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World File Search System雪崩
华盛顿州交通运输部使用小型无人机
小型无人驾驶飞行器 (UAV) 越来越便宜，易于运输和发射，并且可以配备摄像头，为交通机构提供有用的信息。华盛顿州交通部进行了一系列无人机测试，以评估其能力，同时也探索机构问题。这些测试在探索无人机的一般能力的同时，重点评估了无人机作为州高速公路上方山坡上的雪崩控制工具的使用情况。WSDOT 的维护部门有一个活跃的雪崩控制计划，旨在减少高速公路封闭时间和对驾驶员的危害，而使用无人机被认为具有一些潜在的操作优势。无人机还拍摄了适合交通监控和数据收集的航拍图像。评估发现，无人机使用的主要限制是机构性的，特别是需要获得联邦航空管理局 (FAA) 的飞行批准。这一批准程序将使无人机的使用成为一项挑战，但随着 FAA 考虑新规则，这些问题可能会发生变化。
简历 Helmut G. Katzgraber
量子计算 算法开发和新型计算范式 使用新兴技术（量子、机器学习、HPC、...）解决工业问题 无序系统（自旋、电子、量子、涡旋和结构玻璃） 空间辐射模拟 一般计算研究（冷气体、雪崩和磁滞、单分子磁体等）
用于无直方图单光子深度感知的单门脉冲循环神经网络
摘要 — 最近的研究表明，将时间分辨的单光子雪崩二极管 (SPAD) 传感器与神经网络直接耦合，可以简化信号处理并减少冗余。然而，之前的尝试仅限于通用神经网络模型，包括长短期记忆 (LSTM)，这些模型无法实现针对特定任务的优化。基于对 SPAD 深度感知任务需求的洞察，这项工作引入了一种高度简化的脉冲循环神经网络，专门为此目的而量身定制。该模型具有独特的单输入门架构，仅通过简单的脉冲神经元实现。与经典 LSTM 相比，它的准确度有所提高，参数数量减少了 1.95 倍，能耗降低了至少 8.40 倍，同时性能显著优于其他脉冲神经网络。结果强调了开发专用于当前任务的网络架构的重要性，这可能为完全像素内处理的潜在进步铺平道路。索引词 — 单光子雪崩二极管、直接飞行时间、脉冲神经网络、循环神经网络、机器学习
朝着高性能完全垂直的硅硅销二极管
在过去的二十年中，Gan Hemts（高电子迁移率晶体管）已证明其超过硅电源器件限制的高潜力。然而，基于GAN的侧向下摆遭受了几个突出的问题，例如电子捕获和相关的设备可靠性，这是由于闸门边缘处的尖峰电场以及没有雪崩效应。此外，较高的击穿电压需要增加门才能排出距离，从而导致不需要的大设备尺寸。这就是为什么垂直GAN Power设备越来越引起人们的兴趣和社区的强烈努力的原因。的确，高击穿电压，雪崩能力，具有高电流扩展的电场管理和小型设备足迹是垂直电源设备的一些主要优势。如果在硅底物上生长，则可以大大降低整体成本。在这项工作中，我们演示了具有高性能和线性击穿电压缩放的准垂直gan-on-si销钉二极管，并具有漂移层的厚度。完全垂直销钉二极管也被制造出了相似的崩溃场，甚至可能降低了反抗性的罗恩。
无人机安装的雪雷达系统
摘要：机载地面穿透雷达系统提供了一种安全且效率的方法，可在挑战性地形中测量雪深和积雪地层，并具有潜在的雪崩危险。雪花龙是一种定制的雪测量系统，其中包含一个未螺旋的航空车辆（UAV）平台和雷达有效载荷。专门设计用于在各种雪覆盖场景上进行雪调查，该系统具有针对此类任务的性能属性。在这里，我们介绍了完整系统的技术实施，再加上在Svalbard上进行的三个广泛的现场活动的验证结果。此外，我们还提供了对雪地无人机获得的雪地层测量结果的见解，并原位获得了雪轮剖分以进行比较分析。通过将雷达观测值与1673的共同位置测量降雪深度相关联，范围从5到200 cm，并揭示了高度的一致性，从而产生了r = 0.938的相关系数。雪花源是可靠有效的工具，可在坡度范围内协助当地的雪崩危险评估，其中有关积雪深度和结构的信息至关重要。
