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编程雪崩空间级双 QSPI P-SRAM ...
如下面的窗口 1 所示。单击“Programmer”按钮。 2. 从下拉菜单中，选择“Avalanche Technology”作为制造商 3. 选择设备容量：1Gb/2Gb/4Gb 4. 选中“Program”框和“Verify”框 5. 选择 30MHz 的“Clock Rate” 6. 选择“3.3V”电压 7. 单击“Browse”按钮 8. 选择“All File (*)” 9. 选择要编程到 Dual QSPI P-SRAM 的 BIN 文件 10. 单击“Run”进行编程和验证 11. 编程测试和验证测试应报告“PASS”
具有良好时间分辨率的低增益雪崩探测器...
本文给出了由高能物理研究所设计、中国科学院微电子研究所制备的50 µm 厚低增益雪崩探测器 (LGAD) 传感器的模拟和测试结果。制备了三片晶圆，每片晶圆采用四种不同的增益层注入剂量。制备过程中采用了不同的生产工艺，包括改变 n++ 层注入能量和碳共注入。测试结果表明，从电容-电压特性来看，增益层剂量较高的 IHEP-IME 传感器具有较低的击穿电压和较高的增益层电压，这与 TCAD 模拟结果一致。Beta 测试结果表明，IHEP-IME 传感器在高压下工作时的时间分辨率优于 35ps，辐照前 IHEP-IME 传感器收集的电荷大于 15fC，满足 ATLAS HGTD 项目对传感器辐照前的要求。关键词：低增益雪崩探测器（LGAD），注入剂量，击穿电压，时间分辨率，电荷收集电子邮件地址：zhaomei@ihep.ac.cn (Mei Zhao)
测量神经元雪崩以告知脑部计算机界面
（未通过同行评审认证）是作者/资助者。保留所有权利。未经许可就不允许重复使用。此预印本版的版权持有人于2023年12月14日发布。 https://doi.org/10.1101/2022.06.14.495887 doi：Biorxiv Preprint
InP 衬底上随机合金厚度 AlGaAsSb 雪崩光电二极管
我们展示了与 InP 衬底几乎晶格匹配的低噪声随机合金 (RA) Al 0.85 Ga 0.15 AsSb（以下简称 AlGaAsSb）雪崩光电二极管 (APD)。与数字合金 (DA) 相比，RA 由于易于生长而易于制造。910 nm 厚的 RA AlGaAsSb 在 450 C 左右的低温下生长，通过抑制吸附原子的表面迁移率来减轻相分离。通过 X 射线衍射、Nomarski 和原子力显微镜图像验证了 RA AlGaAsSb 材料的高质量。电容-电压测量发现背景掺杂浓度为 6-7 10 14 cm 3，表明 RA AlGaAsSb 材料中的杂质密度非常低。电流-电压测量是在室温下黑暗条件和 455 nm 激光照射下进行的。击穿发生在 58 V 时。增益为 10 时，暗电流密度为 70 l A/cm 2 。该值比之前报道的 DA AlAs 0.56 Sb 0.44 APD [Yi 等人，Nat. Photonics 13, 683 (2019)] 低三个数量级，比 DA AlGaAsSb [Lee 等人，Appl. Phys. Lett. 118, 081106 (2021)] 低一个数量级，与 RA AlInAsSb APD [Kodati 等人，Appl. Phys. Lett. 118, 091101 (2021)] 相当。此外，测得的过量噪声显示 k（碰撞电离系数比）较低，为 0.01。这些噪声特性使 RA AlGaAsSb 倍增器适合商业应用，例如光通信和 LiDAR 系统。
S-DES中单位和双位变化的雪崩效应
雪崩效应是密码学的一个基本原理，它确保输入的微小变化（例如单个位更改）会导致输出的显著变化。本研究通过分析明文和密钥中单位和双位变化的影响，检查了简化数据加密标准 (S-DES) 中的雪崩效应。S-DES 是数据加密标准的一个简化变体，可作为理解密码原理的教育工具。通过实证测试，我们观察到 8 位明文中的单个位更改如何导致生成的密文发生显著变化，证明了输入和输出之间的非线性关系。分析扩展到双位变化，揭示了持续显著的雪崩效应，其中两个改变的位比单个位变化产生更大的密文变化。此外，我们探讨了密钥中位变化的含义，展示了这些修改如何进一步破坏加密过程并增强安全性。
配体辅助的直接光刻和非线性光子学的雪崩纳米颗粒
