XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System零输入
ELEC2134 - 电路与信号 第 3 学期，2022 年
电路元件 - 能量存储和动态。欧姆定律、基尔霍夫定律、简化串联/并联电路元件网络。节点分析。蒂维南和诺顿等效、叠加。运算放大器。一阶 RLC 电路中的瞬态响应。通过求解微分方程得到的解。二阶 RLC 电路中的瞬态响应。状态方程、零输入响应、零状态响应。使用 MATLAB 求解状态方程。正弦信号：频率、角频率、峰值、RMS 值和相位。直流与交流、平均值与 RMS 值。稳定状态下具有正弦输入的交流电路。在交流电路分析中使用相量和复阻抗。交流功率（实功率、无功功率、视在功率）、功率因数、超前/滞后。共振。变压器和耦合线圈。信号和电路的拉普拉斯变换。网络函数和频率响应。周期信号和傅里叶级数。滤波器设计简介。非线性电路和小信号分析简介。
ELEC2134-电路和信号学期1，2023
电路元素 - 能源存储和动力学。ohm定律，基希霍夫的定律，简化了系列/并行电路元素的网络。节点分析。thivenin和Norton等效物，叠加。操作放大器。一阶RLC电路中的瞬态响应。通过求解微分方程的解决方案。二阶RLC电路中的瞬态响应。状态方程，零输入响应，零状态响应。使用MATLAB求解状态方程。正弦信号：频率，角频，峰值，RMS值和相位。DC VS AC，平均值与RMS值。AC电路具有稳态的正弦输入。在交流电路分析中使用相量和复杂阻抗。交流功率（真实，反应性，明显），功率因数，领先/滞后。共鸣。变压器和耦合线圈。拉普拉斯的信号和电路转换。网络功能和频率响应。周期性信号和傅立叶系列。过滤器设计简介。非线性电路和小信号分析的简介。
仪器框图
准确度——它被定义为指示值和实际值之间的差异。实际值可能是一个已知标准，通过将其与获得的值进行比较可获得准确度。如果差异很小，准确度就很高，反之亦然。准确度取决于其他几个参数，如滞后、线性、灵敏度、偏移、漂移等。它通常以跨度百分比、读数百分比甚至绝对值表示。标准值由政府设定，以维持标准。 读数准确度：是读数时与真实值的偏差，以百分比表示。仪器的绝对准确度是以数字而不是百分比表示的与真实值的偏差。 跨度——它可以定义为仪器从最小到最大刻度值的范围。对于温度计，其刻度从-40°C到100°C。因此，其跨度为140°C。如前所述，准确度定义为跨度的百分比。它实际上是以跨度的百分比表示的与真实值的偏差。 精度——可定义为信号可读取的极限。例如，如果考虑一个模拟刻度，其刻度设置为 0.2 psi，则可估计仪器指针的位置在 0.02 psi 以内。因此，该仪器的精度为 0.02 psi。 范围——可定义为仪器可测量的最低读数和最高读数之间的测量值。温度计的刻度为 −40°C 至 100°C。因此，范围从 −40°C 到 100°C。 再现性——可定义为仪器在相同条件下重复读取相同输入后重复产生相同输出的能力。 灵敏度——也可称为过程的传递函数。它是仪器输出变化与相应测量变量变化之间的比率。对于良好的仪器或过程，灵敏度应始终较高，从而产生更高的输出幅度。 偏移——偏移是零输入仪器的读数。
说明 95-8529
状态条件 F9X 初始化失败。（子代码如下。）F91 EPROM 总数检查失败。F92 启动时系统故障 - 电流过高或过低。F93 看门狗定时器故障。F94 RAM 故障。F95 启动时内部 5 伏电源故障。F96 启动时外部 24 伏电源故障。F97 控制器类型无效。RAM 数据有误。F98 看门狗定时器复位控制器。F70 外部复位按钮已激活 15 秒或更长时间。松开按钮后自动清除。F60 外部 24 伏直流电源输入不在 18 至 32 伏直流范围内。F50 内部 5 伏电源不在 4.75 至 5.25 伏范围内。F40 传感器故障（启动后）。输入高于 35 毫安或低于 2 毫安。F30 负零点漂移。传感器输入为满量程的 –9% 或更低。F2X 校准错误。 （子代码如下。）F20 一般校准故障，或由于更高优先级故障而导致校准中止。F21 等待用户将气体施加到传感器时时间已到。F22 传感器输入太低。传感器无法产生足够的偏移量以获得准确的校准。更换传感器。F23 传感器太敏感，控制器无法读取 100% 满量程。更换传感器。F24 零气水平过高，或传感器零输入超过限制。F10 传感器达到使用寿命。考虑在接下来的两个校准周期内更换传感器。