功率 SiC MOSFET 在重复性
摘要 本文研究了商用平面和沟槽 1.2 kV 4H-SiC MOFSET 在重复非钳位电感开关 (UIS) 和短路 (SC) 应力下的可靠性。观察到器件特性的退化，包括传输特性、漏极漏电流 Idss 和输出特性。对 400 和 600 V 总线电压进行重复 SC 应力。应力期间总线电压的增加对测试器件的电气性能有更大的影响。在老化实验期间可能会发生热载流子注入和进入沟道区域栅极氧化物的捕获，这被认为是导致电气参数变化的原因。 关键词：可靠性、退化、SiC MOSFET、TrenchMOSFET、重复 UIS、重复短路 介绍 近年来，碳化硅 (SiC) 功率 MOSFET 制造技术已经相当成熟，因此，现在可以从不同的制造商处大量购买 [1]。由于其优异的性能，SiC 器件可用于更高温度、更高开关频率和更高功率密度的应用 [2-3]。尽管如此，在它们完全取代硅 (Si) 器件之前，稳健性和可靠性仍然是这些器件在过流、过温、短路和非箝位电感开关 (UIS) [5] 等多种极端工作条件下的主要问题 [3-4]。随着为降低成本而缩小芯片尺寸的趋势，雪崩稳健性和短路承受能力变得更加关键，因为它们对芯片尺寸设计非常敏感，因为芯片的最大能量密度是固定的。在 UIS 测试中，MOSFET 通常连接到没有反向并联续流二极管的电感，以在关闭器件时换向环路电流。因此，器件必须在工作阶段吸收先前存储在电感中的所有能量。因此，只要存储的能量足够高，MOSFET 就会进入雪崩模式，导致器件结温逐渐升高 [6]。在大电流雪崩操作期间，会产生高浓度的热载流子，这可能会导致界面和绝缘 (氧化物) 层的退化。
航空地球物理测绘作为一种创新... - NHESS
致谢。作者谨感谢与奥地利洪流和雪崩控制服务局 (WLV)、上奥地利州分局（特别是 Wolfgang Gasperl 和 Harald Gruber）以及 Centro Servizi di Geoingegneria、Ricaldone（意大利）和 ZT Büro Moser/Jaritz、Gmunden（奥地利）的出色合作。地球物理测量得到了 FP7 项目“SafeLand – 与欧洲的山体滑坡风险共存”的支持，该项目持续了 20 年
ARIES: 综合能源系统的高级研究
在 ARIES 的支持下，微电网传感和控制增强了阿拉斯加科尔多瓦市的恢复能力。科尔多瓦利用 ARIES 验证了其改进的微电网是否能应对地震或雪崩等可能发生的事件，从而使当地电力合作社能够更精确地观察和控制网络。这对科尔多瓦和整个阿拉斯加的土著社区来说非常重要，因为微电网是他们获取能源的最后手段，而控制则使其在关键事件期间更容易适应。
氨-空气火焰条件下等离子流的一维建模
摘要 本文对氨-氧-氮-水混合物中的流光进行了自洽一维建模。开发并验证了一种包含物质输运、静电势和详细化学性质的流体模型。然后使用该模型模拟由纳秒电压脉冲驱动、在不同热化学条件下由一维层流预混氨-空气火焰产生的雪崩、流光形成和传播阶段。成功证实了 Meek 标准在预测流光起始位置方面的适用性。由于电离率不同，流光形成和传播持续时间随热化学条件的不同而存在显著差异。热化学状态还影响击穿特性，通过保持背景减小电场恒定来测试击穿特性。详细的动力学分析揭示了 O（1 D）在关键自由基（如 O、OH 和 NH 2 ）生成中的重要性。此外，还报道了 NH 3 的解离电子激发对 H 和 NH 2 自由基产生的贡献。不同热化学状态下各种非弹性碰撞过程的电子能量损失分数的空间和时间演变揭示了燃料解离所消耗的输入等离子体能量以及雪崩和流光传播阶段主要过程的巨大变化。本研究报告的方法和分析对于开发用于氨点火和火焰稳定的受控纳秒脉冲非平衡等离子体源的有效策略至关重要。