII-V外延层的总体导热率。此外,低温MBE ALN成核层导致Si/IIi-氮化物界面处的界面电荷降低。这种大大降低的电荷使雷神能够实现<0.2dB/mm的创纪录的低微波损失(对于SI上的GAN),最高为35 GHz,可与SIC上的GAN相当[1]。最重要的是,在100mm高电阻(> 1,000 ohm-cm)上实现MBE种植的Gan Hemt Epi层质量和均匀性时,记录了创纪录的低微波损失(> 1,000 OHM-CM)<111> Si,可与MOCVD在SIC上生长的GAN相当。板电阻低至423欧姆 /平方英尺(±0.8%),迁移率为〜1,600 cm 2 /v-s。这样做是为了使整个栅极电容,IDSS,IMAX和V t与为了减少门泄漏,雷神用ALD沉积了Al 2 O 3作为高k栅极介电介质形成不幸的。为了最大程度地减少门泄漏,而不会影响关键的RF设备特性(例如FT,FMAX,POWER和PAE),使用电荷平衡模型与栅极介电堆栈一起设计Schottky层厚度。
傅里叶变换红外衰减的总反射(FTIR-ATR)已广泛用于研究表面和界面上的吸附和反应。与其他技术不同,例如荧光,无线电标记和电动检测,FTIR-ATR不需要额外的标签,并且可以提供有关系统的大量信息。因此,FTIR-ATR具有许多潜在的生物学应用,并且有望成为一种高敏感,无标签和通用的生物传感方法。近年来,FTIR-ATR生物学应用的主要研究工作集中在(a)原位观察蛋白质或细胞吸附[1-5]; (b)生物膜的结构和方向分析[5-11]; (c)检查酶促反应[12,13]。我们的兴趣集中于FTIR-ATR的生物传感应用,以检测与固定的DNA或寡核苷酸(Oligo)探针有关的生化过程。
飞行安全基金会是一个致力于改善航空安全的国际会员组织。该基金会是非盈利和独立的,成立于 1945 年,旨在满足航空业对中立信息中心传播客观安全信息的需求,以及对可靠和知识渊博的机构的需求,该机构能够识别安全威胁、分析问题并提出切实可行的解决方案。自成立以来,该基金会一直致力于公众利益,对航空安全产生积极影响。如今,该基金会为 75 个国家的近 600 个成员组织提供领导。