IUS 2025春季课程计划本科
ITU至少有30天的实习是强制性的。课程目录描述在IUS：CS303数字设计：关于数字电子构建块的标准入门课程。学生将学习布尔代数的公理，数字系统和表示，逻辑门的功能，编码器，解码器，多路复用器，分流器，加法器，减法器，触发器等。课程包括简单有限状态机的分析和设计。简要研究了不同电路家族的物理实施以及数字记忆的体系结构。学生还将学习使用VHDL在可编程逻辑设备中实现数字电路。EE201模拟电子I：传导。半导体，载体，P型和-Type掺杂，漂移和扩散机制，PN连接的物理结构和行为。理想二极管，实用二极管，电气行为和电流 - 电压曲线。二极管模型。DC分析方法的二极管电路（恒定电压下降模型，带指数模型的固定点迭代）。小信号近似，二极管小信号等效和二极管电路的交流分析，直流电源设计（整流器，用滤波器电容器对拓扑分析）。Zener二极管和调节。身体耐药性和寄生能力。其他二极管类型。双极结构晶体管（BJT），早期现象，BJT操作区域，电气模型（Ebers-Moll）和特征的物理结构和行为。DC偏置和BJT电路的热稳定性。MOSFET，操作区域，特征，重要次要效应（通道长度调制，身体效应）的物理结构和行为。DC偏置和MOSFET电路的热稳定性。切换BJT和MOSFET的应用，这是数字电路中的概念用法。EE202电路II：高阶动态电路的状态和输出方程。状态过渡矩阵和属性。zerostate，零输入和总响应。正弦稳态。在JW-域中找到动态网络和系统的状态和输出方程。拟态。力量。三相系统。在S域中找到动态网络和系统的状态和输出方程。阻抗和入学。稳定性和劳斯标准。网络功能和参数。块和信号流程图。bode图。ee221面向对象的编程：数据类型，控制语句，循环，阵列，功能，指针，动态内存，抽象和封装，类，对象，构造函数，构造函数和驱动器，继承和多态性，类，类等级，超级类，超级类，亚类，互动类，界面，界面，界面，界面，虚拟方法，虚拟方法，operator，Operator opertranting，Operator，Operator opertranting。EE301模拟电子II：扩增和增益概念，Desibell概念，电压放大器 /电流放大器 /跨导电电路 /跨逆性电路模型，晶体管在扩增中的概念功能。DC分析晶体管（BJT，MOSFET）电路。BJT和MOSFET的小信号当量和末端电阻。AC分析BJT和MOSFET放大器：基本放大器阶段的增益和输入/输入电阻，分析级联（直接/电容性耦合）放大器。cascode结构，达灵顿结构。差分放大器，差分和共同模式增益，共同模式排斥比。当前来源，负载的电路。操作放大器，理想和实际行为，样品操作机的内部结构。opamp的线性和非线性应用，非理想性对行为的影响。功率放大器。eens221工程学简介：本课程是工程学深度一年级学生的方向课程。它旨在使学生适应更轻松，并告知他们有关电子产品的一般主题以及电信工程，工程道德和质量。各种教职员工向学生们发表演讲。提供了申请的示例，加上工程伦理守则，道德责任，设计中的质量问题和应用程序。ELIT113技术英语：本课程旨在通过使用引起的信息通过阅读和分析技术和学术文本以及学术和技术写作技巧来提高学生的阅读能力。学生不仅了解学术和技术英语的要求，还可以提高他们的其他语言和批判性思维能力。ELIT213学术写作简介：旨在教授组织和关键的课程学生有望通过使用适当的技术语言来广泛描述对象和机制，以对他们所研究的信息进行分类并撰写有关分类的分析组成，以引用他们在整个过程中使用的所有信息。