摘要：向上转换纳米颗粒（UCNP）具有独特的非线性光学特性，可以在显微镜，传感和光子学中利用。然而，形成具有较大填充分数的UCNP的高分辨率纳米和微分简单仍然具有挑战性。此外，人们对纳米颗粒模式化学的形式如何受粒径影响有限。在这里，我们使用形成新离子链接的配体或在UCNP之间（uviolet（uv），eleton- beam（e -elethir）（e -beam）（e -beam）（e -beam）和附近（nir）和附近（nir -nir）和附近（nir -nir）（nir）和附近（nir -extrare）（extrife）（ybem extruared（e -beam），我们探索了6-18 nm tm 3+ - ，yb 3+ /tm 3+ - 和yb 3+ /er 3+基于yb 3+ /er 3+的UCNP。 我们研究UCNP大小对这些图案方法的影响，发现6 nm UCNP可以用紧凑的离子配体进行图案化。 相比之下，对较大的UCNP进行构图需要长链，可交叉的配体，这些配体可提供足够的颗粒间距，以防止在膜铸造时进行不可逆的聚集。 与使用可交联液体单体的方法相比，我们的图案方法限制了与沉积在薄膜中沉积的UCNP上的配体的交联反应。 这种高度局部的照片 - /电子引发的化学能力可以制造具有高分辨率的密集包装的UCNP图案（约为1μm，紫外线和NIR暴露； <100 nm，具有E型束）。 我们的上转换nir光刻方法证明了将廉价连续波激光器用于胶体材料的高分辨率2D和3D光刻的潜力。我们探索了6-18 nm tm 3+ - ，yb 3+ /tm 3+ - 和yb 3+ /er 3+基于yb 3+ /er 3+的UCNP。我们研究UCNP大小对这些图案方法的影响，发现6 nm UCNP可以用紧凑的离子配体进行图案化。相比之下，对较大的UCNP进行构图需要长链，可交叉的配体，这些配体可提供足够的颗粒间距，以防止在膜铸造时进行不可逆的聚集。与使用可交联液体单体的方法相比，我们的图案方法限制了与沉积在薄膜中沉积的UCNP上的配体的交联反应。这种高度局部的照片 - /电子引发的化学能力可以制造具有高分辨率的密集包装的UCNP图案（约为1μm，紫外线和NIR暴露； <100 nm，具有E型束）。我们的上转换nir光刻方法证明了将廉价连续波激光器用于胶体材料的高分辨率2D和3D光刻的潜力。沉积的UCNP模式保留了它们的上转换，雪崩和照片处理行为，可以在模式的光学设备中利用这些行为，以用于下一代UCNP应用程序。
适用于高能物理和同步加速器应用的低增益雪崩探测器 (LGAD 和 iLGAD)
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可向公众发布的非敏感信息
/无变化/ 进入有雪崩风险的区域前，请参考并遵守雪崩地图和安全文件夹中的指示。报告观察到的任何雪崩。注意：避开坡度大于 30 度的地形和存在雪崩风险的滑坡区。可以进行远程触发//
低噪声INGAAS/INP单光雪崩二极管，用于基于光纤和自由空间应用
摘要 - 我们介绍了新的INGAAS/INP单光雪崩二极管（SPAD）的设计和实验性 - 具有两个不同直径的二极管：i）10 µm设备，适用于基于光学的量子量子应用； ii）一个25 µm的一个，更适合自由空间应用。与上一代相比，我们改进了双锌扩散的设计并优化了层结构。我们在225 K和5 V多余的偏置下分别达到了低黑暗计数率，分别为10 µm和25 µM设备，在10 µM检测器时，分别在175 K时下降到每秒几十秒。在5 V多余的偏置和225 K温度下，这两个设备还显示出较高的光子检测效率（1064 nm时为33％，在1310 nm处为31％，在10 µM Spad中为1550 nm时25％）。通过自定义读数集成电路测量了后泵，实现了非常低的概率值。时机抖动与上一代设备相媲美。
IRLR9343PbF IRLU9343PbF IRLU9343-701PbF
关于重复性雪崩曲线的注释，图 14、15：（有关更多信息，请参阅 www.irf.com 上的 AN-1005）1.雪崩故障假设：纯粹的热现象和故障发生在远超过 T jmax 的温度下。这已针对每种零件类型进行了验证。2.只要不超过 T jmax，就可以在雪崩中安全运行。3.以下公式基于图 17a、17b 中所示的电路和波形。4.P D (ave) = 每个雪崩脉冲的平均功率耗散。5.BV = 额定击穿电压（1.3 倍因数表示雪崩期间电压增加）。6.I av = 允许的雪崩电流。7.∆ T = 允许的结温升高，不得超过 T jmax（在图 14、15 中假设为 25°C）。t av = 雪崩平均时间。D = 雪崩占空比 = t av ·f Z thJC (D, t av ) = 瞬态热阻，见图 11) P D (ave) = 1/2 ( 1.3·BV·I av ) = � � T/ Z thJC I av = 2 � T/ [1.3·BV·Z th ] E AS (AR) = P D (ave) ·t AV